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1. 发明专利

JP2021158229A 半導体装置および半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021158229A
公开(公告)日：2021-10-07
申请号：JP2020057299
申请日：2020-03-27
申请人：三菱電機株式会社
发明人：王翔太 , 関根敏孝 , 中村宏之 , 川原一浩
IPC分类号： H01L23/50 , H01L23/29 , H01L23/28
摘要：【課題】半導体装置において製品の加工性を維持しつつ、放熱性の向上を図ることが可能な技術を提供することを目的とする。【解決手段】半導体装置100は、パワーチップ2a〜2fと、パワーチップ2a〜2fを制御する制御チップ1a,1bと、パワーチップ2a〜2fに接続されたパワー側端子6と、制御チップ1a,1bに接続された制御側端子5と、パワーチップ2a〜2f、制御チップ1a,1b、パワー側端子6の一端側、および制御側端子5の一端側を覆うモールド樹脂8とを備えている。パワー側端子6の他端側および制御側端子5の他端側は、モールド樹脂8の側面から水平方向に突出するとともに途中部において下方に屈曲している。パワー側端子6および制御側端子5のうちパワー側端子6の他端側にのみ、下方に屈曲した部分からモールド樹脂8に対して近づく方向または離れる方向に突出する放熱部10が形成されている。【選択図】図4

2. 发明专利

JP5747836B2 加速度センサと加速度センサの自己診断方法有权
标题翻译：的加速度传感器的自诊断方法和加速度传感器
公开(公告)号：JP5747836B2
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：JP2012030408
申请日：2012-02-15
申请人：三菱電機株式会社
发明人：川原一浩 , 末次英治
IPC分类号： G01P15/08 , G01P21/00 , H01L29/84 , G01P15/125

3. 发明专利

JP2021118603A 半導体モジュール审中-公开
公开(公告)号：JP2021118603A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：JP2020009959
申请日：2020-01-24
申请人：三菱電機株式会社
发明人：池田直輝 , 張洪波 , 川原一浩 , 王翔太 , 幸田一輝
IPC分类号： H03K17/567 , H03K17/687 , H02M1/08
摘要：【課題】トランジスタのアクティブゲートコントロールを回路規模を増大させることなく実現する半導体モジュールを提供する。【解決手段】第1の制御信号を第1のゲートに受けてスイッチング動作する第1の領域および第2の制御信号を第2のゲートに受けてスイッチング動作する第2の領域を有するダブルゲート構造のトランジスタと、トランジスタの駆動を制御する駆動制御回路と、を備え、駆動制御回路は、第1の入力信号に基づいて第1の駆動電流を出力する第1の駆動回路と、第1の入力信号と第2の入力信号に基づいて第1の駆動電流を増強する第2の駆動電流を出力する第2の駆動回路と、第1および第2の入力信号に基づいて第3の駆動電流を出力する第3の駆動回路と、を有し、第1および第2の駆動回路の出力は、第1の制御信号として第1のゲートに与えられ、第3の駆動回路の出力は、第2の制御信号として第2のゲートに与えられる。【選択図】図1

4. 发明专利

JP2020205702A 半導体モジュールおよび半導体パッケージ审中-公开
公开(公告)号：JP2020205702A
公开(公告)日：2020-12-24
申请号：JP2019112507
申请日：2019-06-18
申请人：三菱電機株式会社
发明人：川原一浩 , 野口宏一朗
IPC分类号： H02M7/48
摘要：【課題】動作特性を変更できる小型化された半導体モジュールを提供する。【解決手段】相補的に動作する第1、第2のトランジスタを制御する制御回路と、外部のコントローラから動作特性の設定値を含むデータ信号を受信してメモリに格納した後、動作特性の設定値を制御回路に転送する内部コントローラとを備え、データ信号は、動作特性の設定値、動作特性の設定値の制御回路への転送開始のタイミングを規定する特定のトリガ値の順に内部コントローラに送信され、内部コントローラは、メモリに特定のトリガ値が書き込まれたタイミングで、動作特性の設定値を制御回路に転送する。制御回路は、第1、第2のトランジスタをそれぞれ駆動すると共に、半導体モジュールの動作特性を規定する第1、第2のドライバを有し、内部コントローラから転送された動作特性の設定値に基づいて第1、第2のドライバの設定を変更することで半導体モジュールの動作特性を変更する。【選択図】図1

5. 发明专利

JP2021190522A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021190522A
公开(公告)日：2021-12-13
申请号：JP2020093227
申请日：2020-05-28
申请人：三菱電機株式会社
发明人：川原一浩 , 関根敏孝 , 中村宏之
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/50
摘要：【課題】耐湿性が高い半導体装置が提供される。【解決手段】半導体装置100Aは半導体集積回路10、リードフレーム601,622と、モールド樹脂9とを有する。モールド樹脂9は半導体集積回路10を覆う。半導体集積回路10は、少なくとも端子VUB,VUSを有する。リードフレーム601は端子VUBに接続される。リードフレーム622は端子VUSに接続される。モールド樹脂9は、リードフレーム601の部分91を露出させてリードフレーム601をも覆う。モールド樹脂9は、リードフレーム622の端子VUSと反対側の先端を露出させてリードフレーム622をも覆う。モールド樹脂9は凹部141を含み、凹部141は部分91およびモールド樹脂9のみを露出させて開口する。【選択図】図1

6. 发明专利

JP2020125978A 半導体モジュール、および半導体モジュールの寿命予測システム审中-公开
公开(公告)号：JP2020125978A
公开(公告)日：2020-08-20
申请号：JP2019018479
申请日：2019-02-05
申请人：三菱電機株式会社
发明人：白水政孝 , 川原一浩 , 山下崇仁
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H02M7/48 , G01R31/26
摘要：【課題】本発明は、寿命を正確に予測することが可能な半導体モジュールおよび当該半導体モジュールの寿命予測システムを提供することを目的とする。【解決手段】本発明による半導体モジュールは、IGBT2a,2bおよびダイオード3a,3bと、IGBT2a,2bおよびダイオード3a,3bの特性を測定する測定回路5a,5bと、IGBT2a,2bおよびダイオード3a,3bの予め定められた特性の初期値と、測定回路5a,5bが測定したIGBT2a,2bおよびダイオード3a,3bの特性の測定値と、IGBT2a,2bおよびダイオード3a,3bの予め定められた特性劣化の判定値とを記憶するメモリ6とを備える。【選択図】図1

7. 发明专利

JP2019216137A 電力用半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019216137A
公开(公告)日：2019-12-19
申请号：JP2018111025
申请日：2018-06-11
申请人：三菱電機株式会社
发明人：川原一浩 , 野口宏一朗
IPC分类号： H02M7/48 , H01L23/58
摘要：【課題】電力用半導体装置および負荷を過電流から適切に保護することができる電力用半導体装置を提供する。【解決手段】外部検出端子CIN1は、パッケージ90の外部から接続可能であり、第2の固定電位端子NUの電流の大きさに比例した電圧信号を受け付ける。第1の比較回路200は、外部検出端子CIN1からの電圧信号が表す第2の固定電位端子NUの電流の大きさが許容範囲内および許容範囲外のいずれであるかを判定する。第2の比較回路201は、内部検出端子CIN2を用いて検出されるセンス端子T4の電流の大きさが許容範囲内および許容範囲外のいずれであるかを判定する。駆動信号発生部40は、第1の比較回路200および第2の比較回路201の少なくともいずれかによって電流の大きさが許容範囲外にあると判定されているときは駆動信号としてオン信号を発生することが禁止される。【選択図】図2

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