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31. 发明专利

JP2011176012A Magnetic sensor, magnetic detector, and magnetic head 有权
标题翻译：磁传感器，磁性探测器和磁头
公开(公告)号：JP2011176012A
公开(公告)日：2011-09-08
申请号：JP2010037362
申请日：2010-02-23
申请人： Tdk Corp , Tdk株式会社
发明人： SASAKI TOMOO , OIKAWA TORU , NOGUCHI KIYOSHI
IPC分类号： H01L29/82 , G01R33/09 , G11B5/39
CPC分类号： G01R33/1284 , B82Y25/00 , G01R33/093
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a magnetic sensor detecting magnetic flux from a fine region and suppressing an increase in element resistance. SOLUTION: The magnetic sensor has: a first ferromagnetic body 12A; a second ferromagnetic body 12B; a channel 7 extending from the first ferromagnetic body 12A to the second ferromagnetic body 12B; a magnetic shield S2 for covering the channel 7; and an insulating film 7b disposed between the channel 7 and the magnetic shield S2. The magnetic shield S2 has a through-hole H extending toward the channel 7. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种从微细区域检测磁通量并抑制元件电阻增加的磁传感器。解决方案：磁传感器具有：第一铁磁体12A; 第二铁磁体12B; 从第一铁磁体12A延伸到第二铁磁体12B的通道7; 用于覆盖通道7的磁屏蔽S2; 以及布置在通道7和磁屏蔽S2之间的绝缘膜7b。磁屏蔽S2具有朝向通道7延伸的通孔H.版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

32. 发明专利

JP2010272199A Three-terminal design for spin accumulation magnetic sensor 审中-公开
标题翻译：用于旋转累积磁传感器的三端设计
公开(公告)号：JP2010272199A
公开(公告)日：2010-12-02
申请号：JP2010111817
申请日：2010-05-14
申请人： Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv , ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ
发明人： BOONE THOMAS DUDLEY JR , GURNEY BRUCE ALVIN , SMITH NEIL
IPC分类号： G11B5/39 , G11B5/31 , H01L29/82
CPC分类号： G11B5/39 , G01R33/098 , G01R33/1284 , G11B5/398 , G11B2005/0005
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a three-terminal design for a spin accumulation magnetic sensor.
SOLUTION: The spin accumulation sensor has a three-terminal design that allows a free layer to be provided on an air bearing surface. A nonmagnetic conductive spin transporting layer spreads from a free layer structure (provided on an ABS) to a reference layer structure distanced from the ABS. The sensor includes a current source or a voltage source for applying current to the reference layer structure. The current source or the voltage source has a lead connected to both the nonmagnetic spin transporting layer and an electrical ground. A circuit for measuring a signal voltage measures a voltage between a shield electrically connected to the free layer structure and the ground. The free layer structure can include a spin diffusion layer that prevents shunt of a spin current to the voltage source by assuring that all spin current is scattered and lost completely before it reaches the lead to the voltage source.
COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为自旋累积磁传感器提供三端设计。解决方案：旋转累积传感器具有允许在空气轴承表面上设置自由层的三端设计。非磁性导电自旋传输层从自由层结构（设置在ABS上）扩展到远离ABS的参考层结构。传感器包括用于向参考层结构施加电流的电流源或电压源。电流源或电压源具有连接到非磁性自旋传输层和电接地的引线。用于测量信号电压的电路测量电连接到自由层结构的屏蔽与地之间的电压。自由层结构可以包括自旋扩散层，其通过确保所有自旋电流在其到达电压源的引线之前被完全散射和完全损坏来防止对电压源的自旋电流的分流。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

33. 发明专利

JP2010020889A Information storage device using magnetic domain wall motion, and operating method thereof 有权
标题翻译：使用磁畴运动的信息存储装置及其操作方法
公开(公告)号：JP2010020889A
公开(公告)日：2010-01-28
申请号：JP2009155858
申请日：2009-06-30
申请人： Samsung Electronics Co Ltd , 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.
发明人： CHO YOUNG-JIN , SHIN HYUNG-SOON , LEE SEUNG-JUN , SEO SUN-AE , LEE SUNG-CHUL , BAE JI-YOUNG
IPC分类号： G11C11/15 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC分类号： G01R33/12 , G01R33/1207 , G01R33/1284 , G01R33/1292 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C19/0808 , G11C19/0841
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an information storage device using magnetic domain wall motion and an operating method thereof. SOLUTION: The information storage device includes: a storage node; a write means for recording information on a first area of the storage node; and a read means for reading information recorded on a second area of the storage node. The information storage device can be equipped with a temporary storage means for temporarily storing the information read by the reading means, and further equipped with a write control means which is connected to the temporary storage means and for controlling the current applied to the write means. The information read in the second area is saved in the temporary storage means and can be recorded in the first area. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种使用磁畴壁运动的信息存储装置及其操作方法。信息存储装置包括：存储节点; 用于在所述存储节点的第一区域上记录信息的写入装置; 以及读取装置，用于读取记录在存储节点的第二区域上的信息。信息存储装置可以配备有用于临时存储由读取装置读取的信息的临时存储装置，并且还配备有写入控制装置，该写入控制装置连接到临时存储装置并用于控制施加到写入装置的电流。在第二区域中读取的信息被保存在临时存储装置中，并且可以被记录在第一区域中。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

34. 发明专利

JP4399211B2 Biosensor 有权
公开(公告)号：JP4399211B2
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：JP2003302881
申请日：2003-08-27
申请人：株式会社ハイニックスセミコンダクターHynix Semiconductor Inc.
发明人：熙福姜 , 仁佑張 , 泳震朴 , 啓南李 , 承錫李 , 宰亨林 , 東允鄭 , 昌錫金
IPC分类号： G01N27/72 , G01R33/09 , C12M1/42 , G01N27/22 , G01N27/327 , G01N27/76 , G01N33/49 , G01N37/00 , G11C5/06 , G11C11/00 , H01L27/22 , H01L43/08
CPC分类号： G01N27/76 , G01N33/49 , G01R33/093 , G01R33/1284 , G11C11/1653 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1693 , H01F10/325

35. 发明专利

JP2004205495A Biosensor and sensing cell array utilizing the same 有权
公开(公告)号：JP2004205495A
公开(公告)日：2004-07-22
申请号：JP2003302881
申请日：2003-08-27
申请人： Hynix Semiconductor Inc , 株式会社ハイニックスセミコンダクター
发明人： KANG HEE BOK , JEONG DONG YUN , LIM JAE HYOUNG , PARK YOUNG JIN , LEE KYE NAM , JANG IN WOO , LEE SEAUNG SUK , SANG-SOK KIM
IPC分类号： G01R33/09 , C12M1/42 , G01N27/22 , G01N27/327 , G01N27/72 , G01N27/76 , G01N33/49 , G01N37/00 , G11C5/06 , G11C11/00 , H01L27/22 , H01L43/08
CPC分类号： G01N27/76 , G01N33/49 , G01R33/093 , G01R33/1284 , G11C11/1653 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1693 , H01F10/325
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To analyze a surrounding substance or the like composed of a plurality of different components, by separating electrical components which follow magnetic susceptibility or dielectric constant. SOLUTION: A magnetization pair sensing sensor having an MTJ (magnetic tunnel junction) or a GMR (giant magnetoresistance) element, magnetoresistive sensor having an MTJ element and magnetic substance, dielectric constant sensing sensor having a sensing capacitor and switching element, magnetization hole sensing sensor having an MTJ element or a GMR element, current line, variable ferromagnetic layer, and switching element, or giant magnetoresistive sensor composed of GMR element, switching element, and magnetic substance is disposed on a biosensor chip with a sensing cell array, having the form of a plurality of rows and columns. The magnetic susceptibility or the dielectric constant which differs according to the components of the surrounding substance exhibiting respective different characteristics, and the magnitudes of the components is sensed so that the components of the surrounding substance to be analyzed are separated into the electrical components. COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI

37. 发明专利

JP5839527B1 超高感度マイクロ磁気センサ有权
标题翻译：超灵敏的微磁传感器
公开(公告)号：JP5839527B1
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：JP2015027092
申请日：2015-02-16
申请人：マグネデザイン株式会社
发明人：本蔵義信
IPC分类号： H01L29/82 , G01R33/02
CPC分类号： G01R33/06 , G01R33/1284 , G01R33/1292
摘要：【課題】ウェアラブルコンピュータ、医療用機器などに応用される高感度マイクロ磁気センサにおいて、高感度、広い測定範囲、マイクロサイズ、低消費電流、高速測定などの面で大幅な改善を図る。【解決手段】基板2上の基板溝28に沿って磁性ワイヤ29を2本設置し、それぞれのワイヤに一対の右巻きコイル21Rと左巻きコイル21Lおよび一対の右巻きコイル22Rと左巻きコイル22Lを設置し、両ワイヤに反対向きにパルス電流を流した時に生じるコイル電圧を検知する。円周方向スピン配列を持つ表面磁区と軸方向にスピン配列を持つ中央部コア磁区の2相の磁区構造を持つ磁性ワイヤに、パルス電流を通電することによって、表面磁区内のワイヤ軸方向の外部磁界Hにより軸方向に傾斜した円周方向スピンを超高速に一斉回転させて、その時に生じる超高速スピン回転現象によるワイヤの軸方向の磁化変化のみをコイル出力として取り出す。【選択図】図5
摘要翻译：一种可佩戴的计算机，在高灵敏度的微磁传感器的应用，例如医疗器械，灵敏度高，测量范围宽，微尺寸，低电流消耗，实现高速测量换算的显著改善。一种磁导线29放置在两个沿基板2上的基板槽28中，安装一对右转线圈21R的和左手线圈21L和一对右转线圈22R和左旋线圈22L的到相应的线并且，检测在施加脉冲电流在两个电线的相反方向上产生的线圈电压。，通过使脉冲电流，导线轴线的表面的磁畴外面具有与所述表面结构域自旋排列和具有周向旋序列沿轴向方向的中央部分核心结构域的两相域结构的磁线在由所述磁场H的轴向方向倾斜的圆周的自旋旋转同时超快，仅提取丝作为通过超快纺丝现象线圈输出此时发生的磁化强度变化的轴向方向。点域5

38. 发明专利

JPWO2013141337A1 高い垂直磁気異方性を示す極薄垂直磁化膜、その製造方法及び用途有权
标题翻译：超薄垂直磁化膜表现出高的垂直磁各向异性，其制备和用途
公开(公告)号：JPWO2013141337A1
公开(公告)日：2015-08-03
申请号：JP2014506289
申请日：2013-03-22
申请人：国立研究開発法人物質・材料研究機構
发明人：将光林 , 将光林 , シンハジャイバルダン , シンハジャイバルダン , 雅也小塚 , 雅也小塚 , 友也中谷 , 友也中谷 , 有紀子高橋 , 有紀子高橋 , 孝夫古林 , 孝夫古林 , 誠司三谷 , 誠司三谷 , 和博宝野 , 和博宝野
IPC分类号： G11B5/64 , G11B5/738 , G11B5/851 , H01F10/16 , H01F10/28 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/10
CPC分类号： G11B5/656 , C23C14/024 , C23C14/0641 , C23C14/081 , C23C14/34 , C23C14/35 , G01R33/00 , G01R33/098 , G01R33/1284 , G11B5/64 , G11B5/732 , G11B5/851 , G11C11/14 , G11C11/161 , H01F10/007 , H01F10/30 , H01F10/3286 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
摘要：磁性層が1.5nm以下の膜厚において、大きな磁気異方性定数と飽和磁化の特性を有する素子構造、その素子構造を用いた磁気デバイスを提供する。シード層にBCC金属の窒化物を用いた、BCC金属窒化物/CoFeB/MgOの膜構成を作製する。BCC金属窒化物の窒素量は、BCC金属100%に対して体積比で60%未満にすることが好ましい。これにより、磁性層厚が0.3nm以上1.5nm以下においても、垂直磁気異方性が0.1x106erg/cm3以上でかつ、飽和磁化が200emu/cm3以上の磁気特性を有する垂直磁化膜を容易に得ることができる。
摘要翻译：在磁性层的厚度小于厚度为1.5纳米，具有大的磁各向异性常数和饱和磁化特性，器件结构提供一种使用该器件结构的磁性装置。使用BCC金属籽晶层的氮化物，以产生BCC金属氮化物/的CoFeB / MgO构成的膜结构。 BCC金属氮化物的氮含量，优选相对于BCC金属100％体积为小于60％。因此，同样在所述磁性层的厚度为0.3nm到1.5nm的或或更小，和垂直磁各向异性0.1x106erg / cm 3以上，则具有垂直200鸸鹋/厘米3以上的磁性能磁化膜容易获得的饱和磁化强度可以。

39. 发明专利

JP5757783B2 スピントランスファー発振器構造およびその製造方法有权
标题翻译：自旋转移振荡器结构及其制造方法
公开(公告)号：JP5757783B2
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：JP2011106429
申请日：2011-05-11
申请人：ヘッドウェイテクノロジーズインコーポレイテッド
发明人：張坤亮 , 李民 , 周宇辰
IPC分类号： H01L43/08 , G11B5/31 , H01L29/82
CPC分类号： G11B5/235 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G01R33/1284 , G11B5/1278 , G11B5/3153 , G11B5/33 , G11B5/3909 , G11C11/161 , H01F10/3259 , H01F10/3286 , H01F10/329 , H01F10/3295 , H01F41/305 , H01L27/222 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12 , G11B2005/0024 , G11B2005/3996 , G11B5/3967 , H01F1/0579 , H01F10/325 , H01F10/3254 , Y10T428/1114 , Y10T428/1121 , Y10T428/1129 , Y10T428/115

40. 发明专利

JP5712275B2 スピン蓄積磁気読取りセンサ有权
标题翻译：自旋累积磁性读取传感器
公开(公告)号：JP5712275B2
公开(公告)日：2015-05-07
申请号：JP2013256928
申请日：2013-12-12
申请人：エイチジーエスティーネザーランドビーブイ
发明人：佐藤大祐 , 山田将貴
IPC分类号： H01L29/82 , G11B5/39
CPC分类号： G11B5/3906 , G01R33/1284 , B82Y10/00 , G11B2005/3996 , H01F10/329

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