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1. 发明专利

JP2014207286A 半導体装置、表示装置及び半導体装置の作製方法有权
标题翻译：半导体器件，显示器件和半导体器件的制造方法
公开(公告)号：JP2014207286A
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：JP2013083132
申请日：2013-04-11
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所 , Semiconductor Energy Lab Co Ltd , シャープ株式会社 , Sharp Corp
发明人： HIZUKA JUNICHI , OKAZAKI KENICHI , TAKAHASHI MASAHIRO , MATSUO TAKUYA , MORI SHIGEYASU , KANZAKI YOSUKE , MATSUKIZONO HIROSHI
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L29/04 , H01L29/045 , H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/78696
摘要：【課題】チャネル長の縮小を抑制した新規な半導体装置を提供する。【解決手段】結晶部を含む酸化物半導体層112と、前記酸化物半導体層112に接するソース電極層108及びドレイン電極層110と、を有し、前記酸化物半導体層112は、チャネル形成領域と、前記ソース電極層108及び前記ドレイン電極層110と接するn型領域112aと、を有し、前記チャネル形成領域と、前記n型領域112aで、前記結晶部の結晶方向が異なることを特徴とする半導体装置である。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供抑制沟道长度减小的新的半导体器件。解决方案：半导体器件包括：包括晶体部分的氧化物半导体层112; 与氧化物半导体层112接触的源极电极层108和漏电极层110.氧化物半导体层112具有沟道形成区域和与源电极层108和漏极接触的n型区域112a 电极层110.晶体部分中的晶体取向在沟道形成区域和n型区域112a之间不同。

2. 发明专利

JP2013222812A Semiconductor device and method for manufacturing the same 有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2013222812A
公开(公告)日：2013-10-28
申请号：JP2012093303
申请日：2012-04-16
申请人： Semiconductor Energy Lab Co Ltd , 株式会社半導体エネルギー研究所 , Sharp Corp , シャープ株式会社
发明人： OKAZAKI KENICHI , YOKOYAMA MASATOSHI , SAKAKURA MASAYUKI , SHIMA YUKINORI , KANZAKI YOSUKE , MATSUKIZONO HIROSHI , MATSUO TAKUYA , YAMAMOTO YOSHITAKA
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/20 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/02172 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/78696
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress occurrence of a conductive mode failure even in a transistor which uses an oxide semiconductor film having a short channel length.SOLUTION: A semiconductor device comprises: a gate electrode 304; a gate insulating film 306 formed on the gate electrode; an oxide semiconductor film 308 formed on the gate insulating film; and a source electrode 310a and a drain electrode 310b formed on the oxide semiconductor film. The length L of a channel formed on the oxide semiconductor film is 1 to 50 μm. A rotation angle 2θ measured by X-ray diffraction in the oxide semiconductor film has a peak near 31°.
摘要翻译：要解决的问题：即使在使用具有短沟道长度的氧化物半导体膜的晶体管中，也抑制导电模式故障的发生。解决方案：半导体器件包括：栅电极304; 形成在栅电极上的栅极绝缘膜306; 形成在栅极绝缘膜上的氧化物半导体膜308; 以及形成在氧化物半导体膜上的源电极310a和漏电极310b。形成在氧化物半导体膜上的沟道的长度L为1〜50μm。旋转角度2＆amp; 在氧化物半导体膜中通过X射线衍射测得的峰值接近31°。

3. 发明专利

JP2014103142A Semiconductor device and display device 有权
标题翻译：半导体器件和显示器件
公开(公告)号：JP2014103142A
公开(公告)日：2014-06-05
申请号：JP2012252106
申请日：2012-11-16
申请人： Semiconductor Energy Lab Co Ltd , 株式会社半導体エネルギー研究所 , Sharp Corp , シャープ株式会社
发明人： MIYAKE HIROYUKI , YAMAZAKI SHUNPEI , TANADA YOSHIFUMI , SATO MANABU , SASAKI TOSHINARI , OKAZAKI KENICHI , HIZUKA JUNICHI , MATSUO TAKUYA , MATSUKIZONO HIROSHI , KANZAKI YOSUKE , MORI SHIGEYASU
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1343 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/78648
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a highly-reliable semiconductor device in which a threshold voltage of a transistor can be controlled.SOLUTION: A semiconductor device includes: a transistor having a gate electrode 116, a gate insulating film 117 formed on the gate electrode, a semiconductor layer 118 formed on the gate insulating film, and a source electrode 120 and a drain electrode 122 formed on the semiconductor layer; a first insulating film 124 formed of an inorganic material on the transistor; a second insulating film 126 formed of an organic material on the first insulating film; a first conductive film 128 formed on the second insulating film and formed in a region overlapped with the semiconductor layer; a third insulating film 138 formed of an inorganic material on the first conductive film; and a second conductive film 148 formed on the third insulating film and formed in a region overlapped with the first conductive film. An absolute value of a first potential given to the first conductive film is larger than that of a second potential given to the second conductive film.
摘要翻译：要解决的问题：提供可以控制晶体管的阈值电压的高可靠性的半导体器件。解决方案：一种半导体器件包括：具有栅极电极116的晶体管，形成在栅电极上的栅极绝缘膜117 形成在栅极绝缘膜上的半导体层118以及形成在半导体层上的源电极120和漏电极122; 由晶体管上的无机材料形成的第一绝缘膜124; 在第一绝缘膜上由有机材料形成的第二绝缘膜126; 形成在第二绝缘膜上并形成在与半导体层重叠的区域中的第一导电膜128; 在第一导电膜上由无机材料形成的第三绝缘膜138; 以及形成在第三绝缘膜上并形成在与第一导电膜重叠的区域中的第二导电膜148。给予第一导电膜的第一电位的绝对值大于给予第二导电膜的第二电位的绝对值。

4. 发明专利

JP2014022492A Semiconductor device and manufacturing method of the same 有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2014022492A
公开(公告)日：2014-02-03
申请号：JP2012158495
申请日：2012-07-17
申请人： Semiconductor Energy Lab Co Ltd , 株式会社半導体エネルギー研究所 , Sharp Corp , シャープ株式会社
发明人： YAMAZAKI SHUNPEI , SAKAMOTO NAOYA , SATO TAKAHIRO , KOSHIOKA SHUNSUKE , CHO TAKAYUKI , YAMAMOTO YOSHITAKA , MATSUO TAKUYA , MATSUKIZONO HIROSHI , KANZAKI YOSUKE
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/41 , H01L29/417
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/201
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a highly reliable semiconductor device which used a copper-containing metal film for wiring or signal lines in a transistor using an oxide semiconductor film, and which has stable electric characteristics.SOLUTION: A semiconductor device comprises: a gate electrode 104; a gate insulation film 106 formed on the gate electrode 104; an oxide semiconductor film 108 including a channel formation region 108a formed at a position contacting the gate insulation film and overlapping the gate electrode; a source electrode 110 and a drain electrode 112 which are formed on the oxide semiconductor film 108; and an oxide insulation film 114 formed on the oxide semiconductor film, the source electrode and the drain electrode. The source electrode and the drain electrode include: first metal films 110a, 112a having ends lying on ends of the channel formation region, respectively; second copper-containing metal films 110b, 112b formed on the first metal films 110a, 112a, respectively; and third metal films 110c, 112c formed on the second metal films, respectively. Each second metal films are formed inside the respective ends of the first metal films.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种使用氧化物半导体膜的晶体管中使用含铜金属膜进行布线或信号线的高可靠性的半导体装置，其具有稳定的电特性。解决方案：半导体器件包括：栅极电极104; 形成在栅电极104上的栅极绝缘膜106; 氧化物半导体膜108，其包括形成在与栅极绝缘膜接触并与栅电极重叠的位置处的沟道形成区域108a; 形成在氧化物半导体膜108上的源电极110和漏电极112; 以及形成在氧化物半导体膜，源电极和漏电极上的氧化物绝缘膜114。源电极和漏电极包括：分别具有位于沟道形成区的端部的端部的第一金属膜110a，112a; 分别形成在第一金属膜110a，112a上的第二含铜金属膜110b，112b; 以及形成在第二金属膜上的第三金属膜110c，112c。每个第二金属膜形成在第一金属膜的相应端部内。

5. 发明专利

JP2014207285A 表示装置及び電子機器有权
标题翻译：显示设备和电子设备
公开(公告)号：JP2014207285A
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：JP2013083131
申请日：2013-04-11
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所 , Semiconductor Energy Lab Co Ltd , シャープ株式会社 , Sharp Corp
发明人： HIZUKA JUNICHI , KATAYAMA MASAHIRO , SHIMA YUKINORI , OKAZAKI KENICHI , MATSUO TAKUYA , MORI SHIGEYASU , KANZAKI YOSUKE , MATSUKIZONO HIROSHI
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/1225 , H01L23/3121 , H01L23/564 , H01L27/1248 , H01L2924/0002 , H01L2924/0001 , H01L2924/00
摘要：【課題】トランジスタの電気特性の変動を抑制すると共に、信頼性を向上させる。【解決手段】画素部104と、前記画素部の外側に設けられる駆動回路部106と、を有し、前記画素部は、画素トランジスタと、前記画素トランジスタを覆う無機材料で形成される第1の絶縁層122と、前記第1の絶縁層上に設けられ、且つ有機材料で形成される第2の絶縁層124と、前記第2の絶縁層上に設けられ、且つ無機材料で形成される第3の絶縁層128と、を有し、前記駆動回路部は、前記画素トランジスタに信号を供給する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタを覆う前記第1の絶縁層と、を有し、前記駆動回路部において、前記第2の絶縁層は形成されていない表示装置である。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：抑制晶体管的电特性的变化并提高晶体管的可靠性。解决方案：显示装置具有设置在像素部分外部的像素部分104和驱动电路部分106。像素部分包括像素晶体管，覆盖像素晶体管并由无机材料形成的第一绝缘层122，设置在第一绝缘层上并由有机材料形成的第二绝缘层124和第三绝缘层绝缘层128，其设置在第二绝缘层上并由无机材料形成。驱动电路部分包括用于向像素晶体管提供信号的驱动晶体管和覆盖驱动晶体管的第一绝缘层。在驱动电路部分中，不形成第二绝缘层。

6. 发明专利

JP2014090068A Display device and electronic apparatus 有权
标题翻译：显示设备和电子设备
公开(公告)号：JP2014090068A
公开(公告)日：2014-05-15
申请号：JP2012238918
申请日：2012-10-30
申请人： Semiconductor Energy Lab Co Ltd , 株式会社半導体エネルギー研究所 , Sharp Corp , シャープ株式会社
发明人： HIZUKA JUNICHI , SHIMA YUKINORI , HOSAKA HIROYASU , OKAZAKI KENICHI , MATSUO TAKUYA , MORI SHIGEYASU , KANZAKI YOSUKE , MATSUKIZONO HIROSHI
IPC分类号： H01L21/318 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/312 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1225 , H01L27/3262
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress variation in electrical characteristics of a transistor, and to improve reliability thereof.SOLUTION: A display device has a pixel part 104 and a driving circuit part 106 provided outside the pixel part. The pixel part has a pixel transistor 252, a first insulating film 124 covering the pixel transistor and formed of an inorganic material, a second insulating film 126 provided on the first insulating film and formed of an organic material, and a third insulating film 130 provided on the second insulating film and formed of an inorganic material. The driving circuit part has a driving transistor 250 for supplying a signal to the pixel transistor, the first insulating film covering the driving transistor, and the second insulating film formed on the first insulating film. The display device has, in the driving circuit part, either a region in which the third insulating film is not formed on the second insulating film or a region in which the second insulating film is not covered with the third insulating film.
摘要翻译：要解决的问题：抑制晶体管的电特性的变化并提高其可靠性。解决方案：显示装置具有设置在像素部分外部的像素部分104和驱动电路部分106。像素部分具有像素晶体管252，覆盖像素晶体管并由无机材料形成的第一绝缘膜124，设置在第一绝缘膜上并由有机材料形成的第二绝缘膜126和设置在第一绝缘膜130上的第三绝缘膜130 在第二绝缘膜上并由无机材料形成。驱动电路部分具有用于向像素晶体管提供信号的驱动晶体管250，覆盖驱动晶体管的第一绝缘膜和形成在第一绝缘膜上的第二绝缘膜。显示装置在驱动电路部分中，在第二绝缘膜上没有形成第三绝缘膜的区域或第二绝缘膜未被第三绝缘膜覆盖的区域。

7. 发明专利

JP2013222819A Semiconductor device 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2013222819A
公开(公告)日：2013-10-28
申请号：JP2012093513
申请日：2012-04-17
申请人： Semiconductor Energy Lab Co Ltd , 株式会社半導体エネルギー研究所 , Sharp Corp , シャープ株式会社
发明人： YOKOYAMA MASATOSHI , MURAKAWA TSUTOMU , OKAZAKI KENICHI , SAKAKURA MASAYUKI , MATSUO TAKUYA , KANZAKI YOSUKE , MATSUKIZONO HIROSHI , YAMAMOTO YOSHITAKA
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L51/50
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device which inhibits generation of a parasitic channel on a lateral face of an oxide semiconductor film on which an active layer is formed.SOLUTION: A semiconductor device comprises: a gate electrode 106; an oxide semiconductor film 110; a source electrode 114a and a drain electrode 114b; and a channel region formed in the oxide semiconductor film. The channel region is formed between a first lateral face 214a of the source electrode and a second lateral face 214b of the drain electrode opposite to the first lateral face 214a. The oxide semiconductor film has a lateral face overlapping the gate electrode, and the lateral face includes a high resistance region positioned between a first region 206a closest from one end 314a of the first lateral face 214a and a second region 206b closest from one end 314b of the second lateral face 214b. The first high resistance region has an undulating lateral face and the like.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种抑制在其上形成有源层的氧化物半导体膜的侧面上产生寄生沟道的半导体器件。解决方案：半导体器件包括：栅电极106; 氧化物半导体膜110; 源电极114a和漏电极114b; 以及形成在氧化物半导体膜中的沟道区。沟道区形成在源电极的第一侧面214a和与第一侧面214a相对的漏电极的第二侧面214b之间。氧化物半导体膜具有与栅电极重叠的侧面，侧面包括位于最靠近第一侧面214a的一端314a的第一区域206a和最靠近第一侧面214a的一端314b的第二区域206b之间的高电阻区域第二侧面214b。第一高电阻区域具有起伏的侧面等。

8. 发明专利

JP2013183001A Semiconductor device 审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2013183001A
公开(公告)日：2013-09-12
申请号：JP2012045498
申请日：2012-03-01
申请人： Semiconductor Energy Lab Co Ltd , 株式会社半導体エネルギー研究所 , Sharp Corp , シャープ株式会社
发明人： OKAZAKI KENICHI , MATSUO TAKUYA , YAMAMOTO YOSHITAKA , MATSUKIZONO HIROSHI , KANZAKI YOSUKE
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/78603
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To inhibit diffusion of a metal element contained in a glass substrate into a gate insulation film or into an oxide semiconductor film.SOLUTION: A semiconductor device comprises: a glass substrate 102; an underlying insulation film 104 composed of a metal oxide formed on the glass substrate 102; a gate electrode 106 formed on the underlying insulation film 104; a gate insulation film 108 formed on the gate electrode 106; an oxide semiconductor film 110 which is formed on the gate insulation film 108 and provided at a position overlapping the gate electrode 106; and a source electrode 114a and a drain electrode 114b which are electrically connected with the oxide semiconductor film 110. A concentration of a metal element contained in the glass substrate 102 in a region at a depth of 3 nm and over from a surface of the underlying insulation film 104 is not more than 1×10atoms/cm.
摘要翻译：要解决的问题：抑制包含在玻璃基板中的金属元素扩散到栅极绝缘膜或氧化物半导体膜中。解决方案：半导体器件包括：玻璃基板102; 由形成在玻璃基板102上的金属氧化物构成的基底绝缘膜104; 形成在下面的绝缘膜104上的栅电极106; 形成在栅电极106上的栅极绝缘膜108; 形成在栅极绝缘膜108上并设置在与栅电极106重叠的位置的氧化物半导体膜110; 以及与氧化物半导体膜110电连接的源电极114a和漏电极114b。从底层的表面开始，在深度为3nm以上的区域中包含的玻璃基板102中的金属元素的浓度绝缘膜104不超过1×10原子/ cm。

9. 发明专利

JP2010021421A Manufacturing method of semiconductor device 审中-公开
标题翻译：半导体器件的制造方法
公开(公告)号：JP2010021421A
公开(公告)日：2010-01-28
申请号：JP2008181572
申请日：2008-07-11
申请人： Sharp Corp , シャープ株式会社
发明人： MATSUKIZONO HIROSHI , KIMURA TOMOHIRO , MORI SHIGEYASU
IPC分类号： H01L21/336 , G02F1/1368 , H01L21/20 , H01L29/786
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method for manufacturing a semiconductor device equipped with a semiconductor element which suppresses variations of characteristics.
SOLUTION: The manufacturing method of the semiconductor device comprises a process for forming a slit SL in at least one part between a first region Sa and a second region Sb of a semiconductor layer Se, a process for forming a mask layer M having a first opening unit Oa and a second opening unit Ob, a process for crystallizing the first region Sa and the second region Sb of the semiconductor layer Se by introducing a catalyst element Ct into the first region Sa and the second region Sb of the semiconductor layer Se, and a process for manufacturing the semiconductor element 120 and the semiconductor element 140 employing the first island type semiconductor layer 122 and the second island type semiconductor layer 142 which are formed by patterning the first region Sa and the second region Sb of the semiconductor layer Se.
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：解决的问题：提供一种制造半导体器件的制造方法，该半导体器件配备有抑制特性变化的半导体元件。解决方案：半导体器件的制造方法包括在半导体层Se的第一区域Sa和第二区域Sb之间的至少一部分中形成狭缝SL的工艺，用于形成掩模层M的工艺具有第一开口单元Oa和第二开口单元Ob，通过将催化剂元素Ct引入半导体层的第一区域Sa和第二区域Sb中来使半导体层Se的第一区域Sa和第二区域Sb结晶的工艺 Se和制造半导体元件120和半导体元件140的工艺，该半导体元件120和半导体元件140采用第一岛状半导体层122和第二岛状半导体层142，其通过对半导体层的第一区域Sa和第二区域Sb进行图案化而形成硒。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

10. 发明专利

JP2009016600A Semiconductor device and its manufacturing method 审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2009016600A
公开(公告)日：2009-01-22
申请号：JP2007177254
申请日：2007-07-05
申请人： Sharp Corp , シャープ株式会社
发明人： MATSUKIZONO HIROSHI
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/20 , H01L21/322 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device wherein the malfunction of a thin film transistor for achieving a high-speed operation is suppressed.
SOLUTION: The semiconductor device by this invention includes: a transparent substrate (112) provided with a front surface (112a) and a back surface (112b); a first semiconductor layer (120) supported by the front surface (112a) of the transparent substrate (112); an insulating layer (114) selectively provided on the first semiconductor layer (120); and a second semiconductor layer (130) including the active layer (132) of the thin film transistor (140), wherein the active layer (132) faces the first semiconductor layer (120) through the insulating layer (114). The first semiconductor layer (120) contains a gettering element and a catalyst element accelerating the crystallization of the second semiconductor layer, and the active layer (132) overlaps with the first semiconductor layer (120) when viewed from the normal direction of the back surface (112b) of the transparent substrate (112).
COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：解决的问题：提供一种半导体器件，其中抑制用于实现高速操作的薄膜晶体管的故障。解决方案：本发明的半导体器件包括：设置有前表面（112a）和后表面（112b）的透明基板（112）; 由透明基板（112）的前表面（112a）支撑的第一半导体层（120）; 选择性地设置在所述第一半导体层（120）上的绝缘层（114）; 以及包括所述薄膜晶体管（140）的有源层（132）的第二半导体层（130），其中所述有源层（132）通过所述绝缘层（114）面向所述第一半导体层（120）。第一半导体层（120）含有吸附元件和加速第二半导体层的结晶化的催化剂元素，当从背面的法线方向观察时，有源层（132）与第一半导体层（120）重叠（112）的透明基板（112b）。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

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