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1. 发明专利

JP6822088B2 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6822088B2
公开(公告)日：2021-01-27
申请号：JP2016222773
申请日：2016-11-15
申请人：富士電機株式会社
发明人：辻崇
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/12 , H01L21/332 , H01L21/265 , H01L29/78

2. 发明专利

JP2019145666A 半導体装置、光プリントヘッド、画像形成装置、及び半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019145666A
公开(公告)日：2019-08-29
申请号：JP2018028381
申请日：2018-02-21
申请人：株式会社沖データ
发明人：石川琢磨
IPC分类号： H01L29/74 , H01L21/332 , B41J2/447 , B41J2/45 , H04N1/036 , H01L33/02
摘要：【課題】実装面積の増加を抑制しつつ、所望の特性を持つ第1の半導体装置及び所望の特性を持つ第2の半導体素子を備えた半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置1は、第1の半導体素子10と第2の半導体素子20と、第1の半導体素子10と第2の半導体素子20との間に配置される中間層30と、基材40とを有し、第1の半導体素子10は、第1の導電型の第1の半導体層11と、第2の導電型の第2の半導体層12と、第1の導電型の第3の半導体層13と、第2の導電型の第4の半導体層14とを有し、第2の半導体素子20は、第1の導電型の第5の半導体層21と、第2の導電型の第6の半導体層22と、第1の導電型の第7の半導体層23と、第2の導電型の第8の半導体層24とを有する。【選択図】図2

3. 发明专利

JP2018530916A フラットゲート転流型サイリスタ审中-公开
公开(公告)号：JP2018530916A
公开(公告)日：2018-10-18
申请号：JP2018512953
申请日：2016-09-09
申请人：アーベーベー・シュバイツ・アーゲー
发明人：アーノルド,マーティン , ベムラパティ,ウママヘスワラ
IPC分类号： H01L21/332 , H01L29/74 , H01L29/744
CPC分类号： H01L29/1066 , H01L29/0692 , H01L29/0696 , H01L29/0839 , H01L29/102 , H01L29/36 , H01L29/41716 , H01L29/66363 , H01L29/66393 , H01L29/744 , H01L29/745
摘要：本発明は、複数のサイリスタセル(52)を含むターンオフパワー半導体デバイスに関し、各サイリスタセル(52)は、カソード領域(54a,54b)と、ベース層(55)と、ドリフト層(56)と、アノード層(58)と、ベース層(55)と接するようにカソード領域(54a,54b)の側方に配置されたゲート電極(510)と、カソード電極(53a,53b)と、アノード電極(59)とを含む。複数のサイリスタセル(52)の、カソード領域(54a,54b)とカソード電極(53a,53b)との間の界面およびベース層(55)とゲート電極(510)との間の界面は、平坦でありかつ同一面にある。加えて、ベース層(55)に含まれるゲートウェル領域(522)は、ゲート電極(510)との接触から、カソード領域(54a,54b)の深さ(d C )の少なくとも2分の1の深さ(d W )まで延びている。任意の深さにおいて、この深さにおけるゲートウェル領域(522)の最小ドープ濃度は、カソード領域(54a,54b)とゲートウェル領域(522)との間のベース層(55)の、この深さおよび側方位置におけるドープ濃度よりも50%高く、上記側方位置は、第1主面(530)に平行な面に直交射影したときのカソード領域(54a、54b)からの距離が2μmの位置である。ベース層(55)は第2導電型の補償領域(524)を含み、この補償領域は、第1主面(530)と直に隣接しカソード領域(54a,54b,54c)とゲートウェル領域(522)との間に位置するように配置されている。補償領域における正味ドープ濃度に対する第1導電型不純物の密度は少なくとも0.4である。

4. 发明专利

JP2012230964A Bipolar semiconductor element and manufacturing method thereof 审中-公开
标题翻译：双极半导体元件及其制造方法
公开(公告)号：JP2012230964A
公开(公告)日：2012-11-22
申请号：JP2011097111
申请日：2011-04-25
申请人： Kansai Electric Power Co Inc:The , 関西電力株式会社
发明人： NISHIMURA MASAHIKO , NAKAYAMA KOJI , MITSUYANAGI YOICHI , ASANO KATSUNORI
IPC分类号： H01L29/868 , H01L21/331 , H01L21/332 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/732 , H01L29/739 , H01L29/744 , H01L29/78 , H01L29/861
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an SiC bipolar semiconductor element which has excellent crystal quality consisting of a p-type SiC substrate.SOLUTION: According to a diode element 1 presented here, a p-type SiC anode layer 12, a p-type SiC drift layer 13 and an n+ type SiC cathode layer 14 are formed on an n-type SiC substrate 21 by epitaxial growth and then the n-type SiC substrate 21 is removed. This means that, since a p+ type 4H-SiC anode layer 12 likened to a p-type substrate is fabricated by epitaxial growth, its crystal growth speed is slower than for a p-type substrate fabricated by bulk growth, so that excellent crystal quality is obtained even when the concentration of aluminum which is a p-type dopant is increased. Therefore, this p+ type 4H-SiC anode layer 12 with excellent crystal quality can be likened to a substrate, making it possible to realize an SiC diode element with excellent crystal quality consisting of a p-type SiC substrate.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有由p型SiC衬底组成的优异晶体质量的SiC双极半导体元件。解决方案：根据这里所示的二极管元件1，通过在n型SiC衬底21上形成p型SiC阳极层12，p型SiC漂移层13和n +型SiC阴极层14 外延生长，然后去除n型SiC衬底21。这意味着由于通过外延生长制造与p型衬底相似的p +型4H-SiC阳极层12，其晶体生长速度比通过本体生长制造的p型衬底慢，因此优异的晶体质量即使当p型掺杂剂的铝的浓度增加时也是这样。因此，具有优异的晶体质量的p +型4H-SiC阳极层12可以与基板相同，可以实现由p型SiC基板构成的具有优异的晶体质量的SiC二极管元件。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

5. 发明专利

JP4423855B2 Complex type semiconductor device and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP4423855B2
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：JP2002381887
申请日：2002-12-27
申请人：サンケン電気株式会社
发明人：公昭小杉 , 哲也高橋
IPC分类号： H01L29/74 , H01L21/332 , H01L29/866

6. 发明专利

JP4364945B2 Method of manufacturing a bipolar semiconductor element 失效
公开(公告)号：JP4364945B2
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：JP51824398
申请日：1997-09-25
申请人：クリー、インコーポレイテッド
发明人：ヘルマンソン，ヴィリイ
IPC分类号： H01L29/73 , H01L29/861 , H01L21/20 , H01L21/322 , H01L21/331 , H01L21/332 , H01L29/165 , H01L29/24 , H01L29/744

7. 发明专利

JP2008066354A Semiconductor device and manufacturing method thereof 审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2008066354A
公开(公告)日：2008-03-21
申请号：JP2006239729
申请日：2006-09-05
申请人： Sony Corp , ソニー株式会社
发明人： NAKAMURA MOTOAKI , YAMAMURA YASUHIRO
IPC分类号： H01L29/749 , H01L21/28 , H01L21/332
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce a cell area and prevent short-circuiting among areas forming a thyristor by a salicide process.
SOLUTION: The semiconductor device 1 is provided with a thyristor 20 wherein a first conductive first area 21, a second conductive second area 22, a first conductive third area 23, and a second conductive fourth area 24 are bonded in sequence and the third area 23 is formed in a semiconductor area (semiconductor substrate 11), and a gate (gate electrode 32) formed on the third area 23. The second area 22 is formed in an opening 47 that is formed on the third area 23 and reaches the third area 23 of an insulation film 40, and the first area 21 is formed over the second area 22 inside the opening 47 to a part of the insulation film 40. Metal silicide films 25, 26 and 27 are formed on the first area 21, the gate electrode 32 and the fourth area 24, respectively.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：通过自对准硅化物工艺在减少电池面积并防止形成晶闸管的区域之间发生短路。解决方案：半导体器件1设置有晶闸管20，其中依次键合第一导电第一区域21，第二导电第二区域22，第一导电第三区域23和第二导电第四区域24，第三区域23形成在半导体区域（半导体基板11）中，以及形成在第三区域23上的栅极（栅电极32）。第二区域22形成在形成在第三区域23上并到达的开口47中绝缘膜40的第三区域23和第一区域21形成在开口47的内部的第二区域22的一部分的绝缘膜40上。金属硅化物膜25,26和27形成在第一区域21上，栅电极32和第四区域24。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP4048577B2 Triac network having a gate relative to the common surface opposite electrode 失效
公开(公告)号：JP4048577B2
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：JP18458497
申请日：1997-06-26
申请人：エステーミクロエレクトロニクスソシエテアノニム
发明人：ペザーニロベール
IPC分类号： H01L21/332 , H01L29/74 , H01L29/747 , H03K17/72
CPC分类号： H01L29/7404 , H01L29/747

9. 发明专利

JP2007534173A Semiconductor structure (adjustable semiconductor devices) 有权
公开(公告)号：JP2007534173A
公开(公告)日：2007-11-22
申请号：JP2007509436
申请日：2004-04-22
申请人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Maschines Corporation
发明人：シェリダン、デーヴィッド、シー , ストリッカー、アンドレアス、ディー , セイント、オン、スティーブン、エー , フリーマン、グレゴリー、ジー , ボルドマン、スティーブン、エイチ , リー、ジョーサン
IPC分类号： H01L29/861 , H01L21/331 , H01L21/332 , H01L29/00 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/47 , H01L29/737 , H01L29/74 , H01L29/872 , H01L29/93
CPC分类号： H01L29/66363 , H01L29/0821 , H01L29/0834 , H01L29/66242 , H01L29/7378 , H01L29/74 , H01L29/861 , H01L29/872 , H01L29/93
摘要：【課題】下方に配置された基板とは異なる極性を有する不連続な非平面状サブコレクタを含む半導体構造を形成する方法を提供する。
【解決手段】この構造は、サブコレクタの上方の活性領域（コレクタ）、活性領域の上方のベース、およびベースの上方のエミッタを含む。不連続なサブコレクタの不連続部分間の距離は、半導体構造の動作特性を調整する。調整可能な動作特性は、絶縁破壊電圧、電流利得遮断周波数、電力利得遮断周波数、通過周波数、電流密度、静電容量範囲、ノイズ注入、少数キャリヤ注入、ならびにトリガ電圧および保持電圧を含む。
【選択図】図１

10. 发明专利

JP3998514B2 Thyristor 有权
公开(公告)号：JP3998514B2
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：JP2002159255
申请日：2002-05-31
申请人：新電元工業株式会社
发明人：昌明冨田 , 長谷川新次 , 一典高橋
IPC分类号： H01L21/332 , H01L29/861 , H01L29/74

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