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51. 发明专利

JP2008530359A Method for treating the surface of the hollow part, a tank for performing this type of process, and equipment for treating the surface comprising such a tank continuously 有权
公开(公告)号：JP2008530359A
公开(公告)日：2008-08-07
申请号：JP2007554590
申请日：2006-01-26
申请人：ゴールデンイーグルトレーディングリミティド
发明人：バシュロン，フレデリック
IPC分类号： C25D11/00 , C25D11/04 , C25D17/00 , C25D17/08 , C25F7/00
CPC分类号： C25D17/02 , C25D7/04 , C25D11/005 , C25D11/02 , C25D21/10
摘要：本発明は、陽極酸化などの変換処理タイプの、中空部品の表面を処理するための方法、及び液体が入っている少なくとも１つの処理タンク内に中空部品を完全に浸漬させるための方法において、タンク内に発生しがちな気泡が中空部品の内壁から取り除かれるように回転運動を少なくとも１回させながら各中空部品を浸漬させることを特徴とする方法に関する。

52. 发明专利

JP3730836B2 Cathode cartridge of electroplating tester 有权
公开(公告)号：JP3730836B2
公开(公告)日：2006-01-05
申请号：JP2000152342
申请日：2000-05-24
申请人：株式会社山本鍍金試験器
发明人：渡山本
IPC分类号： C25D21/12 , C25D7/12 , C25D17/06 , C25D17/08 , C25D17/10 , C25D17/12 , C25D21/10 , H01L21/288
CPC分类号： C25D17/06 , C25D7/123 , C25D17/001 , C25D17/12 , C25D21/10

53. 发明专利

JP2005527705A How to electrolytic coating the continuous casting mold 有权
公开(公告)号：JP2005527705A
公开(公告)日：2005-09-15
申请号：JP2004507003
申请日：2003-05-19
申请人：コンカストアクチェンゲゼルシャフト
发明人：シュティリ，アイドリアン
IPC分类号： B22D11/059 , C25D5/00 , C25D5/18 , C25D7/00 , C25D7/04
CPC分类号： C25D5/18 , B22D11/059 , C25D5/04 , C25D5/08 , C25D7/04 , C25D17/10 , C25D21/00 , C25D21/10
摘要：本発明は、連続鋳造鋳型（２）を電解コーティングする方法に関し、その方法により、
鋳型キャビティ（３）を画定する該連続鋳造鋳型（２）の内面（４）が、意図する鋳型キャビティ寸法を達成又は再達成するためにコーティング材料でコーティングされる。この方法には、カソードとしての連続鋳造鋳型（２）と、鋳型キャビティ（３）に配置されたアノード（７）と、コーティング材料を含有する電解質（２５）とが用いられる。コーティング材料のキャリヤーとして作用する電解質（２５）は、制御された形で連続鋳造鋳型（２）の鋳型キャビティ（３）を通って流れる。電解コーティングの際に、鋳型キャビティの内面のみが電解質と接触するようになるため、連続鋳造鋳型の外面は覆われる必要がない。機械的性質は、領域全体にわたりその大部分を均一に維持することができる。コーティングは、従来法の場合よりも速やかに達成することができる。

54. 发明专利

JP2003532793A Microelectronic workpiece processing tool having a processing reactor having a paddle assembly for agitating the treated fluid in the vicinity of the workpiece 审中-公开
公开(公告)号：JP2003532793A
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：JP2001550785
申请日：2001-01-03
申请人：セミトゥール・インコーポレイテッド
发明人：トーマスエイチオバーリットナー , カイルエムハンソン
IPC分类号： C25D5/00 , C25D7/00 , C25D7/12 , C25D17/00 , C25D21/10 , H01L21/00
CPC分类号： H01L21/67086 , C25D5/08 , C25D7/123 , C25D17/001 , C25D17/007 , C25D21/10 , H01L21/67005 , H01L21/67023 , H01L21/67057 , H01L21/6723
摘要： (57)【要約】パドル組立体を有する少なくとも１つの加工物処理ステーションを備える一体型ツールを開示する。本発明の１態様によれば、加工物処理ステーションは、加工物に対する処理用流体のレベルを調節できる。この場合、処理する加工物部分、パドルが処理用流体内に選択的に浸漬される。別態様によれば、加工物処理ステーション内の加工物近くで使用するためにパドルを設ける。パドルは、１以上のセットの流体給送ポートと、１以上のセットの流体回収ポートとを備える。１実施例では、パドルは、加工物表面近くで処理用流体の攪拌を行える。別実施例では、パドルは、処理する加工物部分に対する１以上の流体の給送及び／又は回収を行える。一態様によれば、パドルによって加工物に供給される流体を、加工物、パドル間の空間に限定することができ、流体と、パドルによって供給を受けないボウル組立体内に位置する処理用流体との混合を避けられる。

55. 发明专利

JPS59190383A Method and device for high speed partial plating 失效
标题翻译：高速部分镀层的方法和装置
公开(公告)号：JPS59190383A
公开(公告)日：1984-10-29
申请号：JP6231883
申请日：1983-04-11
申请人： Nippon Denso Co Ltd
发明人： OGURA TAKESHI , YAMADA NOBUHIKO , OOMI YUUJI
IPC分类号： C25D7/00 , C25D5/02 , C25D5/04 , C25D17/08 , C25D21/10
CPC分类号： C25D5/02 , C25D5/04 , C25D21/10 , Y10S204/07
摘要： PURPOSE: To obtain an always stable non-plated part by a simple method by using such a chucking device to be used exclusively which exposes stably one part of a material to be treated having the part or the like requiring no plating to the outside of an electrolyte in performing the treatment.
CONSTITUTION: A work W is chucked with a chucking jig 9 and is rotated. Negative plating current from the outside is conducted to the work and the grounding electrode part of the material to be treated W where plating is not required or deposition is not desired is stably exposed at all times to the outside of the electrolyte. The electrolyte is discharged under pressure in this state from a circulating tank 2 to a treating station 1 through a circulating pipe 3. The electrolyte is circulated to the station 1 so as to overflow from double or one side overflow gate 5 provided to the station and is returned to the tank 2 while the liquid level over the entire part in the station 1 is maintained stably and constant. A soluble electrode 6 is provided on both sides of the work W or in a cylindrical shape in the station 1 and while the jig 9 is rotated, the work is subjected to plating at a high current density.
COPYRIGHT: (C)1984,JPO&Japio
摘要翻译：目的：为了通过简单的方法获得始终稳定的非电镀部件，通过使用这种专门用于将不需要电镀的部件等待处理的材料的一部分稳定地暴露于外部的夹持装置电解质进行处理。构成：工件W用夹具9夹紧并旋转。对不需要电镀或不需要沉积的待处理材料W的工件和接地电极部分进行负电镀电流，一直稳定地暴露于电解质的外部。电解液在这种状态下从压力下通过循环管3从循环罐2排出到处理站1.电解质循环到工位1，从设置在工位的双层或一侧溢流门5溢出，返回到罐2，同时站1中的整个部分上的液面保持稳定且恒定。在工件W的两侧设置可溶性电极6，在工位1中设置圆筒状，在夹具9旋转的同时，以高电流密度进行电镀。

56. 发明专利

JPS5729599A Composition control of electrodeposited nickel . cobalt 失效
标题翻译：电沉积镍的组成控制。钴
公开(公告)号：JPS5729599A
公开(公告)日：1982-02-17
申请号：JP9162581
申请日：1981-06-16
申请人： Rockwell International Corp
发明人： ROBAATO JIYOSEFU UORUTAA
IPC分类号： C25D21/14 , C25D3/56 , C25D21/10
CPC分类号： C25D3/562 , C25D21/10

57. 发明专利

JP6435546B2 銅−ニッケル合金電気めっき装置审中-公开
公开(公告)号：JP6435546B2
公开(公告)日：2018-12-12
申请号：JP2014212524
申请日：2014-10-17
申请人：ディップソール株式会社
发明人：桜井仁志 , 小野和則 , 橋本章 , 湯浅智志
IPC分类号： C25D17/00 , C25D3/56 , C25D3/58 , C25D21/14
CPC分类号： C25D21/14 , C22C9/06 , C22C19/002 , C22C19/03 , C25D3/562 , C25D3/58 , C25D5/08 , C25D17/00 , C25D17/002 , C25D17/008 , C25D21/06 , C25D21/10 , C25D21/12

58. 发明专利

JP6319297B2 電気ニッケルめっき液中の希土類不純物の除去方法有权
公开(公告)号：JP6319297B2
公开(公告)日：2018-05-09
申请号：JP2015508316
申请日：2014-03-17
申请人：日立金属株式会社
发明人：蒲池政直
IPC分类号： C22B59/00 , C25D21/18
CPC分类号： C25D21/18 , C25D3/12 , C25D21/06 , C25D21/10

59. 发明专利

JP2018003092A めっき被覆ロールの製造方法及びめっき用水素ガス付着抑制機構审中-公开
公开(公告)号：JP2018003092A
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：JP2016131576
申请日：2016-07-01
申请人：テクノロール株式会社 , フソー株式会社
发明人：西脇宏 , 亀川美幸 , 大野すみ子 , 村田敏一 , 吉岡秀浩 , 縄舟秀美 , 金谷幸彦
IPC分类号： C25D21/04 , C25D7/04 , C25D21/10 , C25D5/14 , C25D5/56
CPC分类号： C25D5/14 , C25D5/56 , C25D7/04 , C25D21/04 , C25D21/10
摘要：【課題】ロール母材としてCFRPを使用し、めっき不良が生じることを抑制して高品質なめっき表面が得られるめっき被覆ロールの製造方法を提供する。【解決手段】円筒状の炭素繊維強化プラスチックからなるロール母材2の表面を平滑化する平滑化工程と、前記平滑化工程を経た前記ロール母材2に金属めっきを行う下地めっき工程と、前記下地めっき工程を経た前記ロール母材2に3価クロムめっきを行う表面めっき工程とを有し、前記表面めっき工程は、形成中のめっき表面に生じる水素ガスを除去する水素除去工程を含む、めっき被覆ロールの製造方法である。【選択図】図1

60. 发明专利

JP2017183332A めっき方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017183332A
公开(公告)日：2017-10-05
申请号：JP2016063760
申请日：2016-03-28
申请人：株式会社荏原製作所
发明人：和久田陽平 , 増田泰之 , 下山正
IPC分类号： C25D21/14 , C25D7/00 , C25D21/10 , C25D7/12 , C25D3/38 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/11 , C25D21/10 , C25D3/38 , C25D5/02 , C25D5/54 , C25D7/12 , H01L24/94 , H01L2224/11462 , H01L2224/119 , H01L2224/13147 , H01L24/13
摘要：【課題】所望のドーム高さを実現することができるめっき方法を提供する。【解決手段】めっき方法は、バンプ高さに対するドーム高さの割合と、塩化物イオンの濃度との関係を示す相関データを用意し、バンプ高さに対するドーム高さの所望の割合と、相関データとに基づいて選択された濃度の塩化物イオンを含むめっき液を作成し、選択された濃度は、100mg/dm 3 〜300mg/dm 3 の範囲内であり、基板を前記めっき液中に浸漬させ、めっき液中のアノードと基板との間に電流を流して基板をめっきする。【選択図】図11

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