专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP2015057504A 処理装置审中-公开
标题翻译：处理单元
公开(公告)号：JP2015057504A
公开(公告)日：2015-03-26
申请号：JP2011270974
申请日：2011-12-12
申请人：キヤノンアネルバ株式会社 , Canon Anelva Corp
发明人： MIYAUCHI TAKUMA , ISHIDA MASAAKI , FUJIMOTO TAKESHI , ITASAKA SUGURU
IPC分类号： C23C14/50 , C23C14/34 , H01L21/3065 , H01L21/683
CPC分类号： C23C14/505 , C23C14/541 , F25B9/14 , H01L21/67109 , H01L21/67288 , H01L21/68792
摘要：【課題】本発明における課題は、冷却性能に優れた処理装置を提供することにある。【解決手段】本発明においては、基板を載置することが可能な基板載置部、基板載置部との間に押し付け力を発生させて、基板を基板載置部に保持させる保持手段と、基板載置部を冷却する冷却手段と、基板載置部を冷却手段と共に回転させる回転手段と、を備えた処理装置であって、冷却手段の弾性体はその周縁部に防振部材を配置したことを特徴としている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种冷却性能优异的处理单元。解决方案：处理单元包括能够在其上装载基板的基板装载部分，用于通过在其自身之间产生加压力将基板保持在基板装载部分上的保持装置以及基板装载部，冷却基板装载部的冷却装置，以及与冷却装置一起旋转基板装载部的旋转装置。此外，在冷却装置的弹性体的周边部设置隔振部件。

2. 发明专利

JP2014229215A 情報処理装置、情報処理方法、コンピュータプログラムおよびコンピュータ可読メモリ媒体有权
标题翻译：信息处理设备，信息处理方法，计算机程序和计算机可读存储介质
公开(公告)号：JP2014229215A
公开(公告)日：2014-12-08
申请号：JP2013110385
申请日：2013-05-24
申请人：キヤノンアネルバ株式会社 , Canon Anelva Corp
发明人： KAYOIJI HIROKI
IPC分类号： G06F3/0485
CPC分类号： G06F3/04855
摘要：【課題】スクロールの高速化に有利な技術を提供する。【解決手段】部材を処理する処理装置が発生する複数のイベントデータを処理する情報処理装置は、前記複数のイベントデータの時系列の並びにおいて予め設定された間隔で存在する少なくとも2つのイベントデータを決定する決定部と、前記並びにおける位置を指定する指定情報を含むスクロール要求を前記情報処理装置に組み込まれたスクロール機能から取得し、前記決定部によって決定された前記少なくとも2つのイベントデータのうち前記並びにおいて前記指定情報で指定された位置に近い位置にあるイベントデータをジャンプ先イベントデータとして特定する特定部と、前記スクロール機能に、前記ジャンプ先イベントデータまたはその付近からスクロールを開始させる制御部とを備える。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供有利于加快滚动的技术。解决方案：一种用于处理由处理装置处理的处理装置产生的多个事件数据的信息处理装置，包括：确定部，用于确定存在的至少两个事件数据在所述多个事件数据的时间序列排列中以预定间隔; 一种识别部分，其从包含在信息处理装置中的滚动功能中获取包括用于指定布置中的位置的指定信息的滚动请求，并且将该事件数据识别在该布置中的指定信息中指定的位置附近的位置处至少由确定部分确定的两个事件数据作为跳转目的地事件数据; 控制部分，其使滚动功能开始从跳转目的地事件数据或其附近滚动。

3. 发明专利

JP2014075372A Electrostatic attraction device 审中-公开
标题翻译：静电吸引装置
公开(公告)号：JP2014075372A
公开(公告)日：2014-04-24
申请号：JP2010289263
申请日：2010-12-27
申请人： Canon Anelva Corp , キヤノンアネルバ株式会社
发明人： MORIMOTO EITARO
IPC分类号： H01L21/683 , B23Q3/15 , H02N13/00
CPC分类号： H01L21/6833 , H01L21/6875
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electrostatic attraction device having an electrostatic chuck that has a sufficient electrostatic attraction force even in the case that a substrate is a glass substrate made of an insulation material and the like, and that can quickly remove the substrate from the electrostatic chuck, by a simple structure.SOLUTION: An electrostatic attraction device comprises: a dielectric body plate on whose surface a plurality of convex parts supporting a substrate on top faces, and a recessed part around the convex parts are formed; an electrode provided inside the dielectric body plate; and a first external power supply applying a substrate attraction voltage to the electrode. A conductor coat is provided at least on the top faces of the convex parts. The first external power supply has a substrate attachment/detachment voltage power supply that can apply a reverse voltage to the substrate attraction voltage applied to the electrode at attachment/detachment of the substrate. The conductor coat is connected with a second external power supply having a substrate attachment/detachment voltage power supply that can apply a reverse voltage to the substrate attraction voltage applied to the electrode at attachment/detachment of the substrate.
摘要翻译：要解决的问题：即使在基板是由绝缘材料等制成的玻璃基板的情况下，也可以提供具有静电吸盘的静电吸盘的静电吸引装置，并且能够快速地将基板从该静电吸引装置包括：电介质体板，其表面上具有支撑顶面的基板的多个凸部和围绕凸部的凹部; 设置在电介质体板内的电极; 以及向所述电极施加衬底吸引电压的第一外部电源。导体涂层至少设置在凸部的顶面上。第一外部电源具有基板安装/拆卸电压电源，其可以在基板的附着/分离时向施加到电极的基板吸引电压施加反向电压。导体涂层与具有基板安装/拆卸电压电源的第二外部电源连接，该基板安装/拆卸电压电源可以在基板的附着/分离时向施加到电极的基板吸引电压施加反向电压。

4. 发明专利

JP2014003313A Manufacturing process of tunnel magnetoresistive element 有权
标题翻译：隧道磁阻元件的制造工艺
公开(公告)号：JP2014003313A
公开(公告)日：2014-01-09
申请号：JP2013163153
申请日：2013-08-06
申请人： Canon Anelva Corp , キヤノンアネルバ株式会社
发明人： TSUNEKAWA KOJI , NAGAMINE YOSHINORI , NISHIMURA KAZUMASA , ERNULT FRANCK
IPC分类号： H01L43/12 , G11B5/39 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/10
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing process of a tunnel magnetoresistive element and a manufacturing apparatus which have comparatively small number of steps and excellent characteristics in RA uniformity, and have a high MR ratio acquired in low RA.SOLUTION: An embodiment of the present invention is a manufacturing process of a tunnel magnetoresistive element which has a first ferromagnetic layer, a tunnel barrier layer, and a second ferromagnetic layer, and the process manufacturing the tunnel barrier layer is a process in which a metal target is sputtered by applying an electric power to the metal target and forming plasma, and a first metal layer is film-formed on the first ferromagnetic layer. The manufacturing process has: a process of forming the first metal layer with oxygen doped by that oxygen gas is not introduced in only either one stage and the oxygen gas is introduced in only the other stage among an initial stage and a later stage of film forming; a process in which a metal oxide layer is formed by oxidation-treating the first metal layer with oxygen doped; and a process in which a second metal layer is film-formed on the metal oxide layer.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种隧道磁阻元件的制造工艺和具有相对较少数量的步骤和优异的RA均匀性特性的制造装置，并且在低RA下获得高MR比。解决方案：本发明是具有第一铁磁层，隧道势垒层和第二铁磁层的隧道磁阻元件的制造工艺，制造隧道势垒层的工艺是通过施加金属靶溅射金属靶的过程对金属靶的电力并形成等离子体，第一金属层被膜形成在第一铁磁层上。该制造方法具有：仅在一个阶段中仅引入氧气掺杂的氧的第一金属层的形成过程，并且在初始阶段和后期的成膜阶段仅将氧气引入到另一个阶段 ; 通过用氧掺杂氧化处理第一金属层来形成金属氧化物层的工艺; 以及在金属氧化物层上成膜形成第二金属层的工序。

5. 发明专利

JP2013139642A Plasma treatment apparatus applied for sputtering film forming 审中-公开
标题翻译：适用于溅射膜成型的等离子体处理设备
公开(公告)号：JP2013139642A
公开(公告)日：2013-07-18
申请号：JP2013076904
申请日：2013-04-02
申请人： Canon Anelva Corp , キヤノンアネルバ株式会社
发明人： SNIL WIKURAMANAYAKA , WATANABE EISAKU , NAGAHAMA HANAKO , SATO MAKOTO , MIZUNO SHIGERU
IPC分类号： C23C14/35 , H05H1/46
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a capacitive coupling type plasma treatment apparatus for a sputtering film forming, which forms an ion flux with a uniform high concentration on a surface of a substrate without causing redeposition to a target.SOLUTION: A plasma treatment apparatus, in which a magnet is attached to a metal sheet, includes: an upper electrode 1 provided with a capacitive coupling type mechanism; a target member 2 which is fixed to the upper electrode and made from a nonmagnetic substance, a plurality of magnets 6 which are arranged on the upper surface of the target member, have equal distance between the two of the magnets, and also have alternately changing magnetic pole polarities; a lower electrode 3 arranged in parallel with the upper electrode; a wafer 17 mounted on the lower electrode; a high frequency power source 16 which is operated at a frequency in the range of 10 to 300 MHz and connected with the upper electrode via a matching circuit 15, and a rolling mechanism which rotates a plurality of magnets around a central axis of the upper electrode.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于溅射成膜的电容耦合型等离子体处理装置，其在基板表面上形成均匀高浓度的离子通量，而不会再沉积到靶材上。解决方案：一种等离子体处理装置，其中磁体连接到金属片，包括：具有电容耦合型机构的上电极1; 固定到上电极并由非磁性物质制成的目标构件2，布置在目标构件的上表面上的多个磁体6在两个磁体之间具有相等的距离，并且还具有交替变化的磁极极性; 与上电极平行设置的下电极3; 安装在下电极上的晶片17; 通过匹配电路15与频率范围为10〜300MHz并与上部电极连接的高频电源16以及绕上述上部电极的中心轴旋转多个磁体的滚动机构。

6. 发明专利

JP2013098188A Vacuum processing apparatus 审中-公开
标题翻译：真空加工设备
公开(公告)号：JP2013098188A
公开(公告)日：2013-05-20
申请号：JP2011236596
申请日：2011-10-28
申请人： Canon Anelva Corp , キヤノンアネルバ株式会社
发明人： KAJIWARA YUJI , HIRAYANAGI HIROHISA , ATSUMI MASAHIRO , YOSHIBAYASHI KAZUTOSHI , HIRAMATSU SHOGO , YAMANAKA KAZUTO , SAHASE HAJIME , UEDA TAKASHI , SATO KENJI
IPC分类号： H01L21/677 , C23C16/44
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a vacuum processing apparatus capable of improving deposition process productivity and contributing to reduce carrier management cost such as reducing the number of carrier cleaning.SOLUTION: The vacuum processing apparatus comprises: a carrier 7 which is conveyed between a load lock chamber LL and a process chamber PC; and a hook 19 which receives a substrate 5 from the carrier 7 conveyed into the process chamber PC. A vacuum processing for the substrate 5 is carried out after the carrier 7 is retracted in the load lock chamber.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够提高沉积工艺生产率并有助于降低载体管理成本的真空处理装置，例如减少载体清洁的数量。解决方案：真空处理设备包括：载体7，其在负载锁定室LL和处理室PC之间传送; 以及从运送到处理室PC中的托架7接收基板5的钩19。在载体7在装载锁定室中缩回之后，进行基板5的真空处理。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JP2012149338A Magnet unit and magnetron sputtering apparatus 有权
标题翻译： MAGNET UNIT和MAGNETRON SPUTTERING APPARATUS
公开(公告)号：JP2012149338A
公开(公告)日：2012-08-09
申请号：JP2011205736
申请日：2011-09-21
申请人： Canon Anelva Corp , キヤノンアネルバ株式会社
发明人： ENDO TETSUYA , ABARA EINSTEIN NOEL
IPC分类号： C23C14/35 , H01L21/285
CPC分类号： H01J37/3452 , H01F7/0278 , H01J37/3405 , H01J37/345 , H01J37/347
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a magnet unit which can generate a wavy magnetic track on a target, with sufficient magnetic field intensity.SOLUTION: The magnet unit comprises: a first magnet element equipped with a first magnet provided to stand upright on a yoke plate, a second magnet provided to stand upright on the yoke plate and having a magnetic pole repulsing the first magnet and a third magnet provided with a tilt between the first magnet and the second magnet; and a second magnet element equipped with a fourth magnet provided to stand upright on the yoke plate, a fifth magnet provided to stand upright on the yoke plate and having a magnetic pole repulsing the fourth magnet, and a sixth magnet provided with a tilt between the fourth magnet and the fifth magnet. The first magnet element and the second magnet element are alternately arranged in an endless shape.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够在靶上产生具有足够的磁场强度的波状磁道的磁体单元。解决方案：磁体单元包括：第一磁体元件，其配备有设置成直立在磁轭板上的第一磁体;第二磁体，设置成直立在磁轭板上并具有使第一磁体和第一磁体排斥的磁极; 在所述第一磁体和所述第二磁体之间设置有倾斜的第三磁体; 以及配备有第四磁体的第二磁体元件，其设置成直立在所述磁轭板上;第五磁体，被设置成直立在所述磁轭板上，并具有使所述第四磁体排斥的磁极;以及第六磁体，第四磁体和第五磁体。第一磁体元件和第二磁体元件交替排列成环形。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP2012140672A Sputtering apparatus 审中-公开
标题翻译：溅射装置
公开(公告)号：JP2012140672A
公开(公告)日：2012-07-26
申请号：JP2010293523
申请日：2010-12-28
申请人： Canon Anelva Corp , キヤノンアネルバ株式会社
发明人： ENDO TETSUYA , OKADA ERIKO , MATSUO RYOSUKE , FUJIMOTO TAKESHI , YAMANAKA MASAHIRO , IIZUKA KENTARO
IPC分类号： C23C14/34 , G11B5/39
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sputtering apparatus superior in cooling performance.SOLUTION: The sputtering apparatus includes: a target electrode; a substrate holding stage 107 including a recessed part for forming a space between a placing part for placing a substrate W and the substrate placed on the placing part; a supply source for supplying a coolant gas into the recessed part; a holding member for exerting a pressing force therebetween with the substrate holding stage to fix the substrate onto the substrate holding stage; a freezing machine 108 connected to the substrate holding stage; and a rotary drive device for rotating the substrate holding stage together with the freezing machine.
摘要翻译：要解决的问题：提供优异的冷却性能的溅射装置。解决方案：溅射装置包括：目标电极; 衬底保持台107，包括用于在放置衬底W的放置部件和放置在放置部件上的衬底之间形成空间的凹部; 用于将冷却剂气体供应到所述凹部中的供应源; 用于在其间施加压力的保持构件，其具有衬底保持台以将衬底固定到衬底保持台上; 连接到基板保持台的冷冻机108; 以及用于与冷冻机一起旋转基板保持台的旋转驱动装置。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP2012138411A Plasma processing apparatus 有权
标题翻译：等离子体加工设备
公开(公告)号：JP2012138411A
公开(公告)日：2012-07-19
申请号：JP2010288341
申请日：2010-12-24
申请人： Canon Anelva Corp , キヤノンアネルバ株式会社
发明人： IORI KAZUYUKI , NAKAGAWA KOJIN
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plasma processing apparatus equipped with an adhesion-preventing shield which is capable of plasma ignition without installing separate plasma ignition means, which inhibits a high-frequency antenna from capacitively coupling with plasma, and which suppresses the deterioration of RF power transmission efficiency to a discharge space caused when a dielectric wall is covered with a conductive etching product.SOLUTION: The plasma processing apparatus includes: at least double adhesion-preventing shields arranged inside the dielectric wall of a plasma generating chamber. The adhesion-preventing shields includes a dielectric-made adhesion-preventing shield which is provided on a vacuum side close to the dielectric wall of a vacuum vessel and formed so as to cover the dielectric wall, and a metallic adhesion-preventing shield which acts as a shield electrode to be provided inside the adhesion-preventing shield and has a slit shape in order to prevent the RF power transmission from being lowered by cutting connection of films formed by the etching product.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种配备有能够等离子体点火的等离子体防护罩的等离子体处理装置，而不需要安装分开的等离子体点火装置，这种等离子体点火装置抑制高频天线与等离子体的电容耦合，并且抑制当电介质壁被导电蚀刻产物覆盖时，RF功率传输效率降低到放电空间。解决方案：等离子体处理装置包括：布置在等离子体产生室的电介质壁内部的至少两个防粘附防护屏障。防粘附防护罩包括电绝缘防粘屏蔽层，其设在靠近真空容器电介质壁的真空侧并形成以覆盖电介质壁;以及金属防粘保护层，其作为屏蔽电极设置在防粘附屏蔽内部并且具有狭缝形状，以便通过切割由蚀刻产物形成的膜的连接来防止RF功率传输降低。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

10. 发明专利

JP2012131585A Transport mechanism, and vacuum processing device including the same 有权
标题翻译：运输机构和包括其的真空加工装置
公开(公告)号：JP2012131585A
公开(公告)日：2012-07-12
申请号：JP2010282985
申请日：2010-12-20
申请人： Canon Anelva Corp , キヤノンアネルバ株式会社
发明人： UENO HIDEKI
IPC分类号： B65G49/00 , B65G25/04 , B65G35/00 , H01L21/677
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a transport mechanism allowing transport without giving vibration or impact to a tray caused by a synchronization shift between a pinion gear and a rack gear, in an inline type vacuum processing device by vertical transport using a rack-and-pinion technique, and to provide a vacuum processing device including the same.SOLUTION: In a rack-and-pinion mechanism, at least two of a plurality of pinion gears rotate and sequentially mesh with a rack gear, the rack gear is transferred from the pinion gear arranged in a processing chamber of the current process to the pinion gear arranged in a processing chamber of the next process to transport a tray. This vacuum processing device includes the same. The rack-and-pinion mechanism includes a vertical drive part for vertically moving the respective pinion gears independently of one another.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种运输机构，其可以在通过小齿轮和齿条之间的同步移动而引起托盘振动或冲击的情况下进行运输，在直列式真空处理装置中，通过使用机架的垂直运输并提供包括该真空处理装置的真空处理装置。解决方案：在齿条齿轮机构中，多个小齿轮中的至少两个小齿轮旋转并顺序地与齿条啮合，齿条从布置在当前过程的处理室中的小齿轮传送布置在下一个处理的处理室中的小齿轮传送托盘。该真空处理装置包括该真空处理装置。齿条齿轮机构包括用于彼此独立地垂直移动各个小齿轮的垂直驱动部。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式