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2. 发明专利

JP2020125978A 半導体モジュール、および半導体モジュールの寿命予測システム审中-公开
公开(公告)号：JP2020125978A
公开(公告)日：2020-08-20
申请号：JP2019018479
申请日：2019-02-05
申请人：三菱電機株式会社
发明人：白水政孝 , 川原一浩 , 山下崇仁
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H02M7/48 , G01R31/26
摘要：【課題】本発明は、寿命を正確に予測することが可能な半導体モジュールおよび当該半導体モジュールの寿命予測システムを提供することを目的とする。【解決手段】本発明による半導体モジュールは、IGBT2a,2bおよびダイオード3a,3bと、IGBT2a,2bおよびダイオード3a,3bの特性を測定する測定回路5a,5bと、IGBT2a,2bおよびダイオード3a,3bの予め定められた特性の初期値と、測定回路5a,5bが測定したIGBT2a,2bおよびダイオード3a,3bの特性の測定値と、IGBT2a,2bおよびダイオード3a,3bの予め定められた特性劣化の判定値とを記憶するメモリ6とを備える。【選択図】図1

3. 发明专利

JP2019054280A 半導体装置および半導体モジュール审中-公开
公开(公告)号：JP2019054280A
公开(公告)日：2019-04-04
申请号：JP2018227534
申请日：2018-12-04
申请人：三菱電機株式会社
发明人：白水政孝 , 秦浩公 , 王亞哲
IPC分类号： H01L23/28 , H01L23/36 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/48
摘要：【課題】高い絶縁耐力を有している半導体装置および半導体装置の製造装置を提供する。【解決手段】半導体素子1と、第1面2Aを有し、第1面2A上に半導体素子1を保持するとともに、半導体素子1と電気的に接続されているフレーム2と、電気絶縁性を有し、半導体素子1とフレーム2とを封止する封止体3とを備え、封止体3には貫通孔4が形成されており、貫通孔4は第1面2Aと交差する方向に延びる孔軸を有しており、貫通孔4の内部に表出している封止体の内周端面4Eと対向配置されているフレームの端部2Eは、第1面2Aと交差する方向に屈曲している。【選択図】図6

4. 发明专利

JP5925364B2 電力用半導体装置有权
公开(公告)号：JP5925364B2
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：JP2015096361
申请日：2015-05-11
申请人：三菱電機株式会社
发明人：長谷川真紀 , 白水政孝 , 酒井伸次 , 白石卓也
IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/48 , H02M1/08 , H01L25/07
CPC分类号： H01L24/49 , H01L2224/0603 , H01L2224/45147 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/4903 , H01L2224/49171 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091

5. 发明专利

JP6566927B2 半導体装置および電力変換装置有权
公开(公告)号：JP6566927B2
公开(公告)日：2019-08-28
申请号：JP2016234185
申请日：2016-12-01
申请人：三菱電機株式会社
发明人：杉町誠也 , 白水政孝
IPC分类号： H01L25/18 , H02M7/48 , H01L25/07

6. 发明专利

JP2017130520A パワーモジュール、3相インバータシステム、およびパワーモジュールの検査方法有权
公开(公告)号：JP2017130520A
公开(公告)日：2017-07-27
申请号：JP2016007940
申请日：2016-01-19
申请人：三菱電機株式会社
发明人：杉町誠也 , 白水政孝
IPC分类号： H01L25/18 , H02M7/48 , H01L25/07
CPC分类号： H01L27/0629 , G01R31/42 , H01L29/0619 , H01L29/872 , H01L22/32 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48247 , H01L2924/19107
摘要：【課題】フリーホイールダイオードとしてショットキーバリアダイオードを用いた場合においても、MOSFETのボディダイオードへの通電試験を効率的に行うことが可能なパワーモジュールを提供する。【解決手段】パワーモジュールは、下アーム用の第1のMOSトランジスタQ1および第1のショットキーバリアダイオードD1と、上アーム用の第2のMOSトランジスタQ2よび第2のショットキーバリアダイオードD2とを備える。一実施形態において、正側および負側の電源端子P,Nは1個ずつ設けられるが、第1および第2のMOSトランジスタQ1,Q2が接続される出力端子MOと、第1および第2のショットキーバリアダイオードD1,D2が接続される出力端子DOとは分離される。【選択図】図1

7. 发明专利

JP2015149508A 電力用半導体装置有权
标题翻译：电力半导体器件
公开(公告)号：JP2015149508A
公开(公告)日：2015-08-20
申请号：JP2015096361
申请日：2015-05-11
申请人：三菱電機株式会社
发明人：長谷川真紀 , 白水政孝 , 酒井伸次 , 白石卓也
IPC分类号： H01L25/18 , H02M1/08 , H01L25/07
CPC分类号： H01L2224/0603 , H01L2224/45147 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49 , H01L2224/4903 , H01L2224/49171 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091
摘要：【課題】スイッチングデバイスとしてIGBTとMOSFETとを並列動作させて用いる電力用半導体装置において、装置全体を小型化する。【解決手段】第1の制御回路からのゲート制御信号は、第1の制御回路側から第1のIGBTおよび第1のMOSFETの近傍にかけて延在するダイパッドを介して第1のIGBTおよび第1のMOSFETのそれぞれのゲートに与えられ、第2の制御回路からのゲート制御信号は、第2の制御回路側から第2のIGBTおよび第2のMOSFETの近傍にかけて延在するダイパッドを介して第2のIGBTおよび第2のMOSFETのそれぞれのゲートに与えられる。【選択図】図23
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于并联操作IGBT和MOSFET作为开关装置的电力用半导体器件，其能够使整体尺寸小型化。解决方案：来自第一控制电路的栅极控制信号被分配给相应的通过从第一控制电路侧延伸到第一IGBT和第一MOSFET附近的管芯焊盘的第一IGBT和第一MOSFET的栅极。来自第二控制电路的门控制信号经由从第二控制电路侧延伸到第二IGBT和第二MOSFET附近的管芯焊盘被提供给第二IGBT和第二MOSFET的各个栅极。

8. 发明专利

JP6490017B2 パワーモジュール、3相インバータシステム、およびパワーモジュールの検査方法有权
公开(公告)号：JP6490017B2
公开(公告)日：2019-03-27
申请号：JP2016007940
申请日：2016-01-19
申请人：三菱電機株式会社
发明人：杉町誠也 , 白水政孝
IPC分类号： H01L25/18 , H02M7/48 , H01L25/07

9. 发明专利

JP2018093024A 半導体装置および電力変換装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018093024A
公开(公告)日：2018-06-14
申请号：JP2016234185
申请日：2016-12-01
申请人：三菱電機株式会社
发明人：杉町誠也 , 白水政孝
IPC分类号： H01L25/18 , H02M7/48 , H01L25/07
CPC分类号： H01L23/49551 , H01L23/49537 , H01L23/49548 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/45 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48139 , H01L2224/48247 , H01L2224/4903 , H01L2224/49113 , H01L2224/49505 , H02K11/30 , H02M7/003 , H05K7/18 , H01L2924/00014
摘要：【課題】インバータモジュール全体の厚みを増加させることなくその全体が小型化された半導体装置、およびそれを有する電力変換装置を提供する。【解決手段】半導体装置101は、ハイサイドモジュール部分10とローサイドモジュール部分20とが互いに重なる構成を有する。ハイサイドモジュール部分10とローサイドモジュール部分20とを跨ぎ、ハイサイド集積回路12およびローサイド集積回路22とを載置する制御側フレーム31をさらに備える。ハイサイドモジュール部分10のハイサイド集積回路12とローサイドモジュール部分20のローサイド集積回路22とは、制御側フレーム31の一方の主表面上に載置される。制御側フレーム31は、ハイサイドモジュール部分10とローサイドモジュール部分20との境界B1,B2において、ハイサイド半導体チップ11とローサイド半導体チップ21とが互いに対向するように屈曲されている。【選択図】図2

10. 发明专利

JP2017022209A 半導体モジュール审中-公开
标题翻译：半导体模块
公开(公告)号：JP2017022209A
公开(公告)日：2017-01-26
申请号：JP2015137083
申请日：2015-07-08
申请人：三菱電機株式会社
发明人：白石卓也 , 白水政孝
IPC分类号： H01L23/40
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/48137
摘要：【課題】放熱性と顧客コストの悪化を防ぐことができる半導体モジュールを得る。【解決手段】ヒートシンク1上に半導体素子3が実装されている。端子4が半導体素子3に接続されている。樹脂8がヒートシンク1の一部、半導体素子3、及び端子4の一部を封止する。端子4は樹脂8の側面から外側に突出する。ヒートシンク1は、樹脂8の下面から外側に突出した第1の部材1aと、第1の部材1aと一体的に構成され、樹脂8の外側において第1の部材1aの下方に配置された第2の部材1bとを有する。第2の部材1bの横幅は第1の部材1aの横幅より広い。第2の部材1bの第1の部材1aよりも横に広がった部分の上面と樹脂8の下面の間に空間が設けられている。【選択図】図1
摘要翻译：甲得到能够防止散热和客户成本的恶化的半导体模块。在散热器1的半导体器件3被安装。终端4被连接到在半导体元件3。散热器1中，半导体元件3和密封销4的部分的一些树脂8。终端4从树脂8的侧面向外突出。散热器1包括从所述树脂8向外突出的下表面的第一构件1a中，它是一体地构成第一构件1a中与第二，其被设置在所述第一构件1A低于树脂8的外侧和部件1b中。第二部件1b的横向宽度大于所述第一构件1a的宽度宽。的上表面的下表面和加宽部分的树脂8之间的空间横向地比第二构件1b的第一部件1a上。 1点域

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