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    • 3. 发明专利
    • 超高感度マイクロ磁気センサ
    • 超高灵敏度微磁传感器
    • JP2016151413A
    • 2016-08-22
    • JP2015027092
    • 2015-02-16
    • マグネデザイン株式会社
    • 本蔵 義信
    • H01L29/82G01R33/02
    • G01R33/06G01R33/1284G01R33/1292
    • 【課題】ウェアラブルコンピュータ、医療用機器などに応用される高感度マイクロ磁気センサにおいて、高感度、広い測定範囲、マイクロサイズ、低消費電流、高速測定などの面で大幅な改善を図る。 【解決手段】基板2上の基板溝28に沿って磁性ワイヤ29を2本設置し、それぞれのワイヤに一対の右巻きコイル21Rと左巻きコイル21Lおよび一対の右巻きコイル22Rと左巻きコイル22Lを設置し、両ワイヤに反対向きにパルス電流を流した時に生じるコイル電圧を検知する。円周方向スピン配列を持つ表面磁区と軸方向にスピン配列を持つ中央部コア磁区の2相の磁区構造を持つ磁性ワイヤに、パルス電流を通電することによって、表面磁区内のワイヤ軸方向の外部磁界Hにより軸方向に傾斜した円周方向スピンを超高速に一斉回転させて、その時に生じる超高速スピン回転現象によるワイヤの軸方向の磁化変化のみをコイル出力として取り出す。 【選択図】図5
    • 要解决的问题:为了在可穿戴式计算机,医疗设备中使用的高灵敏度微磁传感器中实现高灵敏度,宽动态范围,微尺寸,低功耗,高速测量等方面的实质性改进, 等等。解决方案:沿着电路板2上的电路板凹槽28安装两个长度的磁线29,一对右旋线圈21R和左旋线圈21L以及一对右旋线圈22R 并且每个导线中安装有左旋线圈22L,并且检测到在相反方向上向两条线发送脉冲电流时发生的线圈电压。 脉冲电流施加到具有两相磁畴结构的磁线,即具有周向旋转装置的表面磁畴和具有轴向旋转装置的中心磁芯磁畴,并且周向旋转装置在轴向上倾斜 由于表面磁畴中的线轴方向的外部磁场H的方向由于在超高速下一起旋转,所以只有由于超高速旋转现象引起的线的轴向方向上的磁变化发生在 这一次被提取为线圈输出。选择图:图5
    • 8. 发明专利
    • Spin-torque oscillator (sto) with magnetically damped free layer
    • 旋转扭矩振荡器(STO),具有无磁阻的自由层
    • JP2013016809A
    • 2013-01-24
    • JP2012150203
    • 2012-07-04
    • Hgst Netherlands B Vエイチジーエスティーネザーランドビーブイ
    • PATRICK MESQUITA BRAGANCAGURNEY BRUCE ALVIN
    • H01L43/08G01R33/09G11B5/39H01F10/32H01L29/82H01L43/10
    • G11B5/3932G01R33/093G01R33/1284G11B5/3903G11B2005/0005H03B28/00
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a spin torque oscillator (STO) provided with a magnetically damped free layer.SOLUTION: A spin-torque oscillator (STO) increases magnetic damping of the oscillating free ferromagnetic layer. The Gilbert magnetic damping parameter (α) is at least 0.05, and preferably greater than 0.05. The free layer may be any type of conventional ferromagnetic material, but contains one or more damping elements as a dopant. The damping element is selected from the group consisting of Pt, Pd and the 15 lanthanide elements. The free layer damping may also be increased by a damping layer adjacent to the free layer. One type of damping layer may be an antiferromagnetic material, like a Mn alloy. As an example of modification to the antiferromagnetic damping layer, a bilayer damping layer may be formed of the antiferromagnetic layer and a nonmagnetic metal electrically conductive separation layer between the free layer and the antiferromagnetic layer. Another type of damping layer may be one formed of one or more of the elements selected from Pt, Pd and the lanthanides.
    • 要解决的问题:提供具有磁阻自由层的自旋扭矩振荡器(STO)。 解决方案:自旋扭矩振荡器(STO)增加了振荡自由铁磁层的磁阻尼。 吉尔伯特磁阻尼参数(α)至少为0.05,优选大于0.05。 自由层可以是任何类型的常规铁磁材料,但是包含作为掺杂剂的一个或多个阻尼元件。 阻尼元件选自Pt,Pd和15镧系元素。 自由层阻尼也可以通过与自由层相邻的阻尼层来增加。 一种类型的阻尼层可以是反铁磁材料,如Mn合金。 作为对反铁磁阻尼层的修改的实例,双层阻尼层可以由反铁磁层和自由层与反铁磁层之间的非磁性金属导电分离层形成。 另一种类型的阻尼层可以是由选自Pt,Pd和镧系元素中的一种或多种元素形成的阻尼层。 版权所有(C)2013,JPO&INPIT