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72. 发明专利

JP4761011B2 Semiconductor device and a method of manufacturing the same with a thyristor 有权
公开(公告)号：JP4761011B2
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：JP34774199
申请日：1999-12-07
申请人：株式会社豊田中央研究所
发明人：年生村田 , 佐智子河路 , 雅康石子
IPC分类号： H01L29/749 , H01L21/332 , H01L29/74 , H01L29/78

73. 发明专利

JP4685206B2 A method of manufacturing a semiconductor device 有权
公开(公告)号：JP4685206B2
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：JP36659699
申请日：1999-12-24
申请人：アーベーベーテクノロジーアクチェンゲゼルシャフト
发明人：リンデルステファン
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/744 , H01L21/328 , H01L21/331 , H01L21/332 , H01L29/36 , H01L29/739 , H01L29/74 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66333 , H01L29/66363

75. 发明专利

JP2004214397A Composite type semiconductor device and method for manufacturing the same 有权
标题翻译：复合型半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2004214397A
公开(公告)日：2004-07-29
申请号：JP2002381887
申请日：2002-12-27
申请人： Sanken Electric Co Ltd , サンケン電気株式会社
发明人： KOSUGI KIMIAKI , TAKAHASHI TETSUYA
IPC分类号： H01L29/74 , H01L21/332 , H01L29/866
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a composite type semiconductor element where voltage to be turned on is easily set to a desired value.
SOLUTION: The composite type semiconductor element is provided with a thyristor consisting of an n1 area 11, a p1 area 12, an n2 area 13 and a p2 area 14, a first diode consisting of a first p-type semiconductor area 15 and a first n-type semiconductor area 16 and connected to the p1 area, and a second diode consisting of a second p-type semiconductor area 17 and a second n-type semiconductor area 18 and connected to the n1 area. The first and second diodes are connected in series so that the flowing direction of currents flowing through each by breakdown. By properly increasing the number of diodes to be connected, it is possible to make the thyristor turn on a desired high voltage.
COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：提供一种复合型半导体元件，其中要接通的电压容易设定为期望值。解决方案：复合型半导体元件设置有由n1区域11，p1区域12，n2区域13和p2区域14组成的晶闸管，由第一p型半导体区域15 以及与p1区域连接的第一n型半导体区域16，以及与n1区域连接的由第二p型半导体区域17和第二n型半导体区域18构成的第二二极管。第一和第二二极管串联连接，使电流的流动方向通过击穿而流过。通过适当地增加要连接的二极管的数量，可以使晶闸管导通期望的高电压。版权所有（C）2004，JPO＆NCIPI

76. 发明专利

JP3416617B2 失效
公开(公告)号：JP3416617B2
公开(公告)日：2003-06-16
申请号：JP2000153208
申请日：2000-05-24
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/265 , H01L21/332 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L29/10 , H01L29/41 , H01L29/417 , H01L29/739 , H01L29/744 , H01L29/749 , H01L29/78

77. 发明专利

JP3398077B2 失效
公开(公告)号：JP3398077B2
公开(公告)日：2003-04-21
申请号：JP36583998
申请日：1998-12-24
IPC分类号： H01L29/74 , H01L21/332 , H01L29/78

78. 发明专利

JP2003509848A Thyristor and a method of manufacturing the same 审中-公开
公开(公告)号：JP2003509848A
公开(公告)日：2003-03-11
申请号：JP2001522598
申请日：2000-08-02
申请人：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
发明人：ピーター、ダブリュ、グリーン
IPC分类号： H01L21/332 , H01L21/225 , H01L29/06 , H01L29/74 , H01L29/747
CPC分类号： H01L29/0619 , H01L29/74 , H01L29/747
摘要： (57)【要約】サイリスタおよびその製法本発明によるサイリスタの順および逆電圧阻止能力は実質的に能動サイリスタ・エリア（Ａａ）とは無関係であり、従ってその設計と製造が容易になる。これは、順ベース領域（２）の深い低ドーピングされた内側周辺区域（４２）と、同一導電型のドーピング輪郭および深さ（Ａｄｘｊ＝Ａｘｊ）ｍｐの深い外側周辺区域（４３）との同心構造によって達成される。外側周辺区域（４３）は、正面（１１）において順阻止ｐ−ｎ接合（３２）の回りに横方向距離（Ｄ３）に逆阻止ｐ−ｎ接合（３４）を配置する。外側周辺区域（４３）は深さにおいて下層領域（４）の下方周辺区域（４４）まで延在し、この下方周辺区域（４４）は逆導電型の高抵抗ベース領域（３）と逆阻止接合を成す。これらのすべての周辺区域（４２−４４）が一緒にサイリスタに対して、能動サイリスタ・エリア（Ａａ）を包囲する深い周辺端末を与える。このように包囲された順ベース領域（２）よりも内側および外側周辺区域（４２，４３）をはるかに深くすることによって、順ベース領域（２）のドーピングおよび能動サイリスタ・エリア（Ａａ）中のＮ−Ｐ−Ｎ−ＰまたはＮ−Ｐ−Ｎ−Ｐ−Ｎ領域構造のレイアウト・ジオメトリとは実質的に無関係に、サイリスタの順および逆電圧阻止能力が決定される。ドーピングおよびレイアウト・ジオメトリは、すべての同一の周辺端末の中において種々のトランジスタ利得および種々のサイリスタ切り替え特性を与えるように選定することができる。低ドーピングされた周辺区域（４２）中の電流導通は先行技術の平面サイリスタの高ドーピングされた高導通性のベース周辺区域におけるよりも低く、また能動サイリスタ・エリア（Ａａ）からピンチオフする事もできるので、能動サイリスタ・エリア（Ａａ）中のエミッタ−ベース短絡通路（１ａ）のレイアウト設計が容易になる。

79. 发明专利

JP3317285B2 失效
公开(公告)号：JP3317285B2
公开(公告)日：2002-08-26
申请号：JP25582999
申请日：1999-09-09
IPC分类号： H01L21/332 , H01L21/822 , H01L21/8238 , H01L27/02 , H01L27/04 , H01L27/092 , H01L29/74

80. 发明专利

JP2002043561A REVERSE CONDUCTING THYRISTOR 失效
公开(公告)号：JP2002043561A
公开(公告)日：2002-02-08
申请号：JP2000226985
申请日：2000-07-27
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： HIRANO NORITOSHI , YAMAGUCHI YOSHIHIRO , SATO KATSUMI
IPC分类号： H01L29/744 , H01L21/332 , H01L21/822 , H01L27/06 , H01L29/74 , H01L21/06
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a reverse conducting thyristor which has, with a diode anti-parallel jointed to a GTO thyristor, no variation in insulating characteristics, with a small area at a separation part. SOLUTION: A separation region between the diode and the GTO thyristor comprises a semiconductor substrate of a first conductive type, a thin-layer region of a second conductive type formed on its main surface, and a guard ring region of a second conductive type.

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