基本信息:
- 专利标题： Semiconductor device having a lateral resistance
- 申请号：JP27984797 申请日：1997-09-26
- 公开(公告)号：JP3670122B2 公开(公告)日：2005-07-13
- 发明人： シユルツエ ハンス‐ヨアヒム
- 申请人： オイペック、オイロペイツシエ、ゲゼルシヤフト、フユア、ライスツングスハルプライター、ミツト、ベシユレンクテル、ハフツング、ウント、コンパニ、コマンデイート、ゲゼルシヤフトEupec Europaeische Gesellschaft Fuer Leistungshalbleiter Mit Beschrankter Haftung + Company・Kommaditgesellschaft
- 专利权人： オイペック、オイロペイツシエ、ゲゼルシヤフト、フユア、ライスツングスハルプライター、ミツト、ベシユレンクテル、ハフツング、ウント、コンパニ、コマンデイート、ゲゼルシヤフトEupec Europaeische Gesellschaft Fuer Leistungshalbleiter Mit Beschrankter Haftung + Company・Kommaditgesellschaft
- 当前专利权人： オイペック、オイロペイツシエ、ゲゼルシヤフト、フユア、ライスツングスハルプライター、ミツト、ベシユレンクテル、ハフツング、ウント、コンパニ、コマンデイート、ゲゼルシヤフトＥｕｐｅｃ Ｅｕｒｏｐａｅｉｓｃｈｅ Ｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ Ｆｕｅｒ Ｌｅｉｓｔｕｎｇｓｈａｌｂｌｅｉｔｅｒ Ｍｉｔ Ｂｅｓｃｈｒａｎｋｔｅｒ Ｈａｆｔｕｎｇ ＋ Ｃｏｍｐａｎｙ・Ｋｏｍｍａｄｉｔｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ
- 优先权： DE19640311 1996-09-30
- 主分类号： H01L21/322
- IPC分类号： H01L21/322 ; H01L21/332 ; H01L29/74 ; H01L29/8605
公开/授权文献:
- JPH10112539A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING LATERAL RESISTANCE 公开/授权日：1998-04-28
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/322 | .....改善其内部性能的，例如产生内部缺陷 |