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    • 4. 发明专利
    • 欠陥観察方法及びその装置
    • 缺陷审查方法和缺陷审查设备
    • JP2016020867A
    • 2016-02-04
    • JP2014145199
    • 2014-07-15
    • 株式会社日立ハイテクノロジーズ国立大学法人 東京大学
    • 大谷 祐子前田 俊二浦野 雄太本田 敏文平井 大博高橋 哲高増 潔
    • G01N21/956
    • G01N21/8806G01N21/8851G01N21/9501G01N21/956G01N2021/8822G01N2021/8848G01N2021/8867
    • 【課題】センサで捕集される欠陥散乱光量を上げるため,照明波長の短波長化や検出レンズの高NA化(NA: Numerical Aperture)などが行われている。しかし,照明波長短波長化には技術,装置コスト的に限界がある。検出レンズの高NA化方法としては,液浸や屈折率が負のメタマテリアルなどがあるが,液浸は半導体検査において使用は難しく、またメタマテリアルは、まだ技術的に実用化は困難である。 【解決手段】照射条件または試料の条件または検出条件のうち少なくとも一つの条件のみを変化させた異なる複数の光学条件にて該試料を照射し該試料からの複数の光を検出する光取得ステップと、該検出した複数の光に基づく複数の信号を取得する信号取得ステップと、該複数の信号を用いて作成した波形特徴量または画像特徴量または値特徴量により、欠陥とノイズとを判別し、該欠陥の座標を求める処理ステップと、を備えた欠陥観察方法である。 【選択図】図1
    • 要解决的问题为了解决为了增加由传感器捕获的不良散射光的量,减少照明波长的波长,获得更高的NA(NA:数值孔径)检测的问题 透镜等已经实现,但是照明波长的波长的降低在技术和设备成本方面具有其限制,并且作为获得检测透镜的高NA,浸液或具有负的超临界材料的方法 屈光力等已经可以获得,然而,在半导体器件中难以使用液浸,并且在技术上难以实际使用超临界材料。解决方案:缺陷检查方法包括:光获取步骤, 来自样品的多条光在多个不同的光学条件下照射样品,其具有至少仅一个条件的照射条件 样品的条件或其检测条件发生变化; 信号获取步骤,基于所述多条检测到的光来获取多个信号; 以及根据通过使用多个信号准备的波形特征量,图像特征量或值特征量的量来识别缺陷与噪声的处理步骤,以及计算缺陷的坐标。选择 图:图1