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1. 发明专利

JP2015052571A 歪検知装置及びその製造方法有权
标题翻译：失真检测装置及其制造方法
公开(公告)号：JP2015052571A
公开(公告)日：2015-03-19
申请号：JP2013186705
申请日：2013-09-09
申请人：株式会社東芝 , Toshiba Corp
发明人： ASANO YUSAKU , HIGUCHI KAZUTO , MIYAGI TAKESHI , HIGASHI YOSHIHIRO , HARA MICHIKO , FUKUZAWA HIDEAKI , KII MASAYUKI , FUJISAWA EIZO
IPC分类号： G01B7/24 , H01L43/02 , H01L43/08
CPC分类号： G01L1/125
摘要：【課題】磁気シールド特性に優れた製品を生産性高く提供することができる歪検知装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】実施形態に係る歪検知装置は、基板と、蓋部と、枠部と、検知部と、を含む。基板は、第1面を有する。蓋部は、第1面の上に設けられる。枠部は、基板と蓋部との間に設けられ、磁性体を含み、非導通性である。検知部は、基板と蓋部との間であって枠部の内側に設けられ、磁気抵抗効果素子を有する。検知部は、固体部と、磁気抵抗効果素子が設けられた可動部と、を有する。磁気抵抗効果素子は、磁化の向きが第1面に沿った方向に固定された固定層と、磁化の向きが固定されていない自由層と、を有する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够以高生产率提供具有优异的磁屏蔽性能的产品的失真检测装置及其制造方法。根据实施例的失真检测装置包括基板，盖部分，框架部分和检测部分。基板包括第一表面。盖部分设置在第一表面上。框架部分设置在基板和盖部分之间，包括磁性物质，并且是不导电的。检测部设置在基板和盖部之间以及框架部内部，并且包括磁阻效应元件。检测部分还包括实心部分和设置有磁阻效应元件的可移动部分。磁阻效应元件包括其中沿着第一表面的方向上固定磁化方向的固定层和其中磁化方向不固定的自由层。

2. 发明专利

JP2011177861A Semiconductor device 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2011177861A
公开(公告)日：2011-09-15
申请号：JP2010046561
申请日：2010-03-03
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： OBATA SUSUMU , SOGO TAKAHIRO , ASANO YUSAKU , MIYAGI TAKESHI
IPC分类号： B81B7/02
CPC分类号： H01L29/84 , H01L2224/11
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device to reduce a manufacturing time by preventing an unnecessary increase of a number of manufacturing steps while adapting a device structure which delivers a full performance of a MEMS (micro-electro-mechanical systems) device. SOLUTION: The semiconductor device includes: a substrate 2; an organic insulating film 3 which is disposed on the substrate 2; an inorganic insulating film 4 which is formed thinner than the organic insulating film 3 on the organic insulating film 3; a through-hole 7 which is formed on the inorganic insulating film 4 and formed by penetrating a hollow sealing structure 6 sealing a MEMS element 5 in an internal hollow thereof, the organic insulating film 3 and the inorganic insulating film 4; a conductive ember 8 which electrically connects an electrode formed at the substrate 2 and the MEMS element 5 due to a filling of the conductive member 8 in the through-hole 7. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了提供半导体器件，通过防止不必要地增加多个制造步骤来减少制造时间，同时适应提供全部性能的MEMS（微机电系统）的器件结构，设备。解决方案：半导体器件包括：衬底2; 设置在基板2上的有机绝缘膜3; 比有机绝缘膜3上的有机绝缘膜3薄的无机绝缘膜4; 形成在无机绝缘膜4上的通孔7，其穿过密封内部空心中的MEMS元件5的中空密封结构6，有机绝缘膜3和无机绝缘膜4; 由导电构件8填充在通孔7中而将形成在基板2处的电极和MEMS元件5电连接的导电填料8。（C）2011，JPO＆INPIT

3. 发明专利

JP2011159761A Surface mounting diode and method of manufacturing the same 有权
标题翻译：表面安装二极管及其制造方法
公开(公告)号：JP2011159761A
公开(公告)日：2011-08-18
申请号：JP2010019681
申请日：2010-01-29
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： KITANI TOMOYUKI , TOJO HIROSHI , ATAGI TAKAO , HIGUCHI KAZUTO , IGUCHI TOMOHIRO , FUKUMITSU MASAKO , OBATA SUSUMU , ASANO YUSAKU
IPC分类号： H01L21/329 , H01L23/48 , H01L29/861
CPC分类号： H01L21/782 , H01L23/48 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device, the polarities of which can be identified easily by appearance without causing tombstone, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device. SOLUTION: A surface mounting diode includes: a diode chip 2 having a first main surface A1 and a second main surface A2 that face with each other; a cathode electrode 3 having an internal electrode part 3a provided on the first main surface A1 and an external electrode part 3b provided on a surface of the internal electrode part 3a; an anode electrode 4 having an internal electrode part 4a provided on a surface of the second main surface A2 and an external electrode part 4b provided on a surface of the internal electrode part 4a, wherein a thickness of the external electrode part 4b is the same as that of the external electrode part 3b of the cathode electrode; a first coating member 5 coating a peripheral surface of the internal electrode part 3a of one of either the cathode electrode and the anode electrode and a peripheral surface of the diode chip 2; and a second coating member 6 coating a peripheral surface of the internal electrode part 4a of the other of the cathode electrode and the anode electrode and having a color different from that of the first coating member 5. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种可以通过外观容易地识别其极性而不产生墓碑的半导体器件，并提供一种半导体器件的制造方法。解决方案：表面安装二极管包括：具有彼此面对的第一主表面A1和第二主表面A2的二极管芯片2; 设置在第一主面A1上的内部电极部分3a和设置在内部电极部分3a的表面上的外部电极部分3b的阴极电极3; 设置在第二主面A2的表面上的内部电极部分4a和设置在内部电极部分4a的表面上的外部电极部分4b的阳极电极4，其中外部电极部分4b的厚度与阴极电极的外部电极部分3b; 涂覆阴极电极和阳极电极之一的内部电极部分3a的外周表面和二极管芯片2的外围表面的第一涂覆部件5; 以及第二涂覆部件6，其涂覆阴极电极和阳极电极中的另一个的内部电极部分4a的周面，并且具有与第一涂覆部件5不同的颜色。版权所有（C）2011 ，JPO＆INPIT

4. 发明专利

JP2017118145A 半導体チップ及び半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017118145A
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：JP2017050977
申请日：2017-03-16
申请人：株式会社東芝 , Toshiba Corp
发明人： ASANO YUSAKU , HIGUCHI KAZUTO , TOMIOKA TAIZO , IGUCHI TOMOHIRO
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/301
CPC分类号： H01L24/32 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2924/10156 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要：【課題】高い生産性で半導体チップを製造可能とする。【解決手段】実施形態の半導体チップは、半導体素子を含んだ表面領域を有しているチップ本体10’を具備し、前記チップ本体10’の端面29は、前記チップ本体10’の前記表面領域側の面から反対側の面へ向けて各々が延びた筋状の凹部又は凸部を、粒状の貴金属触媒に起因したエッチング痕32として有している。【選択図】図17A

5. 发明专利

JP2015052532A ＭＥＭＳデバイス有权
标题翻译： MEMS器件
公开(公告)号：JP2015052532A
公开(公告)日：2015-03-19
申请号：JP2013185606
申请日：2013-09-06
申请人：株式会社東芝 , Toshiba Corp
发明人： NAKAMURA NAOFUMI , MASUNISHI KATSURA , HAYASHI HIROMI , ASANO YUSAKU , IKEHASHI TAMIO , DEGUCHI ATSUSHI , ONO DAIKI
IPC分类号： G01L9/00 , B81B3/00 , H01L29/84
CPC分类号： G01L19/04 , G01L9/0072 , G01L9/0075
摘要：【課題】検出精度の改良を図ったMEMSデバイスを提供すること。【解決手段】基板100上に設けられた第1および第2のMEMS素子とを備えている。前記第1および第2のMEMS素子の各々は、固定電極110と、上下方向に可動である可動電極140と、前記基板とともに前記固定電極および前記可動電極を収容する空洞を形成する第1の絶縁性の膜120と、前記空洞側の前記第1の絶縁性の膜の表面に設けられ、前記第1の絶縁性の膜に前記可動電極を接続するための第1のアンカー130とを備えている。前記第2のMEMS素子の前記第1の絶縁性の膜には貫通160孔が設けられている。前記第1のMEMS素子において、前記第1の絶縁性の膜および前記基板によって形成された前記空洞は閉じられている。前記第2のMEMS素子において、前記第1の絶縁性の膜および前記基板によって形成された前記空洞は貫通孔によって閉じられていない。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供具有改进的检测精度的MEMS器件。解决方案：MEMS器件包括设置在衬底100上的第一和第二MEMS元件。第一和第二MEMS元件各自包括：固定电极110; 能够沿垂直方向移动的可动电极140; 与基板一起形成用于容纳固定电极和可动电极的空腔的第一绝缘膜120; 以及设置在第一绝缘膜的空腔侧表面上的第一锚定件130，用于将可动电极连接到第一绝缘膜。第二MEMS元件的第一绝缘膜设置有开孔160.在第一MEMS元件中，由第一绝缘膜和衬底形成的腔封闭。在第二MEMS元件中，由第一绝缘膜和基板形成的空腔由于开孔而不闭合。

6. 发明专利

JP2012078184A Pressure measuring device and pressure measuring method 审中-公开
标题翻译：压力测量装置和压力测量方法
公开(公告)号：JP2012078184A
公开(公告)日：2012-04-19
申请号：JP2010223168
申请日：2010-09-30
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： ASANO YUSAKU , OBATA SUSUMU
IPC分类号： G01L21/12 , G01L19/04
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pressure measuring device and a pressure measuring method that enable more reliable measurement.SOLUTION: A pressure measuring device comprises: a first detection part 4 that has a first resistance element 13 and that outputs an electric signal corresponding to a gas pressure; a second detection part 5 disposed near the first detection part 4 that has a second resistance element 14, a surface area of which is smaller than that of the first resistance element 13, and that outputs an electric signal corresponding to the gas pressure; and a calculation part 8 for subtracting an output value of the second detection part 5 from an output value of the first detection part 4 to calculate the gas pressure.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够进行更可靠的测量的压力测量装置和压力测量方法。解决方案：压力测量装置包括：具有第一电阻元件13并输出对应于气体压力的电信号的第一检测部分4; 设置在第一检测部分4附近的具有第二电阻元件14的第二检测部分5，其表面积小于第一电阻元件13的表面积，并输出与气体压力对应的电信号; 以及用于从第一检测部分4的输出值减去第二检测部分5的输出值以计算气体压力的计算部分8。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

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