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1. 发明专利

JP6369860B2 欠陥観察方法及びその装置有权
公开(公告)号：JP6369860B2
公开(公告)日：2018-08-08
申请号：JP2014145199
申请日：2014-07-15
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ , 国立大学法人東京大学
发明人：大谷祐子 , 前田俊二 , 浦野雄太 , 本田敏文 , 平井大博 , 高橋哲 , 高増潔
IPC分类号： G01N21/956
CPC分类号： G01N21/8806 , G01N21/8851 , G01N21/9501 , G01N21/956 , G01N2021/8822 , G01N2021/8848 , G01N2021/8867

2. 发明专利

JP2016139467A 試料観察方法および試料観察装置审中-公开
标题翻译：样本观察方法和样本观察装置
公开(公告)号：JP2016139467A
公开(公告)日：2016-08-04
申请号：JP2015012155
申请日：2015-01-26
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：原田実 , 高木裕治 , 平井大博
IPC分类号： H01L21/66 , G01B15/04 , G06T1/00 , H01J37/22
CPC分类号： G01B15/04 , G06T1/00 , H01J37/22
摘要：【課題】試料観察方法において、複数の検出器で検出された複数の画像について、欠陥部位や回路パターンの視認性を考慮して、複数の画像を混合(合成)するときの重み係数を自動調整し混合して混合画像を生成することを可能とする。【解決手段】荷電粒子顕微鏡を用いて試料を観察する方法において、荷電粒子ビームを試料上に照射して走査することにより試料から発生する二次電子又は反射電子を試料に対して異なる位置に配置した複数の検出器で検出し、異なる位置に配置した複数の検出器ごとに二次電子又は反射電子を検出して得た複数の検出器ごとの試料の複数の画像を混合して混合画像を生成し、生成した混合画像を画面上に表示するようにした。【選択図】図6
摘要翻译：要解决的问题：为了通过混合通过多个检测器检测的多个图像来创建混合图像，同时在混合（合成）多个图像的同时自动调整加权因子，同时考虑到对于通过多个检测器检测到的多个图像的缺陷部位或电路图案的可视性，在样本观察方法中。解决方案：在通过使用带电粒子束显微镜观察样品的方法中，二次电子或通过利用设置在样本的不同位置的多个检测器来检测通过用带电粒子束照射和扫描样品从样品产生的反射电子，通过混合用于多个样品的多个样品来产生混合图像通过检测设置在不同位置的多个检测器的二次电子或反射电子获得的检测器，然后混合因此创建的d图像显示在显示屏上。选择图：图6

3. 发明专利

JP6078234B2 荷電粒子線装置有权
标题翻译：一种带电粒子束装置
公开(公告)号：JP6078234B2
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：JP2012091497
申请日：2012-04-13
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：山口宏平 , 平井大博 , 中垣亮
IPC分类号： H01J37/28 , H01J37/22 , H01L21/66
CPC分类号： G06T7/0004 , G06T7/001 , H01J37/222 , H01J37/26 , H01J37/28 , H01L22/20 , G06T2207/10061 , G06T2207/30148 , H01J2237/24592 , H01J2237/2817 , H01L22/12

4. 发明专利

JP2017027651A 荷電粒子線装置およびプログラム記憶媒体审中-公开
标题翻译：带电粒子束的装置和程序存储介质
公开(公告)号：JP2017027651A
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：JP2013226923
申请日：2013-10-31
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：加藤達一 , 坂本雅史 , 平井大博
IPC分类号： H01J37/22
CPC分类号： H01J37/28 , H01J37/222 , H01J2237/2817 , H01L22/12
摘要：【課題】座標を補正するために行うグローバルアライメントにてパターンマッチングでアライメントパターンを検出するために使用するテンプレート画像を作成する場合に、設計データがなければテンプレート画像を作成することができない。【解決手段】荷電粒子線装置は、試料に荷電粒子線を照射する荷電粒子光学系と、前記試料を保持する試料ステージと、前記荷電粒子光学系および前記試料ステージを制御する制御装置と、前記荷電粒子線の照射により前記試料から得られる二次的荷電粒子の信号から前記試料の画像を生成する演算装置と、前記試料の画像を記憶する記憶装置と、を備える。前記演算装置は、予め撮像された複数の画像を重ね合わせて作成された合成画像上で指定されたパターンをテンプレートパターンとして設定し、前記テンプレートパターンと一致するパターンの位置を検出する。【選択図】図4
摘要翻译： A到创建用于在为了校正坐标执行全局对准以检测所述图案匹配的对准图案的模板图像，不可能创建的模板图像，如果有设计数据。一种带电粒子射线装置包括：用于照射带电粒子束到样品中，用于保持所述样品的样品台的带电粒子光学系统，以及用于控制所述带电粒子光学系统和样品台的控制装置，其特征在于包括一个算术单元，用于从从得到的二次带电粒子的信号生成所述样本的图像由所述带电粒子束的照射样品，以及用于存储所述样本的图像的存储装置。算术单元设定由叠加多个预先拍摄作为模板图案来检测模板图案相匹配的图案的位置的图像的创建的合成图像上所指定的模式。点域4

5. 发明专利

JP2016058465A 欠陥定量化方法、欠陥定量化装置、および欠陥評価値表示装置审中-公开
标题翻译：缺陷定量方法，缺陷定量装置和缺陷评估值显示装置
公开(公告)号：JP2016058465A
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：JP2014181863
申请日：2014-09-08
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：嶺川陽平 , 高木裕治 , 平井大博
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G06T7/001 , G06T2207/10061 , G06T2207/30148 , H01L21/67288 , H01L21/68
摘要：【課題】欠陥の程度を定量化し、歩留まり管理に有用な情報を提供する。【解決手段】欠陥画像を分類し、欠陥画像分類結果に基づいて、欠陥画像と、欠陥画像に対応する参照画像それぞれに計測領域と計測箇所を設定し、欠陥画像と参照画像の計測箇所から得た各々の計測値を用いて欠陥の評価値を算出し欠陥を定量化する。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：量化缺陷程度，并提供有用的收益管理信息。解决方案：在缺陷量化方法中，对缺陷图像进行分类; 根据缺陷图像分类结果，对与缺陷图像对应的参考图像，对每个缺陷图像和参考图像设置测量区域和测量点; 并且使用从缺陷图像和参考图像的每个测量点获得的每个测量值来计算缺陷的评估值，并且对缺陷进行量化。选择图5：图5

6. 发明专利

JP2015099054A オーバーレイ計測方法および計測装置审中-公开
标题翻译：覆盖测量方法和覆盖测量装置
公开(公告)号：JP2015099054A
公开(公告)日：2015-05-28
申请号：JP2013238166
申请日：2013-11-18
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：原田実 , 高木裕治 , 平井大博 , 福永文彦
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/027 , G01B15/04 , G01B15/00
摘要：【課題】半導体デバイスの製造において、実際のデバイスの回路パターンが形成される領域におけるオーバーレイを、簡便かつ頑健に計測できるようにする。【解決手段】複数回の露光工程により回路パターンが形成された半導体デバイスを対象に、複数の露光工程の間のオーバーレイを計測する方法において、半導体デバイスの指定された計測座標位置における計測画像を撮像し、半導体デバイスの指定された計測座標位置に形成されている回路パターンに対応する複数枚のテンプレート画像と複数枚のテンプレート画像の各々とオーバーレイを結び付けて予め記憶しておいた画像ライブラリを読み込み、読み込んだ画像ライブラリに含まれる複数枚のテンプレート画像それぞれと計測画像との類似度を算出し、算出した複数枚のテンプレート画像それぞれと計測画像との類似度に基づいて計測画像におけるオーバーレイを計測するようにした。【選択図】図6
摘要翻译：要解决的问题：为了在半导体器件的制造中形成实际器件电路图案的区域中实现简单且鲁棒的覆盖测量。解决方案：一种在半导体器件的多个曝光处理中测量覆盖层的方法通过多个曝光处理形成电路图案，包括：在所述半导体器件的指定测量坐标位置拾取测量图像; 读取其中预先存储与形成在所述半导体器件的指定测量坐标位置处的电路图案相对应的多个模板图像和与多个模板图像中的每一个链接的覆盖层的图像库; 计算包括在读取图像库中的多个模板图像中的每一个与测量图像之间的相似度; 并且基于所计算的多个模板图像中的每一个与测量图像之间的相似度来测量测量图像中的覆盖。

7. 发明专利

JP5998004B2 荷電粒子線装置有权
公开(公告)号：JP5998004B2
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：JP2012229221
申请日：2012-10-16
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：平井大博 , 中垣亮 , 小原健二
IPC分类号： H01J37/22 , H01J37/28 , H01L21/66
CPC分类号： H01J37/222 , H01J37/28 , H01J2237/24592

8. 发明专利

JP5978162B2 欠陥検査方法および欠陥検査装置有权
公开(公告)号：JP5978162B2
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：JP2013070976
申请日：2013-03-29
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：高木裕治 , 原田実 , 坂本雅史 , 平井大博
IPC分类号： G01N21/956 , H01L21/66 , G01B15/00 , G01B11/00
CPC分类号： G06T7/001 , H01L22/12 , G06K9/6202 , G06K9/6284 , G06T2207/10061 , G06T2207/30148 , H01J2237/2817

9. 发明专利

JP2016111166A 欠陥観察装置および欠陥観察方法审中-公开
标题翻译：缺陷观察装置和缺陷观察方法
公开(公告)号：JP2016111166A
公开(公告)日：2016-06-20
申请号：JP2014246410
申请日：2014-12-05
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：中山英樹 , 平井大博
IPC分类号： H01L21/66
摘要：【課題】セル比較による欠陥検出方式と、ダイ比較による欠陥検出方式を併用する欠陥検出方式で、スループットのよい欠陥観察装置及び方法を提供する。【解決手段】第1の観察対象位置を含む領域に対して荷電粒子線を照射して得られる信号からその領域の低倍欠陥画像を取得し、低倍欠陥画像を用いてセル比較による欠陥検出モードまたはダイ比較による欠陥検出モードのいずれを適用するかを判定し、低倍欠陥画像に適用する欠陥検出モードの判定処理と並行して、第1の観察対象位置の次に観察する第2の観察対象位置に向けて試料を移動する。【選択図】図3(b)
摘要翻译：要解决的问题：通过将通过小区比较组合缺陷检测系统的缺陷检测系统和通过管芯比较的缺陷检测系统来提供良好吞吐量的缺陷观察装置和缺陷观察方法。解决方案：从由用带电粒子束照射包括第一观察对象位置的区域，获取该区域的低倍率缺陷图像，确定应用通过小区比较的缺陷检测模式或通过管芯比较的缺陷检测模式中的哪一个，通过使用低倍率缺陷图像，然后与应用于低倍率缺陷图像的缺陷检测模式的确定处理并行，将样本移动到与第一观察对象位置相邻的第二观察对象位置。选择图：图3（b）

10. 发明专利

JP2016020867A 欠陥観察方法及びその装置有权
标题翻译：缺陷审查方法和缺陷审查设备
公开(公告)号：JP2016020867A
公开(公告)日：2016-02-04
申请号：JP2014145199
申请日：2014-07-15
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ , 国立大学法人東京大学
发明人：大谷祐子 , 前田俊二 , 浦野雄太 , 本田敏文 , 平井大博 , 高橋哲 , 高増潔
IPC分类号： G01N21/956
CPC分类号： G01N21/8806 , G01N21/8851 , G01N21/9501 , G01N21/956 , G01N2021/8822 , G01N2021/8848 , G01N2021/8867
摘要：【課題】センサで捕集される欠陥散乱光量を上げるため,照明波長の短波長化や検出レンズの高NA化(NA: Numerical Aperture)などが行われている。しかし,照明波長短波長化には技術,装置コスト的に限界がある。検出レンズの高NA化方法としては,液浸や屈折率が負のメタマテリアルなどがあるが,液浸は半導体検査において使用は難しく、またメタマテリアルは、まだ技術的に実用化は困難である。【解決手段】照射条件または試料の条件または検出条件のうち少なくとも一つの条件のみを変化させた異なる複数の光学条件にて該試料を照射し該試料からの複数の光を検出する光取得ステップと、該検出した複数の光に基づく複数の信号を取得する信号取得ステップと、該複数の信号を用いて作成した波形特徴量または画像特徴量または値特徴量により、欠陥とノイズとを判別し、該欠陥の座標を求める処理ステップと、を備えた欠陥観察方法である。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题为了解决为了增加由传感器捕获的不良散射光的量，减少照明波长的波长，获得更高的NA（NA：数值孔径）检测的问题透镜等已经实现，但是照明波长的波长的降低在技术和设备成本方面具有其限制，并且作为获得检测透镜的高NA，浸液或具有负的超临界材料的方法屈光力等已经可以获得，然而，在半导体器件中难以使用液浸，并且在技术上难以实际使用超临界材料。解决方案：缺陷检查方法包括：光获取步骤，来自样品的多条光在多个不同的光学条件下照射样品，其具有至少仅一个条件的照射条件样品的条件或其检测条件发生变化; 信号获取步骤，基于所述多条检测到的光来获取多个信号; 以及根据通过使用多个信号准备的波形特征量，图像特征量或值特征量的量来识别缺陷与噪声的处理步骤，以及计算缺陷的坐标。选择图：图1

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