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1. 发明专利

JP6435546B2 銅−ニッケル合金電気めっき装置审中-公开
公开(公告)号：JP6435546B2
公开(公告)日：2018-12-12
申请号：JP2014212524
申请日：2014-10-17
申请人：ディップソール株式会社
发明人：桜井仁志 , 小野和則 , 橋本章 , 湯浅智志
IPC分类号： C25D17/00 , C25D3/56 , C25D3/58 , C25D21/14
CPC分类号： C25D21/14 , C22C9/06 , C22C19/002 , C22C19/03 , C25D3/562 , C25D3/58 , C25D5/08 , C25D17/00 , C25D17/002 , C25D17/008 , C25D21/06 , C25D21/10 , C25D21/12

2. 发明专利

JP2018129387A めっき装置およびめっき装置とともに使用される基板ホルダ审中-公开
公开(公告)号：JP2018129387A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：JP2017021309
申请日：2017-02-08
申请人：株式会社荏原製作所
发明人：横山俊夫 , 平尾智則 , 田村翔
IPC分类号： H01L21/683 , C25D17/06 , C25D17/08 , C25D17/00 , H01L21/673
CPC分类号： C25D17/004 , C25D5/028 , C25D5/10 , C25D17/001 , C25D17/005 , C25D17/008 , C25D17/06 , H01L21/2885
摘要：【課題】基板の表面と裏面とで個別にめっきプロセスを制御可能なめっき装置およびそのようなめっき装置に利用できる基板ホルダを提供する。【解決手段】めっき処理中にめっき対象物である基板を保持するための基板ホルダが提供され、かかる基板ホルダは、第1開口部および第2開口部を備える、基板を保持するための本体部を有し、本体部は、本体部に基板が保持されたときに、第1開口部により基板の表面の被めっき領域が露出され、第2開口部により基板の裏面の被めっき領域が露出される、ように構成され、本体部の外周部の少なくとも一部に外周部から突出するシール部を有する。【選択図】図3A

3. 发明专利

JP2018095930A 電解めっき装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018095930A
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：JP2016242365
申请日：2016-12-14
申请人：株式会社荏原製作所
发明人：檜垣岳彦 , 藤方淳平
IPC分类号： C25D17/08 , C25D17/06 , C25D21/12 , C25D21/00
CPC分类号： H01L21/2885 , C25D5/08 , C25D17/001 , C25D17/007 , C25D17/008 , C25D21/00 , H01L21/288
摘要：【課題】電源と基板との電気的接続を、物理的接触なく確立することができる電解めっき装置を提供する。【解決手段】電解めっき装置は、めっき液を保持可能なめっき槽1と、めっき槽1内に配置されたアノード5と、基板Wに接触可能な電気接点22を有する基板ホルダ7と、アノード5に接続された電源25と、電源25に接続されたワイヤレス送電器41と、基板ホルダ7に取り付けられ、かつ電気接点22に電気的に接続されたワイヤレス受電器51とを備える。【選択図】図1

4. 发明专利

JP6089125B2 エッジの過メッキを防止するための電気メッキ装置有权
标题翻译：为防止边缘的过度电镀电镀装置
公开(公告)号：JP6089125B2
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：JP2015562897
申请日：2013-12-12
申请人：ポスコ , POSCO
发明人：キム、ヨンハ , チョン、フォンウ , カン、ヨンシク
IPC分类号： C25D7/06 , C25D17/10
CPC分类号： C25D17/008 , C25D17/06 , C25D17/10

5. 发明专利

JP2015145537A めっき装置有权
标题翻译：电镀设备
公开(公告)号：JP2015145537A
公开(公告)日：2015-08-13
申请号：JP2015075016
申请日：2015-04-01
申请人：株式会社荏原製作所
发明人：齋藤信利 , 藤方淳平 , 山本忠明 , 上村健司
IPC分类号： C25D7/12 , C25D17/08 , C25D21/10 , C25D17/10 , C25D21/00
CPC分类号： C25D21/10 , C25D17/007 , C25D17/008 , C25D21/12 , C25D17/001 , H01L2924/0002
摘要：【課題】半導体ウェハ等の被めっき体にめっきを行う場合に、高電流密度の条件であっても平坦な先端形状のバンプを形成したり、良好な面内均一性を有する金属膜を形成したりすることができるようにする。【解決手段】めっき装置は、めっき液Qを保持するめっき槽10と、めっき液Q中に浸漬されるアノード26を保持するアノードホルダ28と、基板Wの表面がめっき液Q中に浸漬され、基板Wの表面がアノード26と対向してめっき槽10内に位置するように基板Wを保持する基板ホルダ24と、アノードホルダ28と基板ホルダ24との間に位置し、電位分布を調整する開口を有する調整板134と、アノード26、基板W、および調整板134の開口のそれぞれの中心軸が一致するように、アノードホルダ28、基板ホルダ24、および調整板134のそれぞれを着脱可能に保持する単一の位置決め保持部とを備える。【選択図】図42
摘要翻译：要解决的问题：即使在高电流密度条件下也形成具有扁平尖端形状的凸块，并且在对要被镀的材料（例如半导体）施加电镀的情况下形成具有良好的面内均匀性的金属膜电镀装置包括：电镀槽10，其保持电镀液Q; 将浸渍在电镀液Q中的阳极26保持的阳极保持体28。基板保持件24，其保持基板W，使得基板W的表面浸入电镀液Q中并且位于镀槽10内部，面向阳极26; 位于阳极保持器28和基板支架24之间并具有调节电位分布的开口的调节板134; 以及分别可拆卸地保持阳极保持器28，基板保持器24和调节板134的单个定位保持部，使得阳极26，基板W和调节板134的开口的中心轴对准与彼此。

6. 发明专利

JP5726921B2 めっき装置有权
公开(公告)号：JP5726921B2
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：JP2013004854
申请日：2013-01-15
申请人：株式会社荏原製作所
发明人：齋藤信利 , 藤方淳平 , 山本忠明 , 上村健司
IPC分类号： C25D21/12 , C25D7/12 , H01L21/288 , H01L21/60 , C25D21/10
CPC分类号： C25D21/10 , C25D17/007 , C25D17/008 , C25D21/12 , C25D17/001 , H01L2924/0002

7. 发明专利

JP5572229B2 Plating apparatus 有权
公开(公告)号：JP5572229B2
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：JP2013004855
申请日：2013-01-15
申请人：株式会社荏原製作所
发明人：信利齋藤 , 淳平藤方 , 忠明山本 , 健司上村
IPC分类号： C25D17/08 , C25D17/00 , C25D21/10 , C25D21/12
CPC分类号： C25D21/10 , C25D17/001 , C25D17/007 , C25D17/008 , C25D21/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

8. 发明专利

JP2007527948A Method and system for processing fine features workpieces using a flow agitator and / or multiple electrodes 审中-公开
公开(公告)号：JP2007527948A
公开(公告)日：2007-10-04
申请号：JP2006515180
申请日：2004-06-03
申请人：セミトゥールインコーポレイテッド
发明人：グレゴリージェイウィルソン , ダニエルジェイウッドラフ , ジェイムズジェイエリクソン , ノーランツィンマーマン , ポールアールマックヒュー
IPC分类号： C25D21/10 , B24B20060101 , B65G49/07 , C12N15/31 , C25D5/00 , C25D7/12 , C25D17/00 , C25D17/10 , C25F3/30 , C25F7/00 , H01L21/00 , H01L21/306
CPC分类号： C25D7/12 , C25D5/08 , C25D17/00 , C25D17/001 , C25D17/007 , C25D17/008 , C25D21/10 , H01L21/6719
摘要：【課題】流れ攪拌器及び／又は複数電極を用いる微小特徴加工物を処理する方法及びシステムを提供する。
【解決手段】位置合せシステムを備えた装着モジュールを有するツール。装着モジュールは、反応装置と加工物を反応装置まで及び反応装置のために移動する加工物搬送装置とを正確に配置するための位置決め要素を含む。反応装置の位置決め要素間の相対位置は、反応装置が取り外されて別の反応装置と交換される時に加工物搬送装置を再較正する必要がないように固定されている。反応装置は、加工物の処理表面での処理流体を攪拌するための攪拌器を含む。攪拌器と、反応装置と、反応装置内の電極とは、攪拌器及び／又は加工物が互いに対して往復する時に加工物の表面で攪拌器によって生じる電気遮断の可能性を軽減し、電界に対する三次元の影響に対処するように構成されている。
【選択図】図１

10. 发明专利

JP2006312775A Plating apparatus, plating method, and method for manufacturing semiconductor device 审中-公开
标题翻译：电镀设备，制造方法和制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2006312775A
公开(公告)日：2006-11-16
申请号：JP2005202283
申请日：2005-07-11
申请人： Sharp Corp , シャープ株式会社
发明人： IWASAKI YOSHIHIDE
IPC分类号： C25D17/00 , C25D5/08 , C25D7/12 , H01L21/60
CPC分类号： C25D17/002 , C25D5/08 , C25D7/123 , C25D17/001 , C25D17/008 , H01L2224/11
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a face-down-type jet plating apparatus which prevents a plating quality from degrading due to a fine solid foreign material originating in a black film or the like, without degrading operability. SOLUTION: The plating apparatus is directed at forming a plated film on a semiconductor wafer 1 in a plating tank 100 provided with an anode 5 therein by passing a plating solution and an electrolytic solution into the plating tank 100, and passing a current between the anode 5 and the semiconductor wafer 1, while bringing the jet of the plating solution spouted from a lower side into contact with the surface (w) to be plated of a semiconductor wafer 1, and simultaneously passing the electrolytic solution into the anode 5. The plating tank 100 has a barrier plate 7 which is placed between the semiconductor wafer 1 and the anode 5, isolates the semiconductor wafer 1 from the anode 5, and partitions the plating tank 100 into a chamber for a substrate to be plated and an anode chamber. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种防止电镀质量由于源自黑色膜等的细小固体异物而劣化的面朝下型喷镀设备，而不会降低可操作性。解决方案：电镀装置通过使电镀液和电解液通过电镀槽100而在其中设置有阳极5的镀槽100中的半导体晶片1上形成镀膜，并且通过电流在阳极5和半导体晶片1之间，同时使从下侧喷射的电镀液体的喷射与要被电镀的半导体晶片1的表面（w）接触，同时使电解液进入阳极5 电镀槽100具有放置在半导体晶片1和阳极5之间的阻挡板7，将半导体晶片1与阳极5隔离，并将镀槽100分隔成待镀基板的室，阳极室。版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

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