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1. 发明专利

JP6962029B2 半導体基板の作製方法およびその方法で作製された光回路有权
公开(公告)号：JP6962029B2
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：JP2017126704
申请日：2017-06-28
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：上田悠太 , 神徳正樹
IPC分类号： G02B6/136 , G02B6/12 , H01L21/20 , G02F1/017 , H01S5/026

2. 发明专利

JP6339965B2 光導波路の作製方法有权
公开(公告)号：JP6339965B2
公开(公告)日：2018-06-06
申请号：JP2015079494
申请日：2015-04-08
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：上田悠太 , 石川光映 , 神徳正樹
IPC分类号： G02B6/122 , G02B6/136

3. 发明专利

JP2018004989A 光回路审中-公开
公开(公告)号：JP2018004989A
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：JP2016132444
申请日：2016-07-04
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：上田悠太 , 神徳正樹
IPC分类号： G02F1/025 , G02B6/12
摘要：【課題】MZIを利用した波長フィルタ光回路において、MZIのアーム導波路の導波路長差が決まって光回路素子の特性が固定された後で、製造条件の揺らぎによって実際の素子特性値と設計値との間に差異やばらつきが生じても、それらを補正することが可能な光回路を提供する。【解決手段】光回路30のアーム導波路33−1,33−2の少なくとも一方の少なくとも一部が被膜領域36によって覆うことによりアーム導波路間の導波路長差を生じさせ、更に、被膜領域の一部を除去することによって、アーム導波路の導波路長差による干渉特性を調整する。被膜領域は、一層の被膜層で形成しても良く、波長フィルタ、多層膜によって形成しても良く、被膜領域の形状、数や層構造は、アーム導波路毎に異なっていても良く、同一のアーム導波路の中で異なっていても良い。複数箇所に被膜領域を設けても良い。【選択図】図3

4. 发明专利

JP6209133B2 同位体比分析システム、及び分析方法有权
公开(公告)号：JP6209133B2
公开(公告)日：2017-10-04
申请号：JP2014108496
申请日：2014-05-26
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：吉村了行 , 阪本匡 , 神徳正樹 , 界義久
IPC分类号： G01N1/10 , G01N21/39

5. 发明专利

JP6006611B2 半導体光変調素子有权
公开(公告)号：JP6006611B2
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：JP2012234741
申请日：2012-10-24
申请人：日本電信電話株式会社 , NTTエレクトロニクス株式会社
发明人：小木曽義弘 , 神徳正樹 , 伊賀龍三 , 荒井昌和 , 佐藤具就 , 廣野卓夫
IPC分类号： G02F1/025

6. 发明专利

JP5823921B2 半導体光集積素子有权
公开(公告)号：JP5823921B2
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：JP2012134253
申请日：2012-06-13
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：小林亘 , 山中孝之 , 神徳正樹 , 柴田泰夫
IPC分类号： H01S5/50 , H01S5/068 , H01S5/12 , H01S5/125 , H01S5/40 , G02B6/12 , G02F1/017 , H01S5/026

7. 发明专利

JP2019009398A 半導体基板の作製方法およびその方法で作製された光回路审中-公开
公开(公告)号：JP2019009398A
公开(公告)日：2019-01-17
申请号：JP2017126704
申请日：2017-06-28
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：上田悠太 , 神徳正樹
IPC分类号： G02B6/136 , G02B6/12 , H01L21/20 , G02F1/017 , H01S5/026
摘要：【課題】従来技術の作製方法では当初半導体において形成可能な半導体領域の面積が制限される問題があった。当初半導体に加えて新たに半導体を再成長させる際に、誘電体マスクのためにマスク近傍の再成長半導体の材料組成比に揺らぎが生じ、光回路の様々な光学特性値、電気特性値などの揺らぎを引き起こす。さらに電体マスク近傍領域の成長レートが上がることで、2つの半導体領域を作製した後の基板表面の凹凸が大きくなる。【解決手段】本発明の半導体基板の作製方法では、対象とする光回路のために半導体基板上に当初半導体の一部だけを残して半導体領域とするのではなく、半導体基板の当初半導体の一部に溝を形成し、この溝内に当初半導体とは物性値の異なる追加の半導体を再成長させる。従来技術におけるマスク幅の制限を受けず、物性値揺らぎや表面の凸凹の問題を生じることなしに、広い面積を持つ半導体領域が形成され、当初半導体とは異なる物性値を有する複数の半導体領域が形成された半導体基板が作製される。【選択図】図1

8. 发明专利

JP6317294B2 光変調器の駆動電圧設定方法及び駆動電圧を設定した光変調器有权
公开(公告)号：JP6317294B2
公开(公告)日：2018-04-25
申请号：JP2015093153
申请日：2015-04-30
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：橋詰泰彰 , 山田英一 , 神徳正樹 , 小木曽義弘 , 尾崎常祐
IPC分类号： G02F1/025 , G02F1/015

9. 发明专利

JP6023611B2 半導体多層膜反射鏡構造有权
标题翻译：半导体多层膜反射镜结构
公开(公告)号：JP6023611B2
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：JP2013039467
申请日：2013-02-28
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：中尾亮 , 荒井昌和 , 神徳正樹
IPC分类号： H01S5/183

10. 发明专利

JP2016122066A 半導体光導波路を伝搬する光の位相制御のための半導体装置及びその方法审中-公开
标题翻译：用于半导体光波导中光传播的相位控制的半导体器件及其相关方法
公开(公告)号：JP2016122066A
公开(公告)日：2016-07-07
申请号：JP2014261104
申请日：2014-12-24
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：馬渡宏泰 , 神徳正樹
IPC分类号： G02F1/025
摘要：【課題】本発明は、素子劣化時の位相制御特性の経時変動による影響を抑制し、長期安定性を実現する半導体装置及びその方法を提供する。【解決手段】本発明は、半導体光導波路を伝搬する光の位相制御のための半導体装置であって、半導体光導波路と、半導体光導波路に電流注入を行う位相調整電極と、電流注入により半導体光導波路から放出された自然放出光を受光して、当該受光した自然放出光の強度に比例した光吸収電流を生成するモニタPD部と、モニタPD部で生成された光吸収電流を取り出す光吸収電流取り出し部とを備えたことを特徴とする。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供通过抑制由于元件劣化时的相位控制特性随时间的变化而产生的影响而获得长期稳定性的半导体器件及其方法。解决方案：一种用于相位控制的半导体器件在半导体光波导中传播的光包括：半导体光波导; 用于对半导体光波导进行电流注入的相位调整电极; 监视器PD部分，其通过电流注入接收从半导体光波导发射的自然发射光，并且与所接收的自然发射光的强度成比例地产生光吸收电流; 吸收电流提取部分，其提取由监视器PD部分产生的光吸收电流。选择图：图3

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