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1. 发明专利

JP6592610B2 半導体光変調素子有权
公开(公告)号：JP6592610B2
公开(公告)日：2019-10-16
申请号：JP2018539743
申请日：2017-09-13
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：小木曽義弘 , 馬渡宏泰 , 菊池順裕
IPC分类号： G02F1/017 , G02F1/025

2. 发明专利

JP5759414B2 半導体光導波路素子有权
标题翻译：半导体光波导元件
公开(公告)号：JP5759414B2
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：JP2012098892
申请日：2012-04-24
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：馬渡宏泰 , 柴田泰夫
IPC分类号： G02B6/125 , G02B6/12

3. 发明专利

JP5705786B2 半導体光位相変調器有权
标题翻译：半导体光相位调制器
公开(公告)号：JP5705786B2
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：JP2012118216
申请日：2012-05-24
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：渡邉啓 , 馬渡宏泰 , 柏尾典秀 , 石橋忠夫
IPC分类号： G02F1/017 , G02B6/12 , G02B6/122 , G02F1/025

4. 发明专利

JP6225072B2 半導体MZ光変調器および半導体MZ光変調器を用いた方法有权
公开(公告)号：JP6225072B2
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：JP2014103338
申请日：2014-05-19
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：馬渡宏泰 , 佐藤里江子
IPC分类号： G02F1/025 , G02F1/015

5. 发明专利

JP2016122066A 半導体光導波路を伝搬する光の位相制御のための半導体装置及びその方法审中-公开
标题翻译：用于半导体光波导中光传播的相位控制的半导体器件及其相关方法
公开(公告)号：JP2016122066A
公开(公告)日：2016-07-07
申请号：JP2014261104
申请日：2014-12-24
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：馬渡宏泰 , 神徳正樹
IPC分类号： G02F1/025
摘要：【課題】本発明は、素子劣化時の位相制御特性の経時変動による影響を抑制し、長期安定性を実現する半導体装置及びその方法を提供する。【解決手段】本発明は、半導体光導波路を伝搬する光の位相制御のための半導体装置であって、半導体光導波路と、半導体光導波路に電流注入を行う位相調整電極と、電流注入により半導体光導波路から放出された自然放出光を受光して、当該受光した自然放出光の強度に比例した光吸収電流を生成するモニタPD部と、モニタPD部で生成された光吸収電流を取り出す光吸収電流取り出し部とを備えたことを特徴とする。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供通过抑制由于元件劣化时的相位控制特性随时间的变化而产生的影响而获得长期稳定性的半导体器件及其方法。解决方案：一种用于相位控制的半导体器件在半导体光波导中传播的光包括：半导体光波导; 用于对半导体光波导进行电流注入的相位调整电极; 监视器PD部分，其通过电流注入接收从半导体光波导发射的自然发射光，并且与所接收的自然发射光的强度成比例地产生光吸收电流; 吸收电流提取部分，其提取由监视器PD部分产生的光吸收电流。选择图：图3

6. 发明专利

JPWO2018052013A1 半導体光変調素子审中-公开
公开(公告)号：JPWO2018052013A1
公开(公告)日：2019-02-14
申请号：JP2017033014
申请日：2017-09-13
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：小木曽義弘 , 馬渡宏泰 , 菊池順裕
IPC分类号： G02F1/025
摘要：本発明は、複数の給電パッド電極間でサイリスタ構造を有する付加容量を構成させることで、変調領域のpin接合構造を逆方向電圧ESDから保護する、高信頼性の高速・低損失な半導体光変調素子を提供する。基板面から順にn型コンタクト層102、n型クラッド層103、ノンドープのコア・クラッド層104、p型クラッド層106、p型コンタクト層107を積層する。ドライエッチングによりマッハ・ツェンダ干渉導波路と複数の給電パッド設置部を形成する。マッハ・ツェンダ干渉導波路部の変調領域と複数の給電パッド設置部が形成された給電領域を除いてn型コンタクト層102およびn型クラッド層103を除去し、変調領域と給電領域下部の半導体を電気的に分離させる。複数の給電パッドは、共通のn型コンタクト層102およびn型クラッド層103上に形成され、給電パッド間にはpinip接合のサイリスタ構造が形成される。

7. 发明专利

JP2015219399A 半導体MZ光変調器および半導体MZ光変調器を用いた方法有权
标题翻译：半导体MZ光学调制器和使用半导体MZ光学调制器的方法
公开(公告)号：JP2015219399A
公开(公告)日：2015-12-07
申请号：JP2014103338
申请日：2014-05-19
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：馬渡宏泰 , 佐藤里江子
IPC分类号： G02F1/017
摘要：【課題】本発明は、変調器組立工程時の光入出力部分の光学部品の位置決めを容易にし、かつ変調器動作時には出力光強度モニタとして機能する半導体MZ型光変調器及び半導体MZ光変調器を用いた方法を提供する。【解決手段】本発明の半導体MZ型光変調器は、入力光導波路と、前記入力導波路を2分岐する第1の合分波器と、前記第1の合分波器の一方の分岐と接続された第1の干渉計導波路と、前記第1の合分波器の他方の分岐に接続された第2の干渉計導波路と、前記第1の干渉計導波路及び前記第2の干渉計導波路と接続された第2の合分波器と、を備え、前記第2の合分波器は、LED/PD導波路及び出力導波路を有し、前記LED/PD導波路は、pn層構造で構成されていることを特徴とする。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种便于在调制器组件中定位光输入/输出部分的光学部件的半导体MZ光调制器，并且当调制器运行时用作输出光强度监视器，以及使用半导体MZ光调制器。解决方案：半导体MZ光调制器包括：输入光波导; 通过将输入波导分为两部分构成的第一多路复用器/解复用器; 连接到第一多路复用器/解复用器的一个分支的第一干涉仪波导; 连接到第一多路复用器/解复用器的另一分支的第二干涉仪波导; 以及连接到第一干涉仪波导和第二干涉仪波导的第二多路复用器/解复用器。第二多路复用器/解复用器具有由pn层结构和输出波导组成的LED / PD波导。

8. 发明专利

JP2015106133A MZ光変調器审中-公开
标题翻译： MZ光学调制器
公开(公告)号：JP2015106133A
公开(公告)日：2015-06-08
申请号：JP2013249531
申请日：2013-12-02
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：馬渡宏泰 , 柴田泰夫
IPC分类号： G02F1/017
摘要：【課題】安定な消光特性を実現できるMZ光変調器を提供する。【解決手段】MZ光変調器1は、光入力導波路11と、光入力導波路11から入力された光を2つに分岐する分波器12と、分波器12で分岐された2つの光に対して位相差を与える1対の光導波路13と、1対の光導波路13で位相差を与えられた2つの光を干渉させることにより合波する合波器14と、合波器14において合波した光を2つの出力ポートのうちのいずれかから出力する光出力導波路15とを備える。1対の光導波路13は、半導体積層構造を有し、それぞれ、変調信号電圧を印加する変調信号電極16と、位相調整電圧を印加する位相調整電極17と、光を増幅する注入電流を印加するSOA電極18とを有する。SOA電極18のそれぞれに印加する注入電流を独立に制御することにより光導波路13から合波器14へ入力される光の強度が等しくなるように制御する。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供能够实现稳定消光特性的MZ光调制器。解决方案：MZ光调制器1包括：光输入波导11; 解复用器12将从光输入波导11输入的光线解复用为两个光线; 一对光波导13，用于通过解复用器12解复用获得的两个光线之间的相位差; 多路复用器14通过使两个光线彼此干扰来对由成对的光波导13在其间给出的相位差的两个光进行多路复用; 以及输出通过多路复用器14从两个输出端口之一复用得到的光线的光输出波导15。成对光波导13各自包括半导体多层结构，并且每个都包括施加调制信号电压的调制信号电极16; 施加相位调整电压的相位调整电极17; 以及施加注入电流用于光放大的SOA电极18。施加到各个SOA电极18的注入电流被独立地控制，从而进行控制，使得从光波导13输入到多路复用器14的光线的强度彼此相等。

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