专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

KR102232654B1 KR102232654B1 - Led spin chuck 有权
公开(公告)号：KR102232654B1
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：KR1020190095154A
申请日：2019-08-05
申请人： 주식회사 에이치에스하이테크
发明人： 황후철 , 김영선 , 허진솔 , 이인오
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687 , H01L27/15 , H01L33/00
CPC分类号： H01L21/67103 , H01L21/67 , H01L21/67259 , H01L21/687 , H01L21/68764 , H01L25/075 , H01L27/15 , H01L33/00
摘要： 본 발명은 엘이디를 통해 웨이퍼를 가열하는 엘이디 스핀척에 관한 것으로서, 특히, 엘이디 스핀척의 가열부의 면적이 웨이퍼의 면적보다 작은 경우에도, 웨이퍼의 비외곽영역과 외곽영역, 즉, 웨이퍼의 전영역의 가열을 효과적으로 달성할 수 있는 엘이디 스핀척에 관한 것이다.

2. 发明专利

KR102229688B1 KR102229688B1 - Valve Module and Substrate Processing apparatus having the same 有权
公开(公告)号：KR102229688B1
公开(公告)日：2021-03-18
申请号：KR1020190016638A
申请日：2019-02-13
申请人： 프리시스 주식회사
发明人： 김상민 , 이재민
IPC分类号： H01L21/67 , H05H1/46
CPC分类号： H01L21/67017 , H01L21/67 , H01L21/67098 , H01L21/67126 , H05H1/46
摘要： 본 발명은, 밸브모듈 및 이를 포함하는 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마에 의해 활성화된 가스가 흐르는 유로에 설치되는 밸브모듈 및 이를 포함하는 기판처리장치에 관한 것이다.
본 발명은 기판처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와; 상기 공정챔버(100)에 결합되며 플라즈마에 의해 활성화된 가스가 흐르는 유로(302)를 형성하는 유로부(300)를 포함하는 기판처리장치에 설치되는 밸브모듈(400)로서, 상기 유로(302)를 개폐하기 위하여 상기 유로부(300)의 일측에 구비되는 개방슬릿(301)를 통해 상기 유로(302)를 가로질러 전후방이동 가능하게 설치되는 개폐플레이트(410)와, 상기 개폐플레이트(410)의 전후방이동을 구동하는 제1구동부(420)와, 상기 개폐플레이트(410)가 후방이동하여 상기 유로(302)를 개방하고 있을 때 상기 개폐플레이트(410)와 상기 유로(302) 사이로 이동하여 상기 개폐플레이트(410)가 활성화된 가스에 의해 손상되는 것을 방지하는 개폐플레이트보호부(430)와, 상기 개폐플레이트보호부(430)의 이동을 구동하는 제2구동부(440)를 포함하는 것을 특징으로 하는 밸브모듈(400)을 개시한다.

3. 发明专利

KR20210028842A KR20210028842A - Cooling system for Rapid Thermal Processing 审中-公开
公开(公告)号：KR20210028842A
公开(公告)日：2021-03-15
申请号：KR1020190109885A
申请日：2019-09-05
申请人： (주)뉴영시스템
发明人： 권종석 , 박민석 , 윤태준
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67098 , F25B9/04 , H01L21/67 , H01L21/67017 , H01L21/67207 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , H01L21/67276
摘要： 개시되는 급속 열처리 설비의 냉각시스템는, 압축공기를 고온의 공기와 저온의 공기로 분리하여 출력하는 보텍스 튜브(Vortex Tube); 상기 보텍스 튜브로부터 저온의 공기를 공급받아 수용하는 냉각가스 공급원; 및 상기 냉각가스 공급원으로부터 상기 저온의 공기를 이용하여 급속 열처리 공정(RTP; Rapid Thermal Processing)이 수행되는 프로세스 챔버 내부를 냉각시키는 냉각 유닛;을 포함한다.

4. 发明专利

JP2018170465A 現像方法、現像装置及び記憶媒体审中-公开
公开(公告)号：JP2018170465A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：JP2017068405
申请日：2017-03-30
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：下青木剛 , 橋本祐作 , 福田昌弘
IPC分类号： G03F7/30 , H01L21/027
CPC分类号： G03G15/105 , G03F7/3021 , G03G15/108 , H01L21/67
摘要：【課題】レジスト膜が形成され、露光された後の半導体装置の製造用の基板を現像するために当該基板に形成した現像液の液溜まりに接触する現像液ノズルから、現像液が基板に落下することによる異常の発生を防ぐこと。【解決手段】現像液ノズル31を構成する対向面32にて下方に開口する吐出口33からの現像液の吐出が停止した状態で、基板Wの表面に対して現像液ノズル31を相対的に上昇させて、前記吐出口33の下方における現像液の液溜まりの一部を、当該現像液の表面張力により引き上げる工程と、現像液ノズル31の上昇を停止させ、引き上げた液溜まりの一部により、上端が対向面32に接すると共に当該上端に向かうにつれて先細る現像液の柱を形成する工程と、現像液の柱に剪断力を加えて当該現像液の柱の上端を剪断し、前記対向面32から前記現像液の柱を分離する工程と、を行う。【選択図】図1

5. 发明专利

JPWO2017115684A1 基板貼り合わせ装置および基板貼り合わせ方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2017115684A1
公开(公告)日：2018-10-18
申请号：JP2016087793
申请日：2016-12-19
申请人：株式会社ニコン
发明人：菅谷功 , 有泉英二 , 鬼頭義昭 , 牛島幹雄 , 荒俣政徳 , 桐部直人 , 白数廣 , 三ッ石創 , 福田稔 , 角田真生
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L22/12 , H01L21/67 , H01L24/75 , H01L2224/75304 , H01L2224/75725 , H01L2224/75745 , H01L2224/759
摘要：基板貼り合わせのスループットを向上させる。第1の基板および第2の基板が接触する接触領域を第1の基板および第2の基板の一部に形成し、接触領域が一部から拡大するように第1の基板と第2の基板とを貼り合わせる基板貼り合わせ装置であって、接触領域の拡大の状態に関する情報を検出する検出部と、検出部で検出した情報が所定の条件を満たしているか否かを判断する判断部と、を備える。

6. 发明专利

JP2018046175A SiC膜の成膜方法及び成膜装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018046175A
公开(公告)日：2018-03-22
申请号：JP2016180298
申请日：2016-09-15
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：山田一希 , 大和雅俊 , 井福亮太 , 東雲秀司 , 布瀬暁志
IPC分类号： H01L21/314 , C23C16/26 , C23C16/56 , H01L21/20 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/02529 , C23C16/045 , C23C16/325 , H01L21/0243 , H01L21/02612 , H01L21/0262 , H01L21/02664 , H01L21/67
摘要：【課題】被処理体にSiC膜を適切に形成する。【解決手段】基板上にアモルファスカーボン膜を形成する(工程S1)。余剰アモルファスカーボン膜を除去する(工程S2)。アモルファスカーボン膜を水蒸気に暴露する(工程S3)。窒素ガスでパージする(工程S4)。アモルファスカーボン膜をシリコン含有ガスに暴露し、当該アモルファスカーボン膜にシリコンを浸潤させる(工程S5)。窒素ガスでパージする(工程S6)。工程S1〜S6を繰り返し行い、基板のトレンチにSiC膜を埋め込む。【選択図】図3

7. 发明专利

JP2017204508A 基板処理装置、および物品製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017204508A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：JP2016094153
申请日：2016-05-09
申请人：キヤノン株式会社
发明人：佐藤誠人
IPC分类号： H01L21/027 , G11B5/84 , H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67706 , B65G49/05 , H01L21/67 , H01L21/67011 , H01L21/67167 , H01L21/67236 , H01L21/68 , H01L21/70
摘要：【課題】フットプリントと基板の位置合わせ精度の両立に有利な技術を提供する。【解決手段】それぞれが基板を処理する複数の処理部を含む基板処理装置が提供される。搬送部は、搬送路を有し、基板処理装置の外から搬送路の一端に搬入された基板を複数の処理部のうちのいずれかに搬送する。調整部は、前記一端から複数の処理部のうちのいずれかに搬入される基板のプリアライメント状態を調整する。調整部は、搬送路において、複数の処理部のうち前記一端から最も遠い処理部と前記一端から最も近い処理部との間に配置されている。【選択図】図1

8. 发明专利

JP6196754B2 ウェハダイシングプレス装置有权
公开(公告)号：JP6196754B2
公开(公告)日：2017-09-13
申请号：JP2011285725
申请日：2011-12-27
申请人：三星電子株式会社 , Samsung Electronics Co.,Ltd.
发明人：林元▲哲▼
IPC分类号： H01L21/301
CPC分类号： H01L21/78 , B28D5/0011 , H01L21/00 , H01L21/67 , H01L21/67011 , H01L21/673 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , Y10T225/321

9. 发明专利

JP6128459B2 金属箔から半導体チップを剥離する方法有权
公开(公告)号：JP6128459B2
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：JP2013053218
申请日：2013-03-15
申请人：ベシスウィツァーランドアーゲー
发明人：バルメトラーアーンスト , フルシュラーファビアン , プリスブリアン
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/52
CPC分类号： H01L21/67005 , H01L21/67132 , H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/67739 , Y10S156/931 , Y10S156/932 , Y10S156/943 , Y10T156/1168 , Y10T156/1179 , Y10T156/1983

10. 发明专利

JP6066120B2 二枚のウェーハを接合するための方法及びデバイス有权
标题翻译：的方法和设备用于接合晶片的两片
公开(公告)号：JP6066120B2
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：JP2014509646
申请日：2012-03-30
申请人：エリッヒ・タールナー
发明人：エリッヒ・タールナー
IPC分类号： B23K20/00 , B23K20/10 , H01L21/683 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/71 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L21/67 , H01L21/67092

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式