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1. 发明专利

JP2022000713A マッハツェンダ変調器、光変調装置审中-公开
公开(公告)号：JP2022000713A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：JP2021164036
申请日：2021-10-05
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：河野直哉
IPC分类号： G02F1/025
摘要：【課題】安定した接地電位を可能にする差動伝送路を備えるマッハツェンダ変調器を提供する。【解決手段】マッハツェンダ変調器は、下部半導体領域、上部半導体層、及び前記下部半導体領域と前記上部半導体層との間のコア層を含む第1半導体アームと、下部半導体領域、上部半導体層、及び前記下部半導体領域と前記上部半導体層との間のコア層を含む第2半導体アームと、前記第1半導体アームの前記下部半導体領域及び前記第2半導体アームの前記下部半導体領域を互いに接続する導電性半導体領域と、前記第1半導体アームの前記上部半導体層及び前記第2半導体アームの前記上部半導体層にそれぞれ結合された第1信号伝搬導電体及び第2信号伝搬導電体と、前記導電性半導体領域上において前記第1信号伝搬導電体と前記第2信号伝搬導電体との間を延在する基準電位導電体とからなる差動伝送路を備え、前記基準電位導電体は前記導電性半導体領域から絶縁されている。【選択図】図1

2. 发明专利

JP6950400B2 マッハツェンダ変調器有权
公开(公告)号：JP6950400B2
公开(公告)日：2021-10-13
申请号：JP2017182466
申请日：2017-09-22
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：河野直哉 , 大塚順
IPC分类号： G02F1/017 , G02F1/025

3. 发明专利

JPWO2020246027A1 光通信用デバイス及び送信モジュール有权
公开(公告)号：JPWO2020246027A1
公开(公告)日：2021-09-13
申请号：JP2019022744
申请日：2019-06-07
申请人：三菱電機株式会社
发明人：大畠伸夫
IPC分类号： H01S5/022 , G02F1/025
摘要：光を出力するレーザダイオード(11)と、カソード(12a)とアノード(12b)とを有しており、カソード(12a)とアノード(12b)との間に印加された高周波信号に応じて、レーザダイオード(11)から出力された光を変調するEA変調器(12)と、カソード(12a)とアノード(12b)との間に接続されている抵抗(13)と、抵抗(13)と直列に接続されており、インダクタンス成分を有するパターン線路(14)とを備え、レーザダイオード(11)及びEA変調器(12)のそれぞれが、高周波線路基板(10)の表面(10a)又は高周波線路基板(1)の裏面(10b)に形成されており、パターン線路(14)が、高周波線路基板(1)の側面(10c)に形成されているように、光通信用デバイス(1)を構成した。

4. 发明专利

JP6899933B2 光半導体素子およびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6899933B2
公开(公告)日：2021-07-07
申请号：JP2019570290
申请日：2018-10-02
申请人：三菱電機株式会社
发明人：堀口裕一郎 , 西川智志 , 秋山浩一 , 福永圭吾 , 外間洋平 , 鈴木洋介
IPC分类号： G02F1/025

5. 发明专利

JP6884850B2 IQ光変調器有权
公开(公告)号：JP6884850B2
公开(公告)日：2021-06-09
申请号：JP2019507703
申请日：2018-03-20
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：小木曽義弘 , 尾崎常祐 , 上田悠太
IPC分类号： G02F1/025

6. 发明专利

JP2021512373A 最適化されたドーピングプロファイルおよび異なる遷移領域の厚さを有するシリコンベース変調器审中-公开
公开(公告)号：JP2021512373A
公开(公告)日：2021-05-13
申请号：JP2020561611
申请日：2019-01-25
申请人：シエナコーポレーション
发明人：ドリール−シマール,アレクサンドル , パインショー,イヴ
IPC分类号： G02B6/12 , G02F1/025
摘要：シリコンベース変調器は、PN接合領域(12)である導波路コア(1)と、導波路コア(1)の横方向に隣接するp側領域(16)である第1の遷移領域(2)と、導波路コア(1)の横方向であって、第1の遷移領域(2)と反対側に隣接するn側領域(16)である第2の遷移領域(2)と、第1の遷移領域(2)に隣接する第1の電気的接触領域(3)と、第2の遷移領域(2)に隣接する第2の電気的接触領域(3)とを含み、前記第1の遷移領域および前記第2の遷移領域のうちの少なくとも一つは、縦方向に沿ってドーピング濃度が変化している。

7. 发明专利

JP6869830B2 半導体装置およびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6869830B2
公开(公告)日：2021-05-12
申请号：JP2017127892
申请日：2017-06-29
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：飯田哲也 , 中柴康▲隆▼ , 桑原愼一
IPC分类号： G02F1/025

8. 发明专利

JP6853213B2 マッハツェンダ変調器有权
公开(公告)号：JP6853213B2
公开(公告)日：2021-03-31
申请号：JP2018080428
申请日：2018-04-19
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：尾崎常祐 , 金澤慈 , 田野辺博正
IPC分类号： G02F1/025

9. 发明专利

JP6839661B2 光素子及びその製造方法、並びに光変調器有权
公开(公告)号：JP6839661B2
公开(公告)日：2021-03-10
申请号：JP2017565662
申请日：2017-02-03
申请人：古河電気工業株式会社
发明人：齋藤裕介 , 木本竜也
IPC分类号： G02B6/12 , G02B6/13 , G02F1/025 , G02F1/017 , G02B6/122

10. 发明专利

JP2021504747A 光電気能動素子审中-公开
公开(公告)号：JP2021504747A
公开(公告)日：2021-02-15
申请号：JP2020528381
申请日：2018-05-11
申请人：ロックリーフォトニクスリミテッド , Rockley Photonics Limited
发明人：ユーグオミン , チャンエイ , ツィルキーアーロン
IPC分类号： G02F1/025 , G02F1/017
摘要：シリコンベースの光電気能動素子及びその製造方法であって、シリコンベースの光電気能動素子は、シリコン上の絶縁体によるSOI導波路と、前記SOI導波路のキャビティ内に光電気活性スタックを含む光電気活性導波路と、前記光電気活性スタックと前記SOI導波路との間でライナーでライニングされたチャネルとを含み、前記ライニングされたチャネルは、前記キャビティの側壁を形成する材料の屈折率と同等の屈折率を有する充填材で充填され、それにより、前記SOI導波路と前記光電気活性スタックとの間のチャネルにブリッジ導波路を形成する。【選択図】図2

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