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1. 发明专利

JP6971952B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6971952B2
公开(公告)日：2021-11-24
申请号：JP2018209356
申请日：2018-11-07
申请人：三菱電機株式会社
发明人：中村宏之
IPC分类号： H01L25/18 , H01L21/60 , H01L25/04

2. 发明专利

JP6827401B2 パワー半導体モジュールの製造方法およびパワー半導体モジュール有权
公开(公告)号：JP6827401B2
公开(公告)日：2021-02-10
申请号：JP2017206085
申请日：2017-10-25
申请人：三菱電機株式会社
发明人：中村宏之
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L21/82

3. 发明专利

JP2019066399A 半導体装置仕分けシステムおよび半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019066399A
公开(公告)日：2019-04-25
申请号：JP2017193967
申请日：2017-10-04
申请人：三菱電機株式会社
发明人：横山脩平 , 長谷川真紀 , 中村宏之 , 森茂 , 岩上徹
IPC分类号： H01L23/28 , G01R31/26
摘要：【課題】半導体装置に複数の電気的特性を示す情報を持たせることができる技術を提供することを目的とする。【解決手段】半導体装置仕分けシステム10は、半導体装置1の電気的特性を測定する特性測定部4と、電気的特性をランクに分類するためのランク判別データベース2と、特性測定部4により測定された半導体装置1の複数の電気的特性を、ランク判別データベース2を参照して複数のランクにそれぞれ分類する演算部3と、演算部3により分類された複数のランクを図形記号コードに変換し、当該図形記号コードを半導体装置1に形成する書き込み部5と、半導体装置1に形成された図形記号コードから複数のランクを読み取る読み取り部6と、読み取り部6により読み取られた複数のランクに基づいて半導体装置1を仕分ける仕分け部7とを備えている。【選択図】図1

4. 发明专利

JP6490027B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6490027B2
公开(公告)日：2019-03-27
申请号：JP2016115994
申请日：2016-06-10
申请人：三菱電機株式会社
发明人：中村宏之
IPC分类号： H01L25/18 , H02M7/48 , H01L25/07

5. 发明专利

JP6168899B2 パワーモジュール有权
公开(公告)号：JP6168899B2
公开(公告)日：2017-07-26
申请号：JP2013160097
申请日：2013-08-01
申请人：三菱電機株式会社
发明人：中村宏之 , 秦浩公
IPC分类号： H02M1/08 , H01L29/78 , H01L29/739 , H02M7/48 , H02M1/00
CPC分类号： H03K17/0828 , H02M1/08 , H02M1/32 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49111 , H01L23/60 , H01L23/62 , H02M2001/0009 , H02M7/5387

6. 发明专利

JP2021190522A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021190522A
公开(公告)日：2021-12-13
申请号：JP2020093227
申请日：2020-05-28
申请人：三菱電機株式会社
发明人：川原一浩 , 関根敏孝 , 中村宏之
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/50
摘要：【課題】耐湿性が高い半導体装置が提供される。【解決手段】半導体装置100Aは半導体集積回路10、リードフレーム601,622と、モールド樹脂9とを有する。モールド樹脂9は半導体集積回路10を覆う。半導体集積回路10は、少なくとも端子VUB,VUSを有する。リードフレーム601は端子VUBに接続される。リードフレーム622は端子VUSに接続される。モールド樹脂9は、リードフレーム601の部分91を露出させてリードフレーム601をも覆う。モールド樹脂9は、リードフレーム622の端子VUSと反対側の先端を露出させてリードフレーム622をも覆う。モールド樹脂9は凹部141を含み、凹部141は部分91およびモールド樹脂9のみを露出させて開口する。【選択図】図1

7. 发明专利

JP2020077722A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020077722A
公开(公告)日：2020-05-21
申请号：JP2018209356
申请日：2018-11-07
申请人：三菱電機株式会社
发明人：中村宏之
IPC分类号： H01L25/18 , H01L21/60 , H01L25/04
摘要：【課題】ワイヤに過電流が流れる状況において、当該ワイヤが溶断されやすい半導体装置を提供する。【解決手段】ワイヤW1aは、半導体素子S1aに接続されている接点n1と、半導体素子S1bに接続されている接点n2とを有する。ワイヤW1bは、半導体素子S1aに接続されている接点n3と、半導体素子S1bに接続されている接点n4とを有する。ワイヤW1aのうち接点n1と接点n2との間の部分である線状部W1apは、起伏を有する。ワイヤW1bのうち接点n3と接点n4との間の部分である線状部W1bpは、起伏を有する。線状部W1apの最上部T1aは、線状部W1bpの最上部T1bに隣接している。最上部T1aと最上部T1bとの間隔は、接点n1と接点n3との間隔より狭い。最上部T1aと最上部T1bとの間隔は、接点n2と接点n4との間隔より狭い。【選択図】図2

8. 发明专利

JP6582678B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6582678B2
公开(公告)日：2019-10-02
申请号：JP2015147651
申请日：2015-07-27
申请人：三菱電機株式会社
发明人：中村宏之
IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/50 , H01L25/07

9. 发明专利

JP2017220627A 半導体装置有权
公开(公告)号：JP2017220627A
公开(公告)日：2017-12-14
申请号：JP2016115994
申请日：2016-06-10
申请人：三菱電機株式会社
发明人：中村宏之
IPC分类号： H01L25/18 , H02M7/48 , H01L25/07
CPC分类号： H01L23/49548 , H01L23/4952 , H01L23/49531 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H02M7/003 , H02M7/537 , H01L2224/0603 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L23/49503 , H01L23/49524 , H01L23/49555 , H01L23/49562 , H01L2924/181
摘要：【課題】実装時の配線を簡略化することができる半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】半導体装置1は、ハーフブリッジ構成の半導体装置である。半導体装置1は、P端子21と、N端子22と、パワー出力端子23と、電源端子25と、GND端子26と、制御端子24と、IGBT2,3および制御回路4を収容する平面視で矩形状のパッケージ20とを備えている。制御端子24は、パッケージ20におけるパワー出力端子23が配置された辺と対向する辺に配置され、P端子21、N端子22、電源端子25およびGND端子26は、パッケージ20におけるパワー出力端子23が配置された辺と直交する辺に配置されている。【選択図】図1

10. 发明专利

JP2021158229A 半導体装置および半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021158229A
公开(公告)日：2021-10-07
申请号：JP2020057299
申请日：2020-03-27
申请人：三菱電機株式会社
发明人：王翔太 , 関根敏孝 , 中村宏之 , 川原一浩
IPC分类号： H01L23/50 , H01L23/29 , H01L23/28
摘要：【課題】半導体装置において製品の加工性を維持しつつ、放熱性の向上を図ることが可能な技術を提供することを目的とする。【解決手段】半導体装置100は、パワーチップ2a〜2fと、パワーチップ2a〜2fを制御する制御チップ1a,1bと、パワーチップ2a〜2fに接続されたパワー側端子6と、制御チップ1a,1bに接続された制御側端子5と、パワーチップ2a〜2f、制御チップ1a,1b、パワー側端子6の一端側、および制御側端子5の一端側を覆うモールド樹脂8とを備えている。パワー側端子6の他端側および制御側端子5の他端側は、モールド樹脂8の側面から水平方向に突出するとともに途中部において下方に屈曲している。パワー側端子6および制御側端子5のうちパワー側端子6の他端側にのみ、下方に屈曲した部分からモールド樹脂8に対して近づく方向または離れる方向に突出する放熱部10が形成されている。【選択図】図4

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