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1. 发明专利

KR102233085B1 KR102233085B1 - Insertion of MgO into the free layer for magnetic memory applications 有权
公开(公告)号：KR102233085B1
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：KR1020197030700A
申请日：2018-02-27
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 조디 마리 이와타 , 게놀레 장 , 루-잉 통 , 포-캉 왕
IPC分类号： H01L43/10 , G11C11/16 , H01F10/14 , H01F10/16 , H01F10/32 , H01F41/32 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/12
CPC分类号： H01L43/10 , G11C11/161 , H01F10/142 , H01F10/16 , H01F10/32 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01F41/32 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/12
摘要： 자기 터널 접합(MTJ)이 개시되며, 제1 금속 산화물(Hk 강화층) 및 제2 금속 산화물(터널 장벽)을 갖는 자유층(FL)의 제1 및 제2 계면은 각각 수직 자기 이방성(PMA)을 형성하여 열 안정성을 증가시킨다. 일부 실시예에서, FL 내에 금속 클러스터가 형성되고, 후속으로 산소를 스캐빈징함으로써 부분적으로 또는 완전히 산화되어, PMA를 향상시키고 허용 가능한 저항 x 면적(RA) 값을 제공하며 자기 저항 비율을 보존하는 추가적인 FL/산화물 계면을 형성한다. 다른 실시예에서, FL 내의 연속 또는 불연속 금속(M) 또는 MQ 합금층은 스캐빈징된 산소와 반응하여, PMA를 향상시키고 허용 가능한 RA를 유지하는 부분 산화된 금속 또는 합금층을 형성한다. 상기 M은 Mg, Al, B, Ca, Ba, Sr, Ta, Si, Mn, Ti, Zr 또는 Hf 중 하나이고, 상기 Q는 전이 금속, B, C 또는 Al이다.

2. 发明专利

JP6436426B2 パルス生成装置审中-公开
公开(公告)号：JP6436426B2
公开(公告)日：2018-12-12
申请号：JP2017520688
申请日：2016-05-20
申请人：国立研究開発法人科学技術振興機構 , ユニヴァーシティーオブヨーク , UNIVERSITY OF YORK
发明人：廣畑貴文
IPC分类号： H01L43/08 , H01L29/82
CPC分类号： H01L29/82 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01F10/329 , H03K3/59

3. 发明专利

JP2018157154A 半導体記憶装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018157154A
公开(公告)日：2018-10-04
申请号：JP2017054755
申请日：2017-03-21
申请人：東芝メモリ株式会社
发明人：宮川正 , 穂谷克彦 , 竹中博幸
IPC分类号： H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08 , G11C11/16 , H01L21/8239
CPC分类号： H01L27/228 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C13/0002 , G11C13/0004 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01L23/528 , H01L29/7827 , H01L43/02 , H01L43/08
摘要：【課題】セルサイズを低減しつつ、隣り合う記憶素子間の距離を等間隔に配置する。【解決手段】一実施形態の半導体記憶装置は、基板と、上記基板の上方の第1層に設けられ、第1方向に沿って延び、第2方向に沿って隣り合う第1配線及び第2配線と、上記第1層の上方の第2層に設けられ、第2方向に沿って延び、第1方向に沿って隣り合う第3配線及び第4配線と、第1配線の上面上に設けられた第1及び第2メモリセルと、第2配線の上面上に設けられた第3メモリセルと、を備える。第1乃至第3メモリセルの各々は、抵抗変化素子及びセレクタを含む。第1メモリセルのセレクタは、第3配線に結合されたゲートを含む。第2メモリセルのセレクタ及び第3メモリセルのセレクタの各々は、第4配線に結合されたゲートを含む。第1乃至第3メモリセルの抵抗変化素子は、第1面に沿って互いに等しい距離に位置する。【選択図】図3

4. 发明专利

JP2018098481A 垂直磁気異方性を有する合金薄膜审中-公开
公开(公告)号：JP2018098481A
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：JP2017098812
申请日：2017-05-18
申请人：コリアユニバーシティリサーチアンドビジネスファウンデーション , KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION
发明人：キム,ヤングケウン , キム,ユンジン
IPC分类号： H01L29/82 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L43/12 , H01F10/16 , H01F10/28 , H01F10/32 , H01F41/18
CPC分类号： H01L43/10 , H01F10/142 , H01F10/3286 , H01F41/18 , H01L43/08 , H01L43/12
摘要：【課題】高温熱処理後にも垂直磁気異方性を維持する磁気トンネル接合に必要な磁性層を提供する。また、既存に使用された多層薄膜磁性層をより簡単な方法である同時蒸着法を合金薄膜蒸着に用いて工程過程を短縮する。【解決手段】基板上に形成されたCoFeSiB−Pd合金薄膜116は、非晶質状態で同時蒸着され、前記薄膜に垂直磁気異方性を発現させるために熱処理して多結晶構造に変更された垂直磁気異方性を有する。その製造方法は、真空チャンバ内でCoFeSiBターゲットとPdターゲットを同時にスパッタして、真空チャンバ内に配置された基板上にCoFeSiB−Pd合金薄膜を形成する段階と、前記薄膜が形成された基板を垂直磁気異方性を発現させるために熱処理する段階と、を含む。【選択図】図1

5. 发明专利

JP6161026B2 磁気メモリ有权
公开(公告)号：JP6161026B2
公开(公告)日：2017-07-12
申请号：JP2013051806
申请日：2013-03-14
申请人：株式会社東芝 , 国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：下村尚治 , 北川英二 , 天野実 , 才田大輔 , 薬師寺啓 , 野崎隆行 , 湯浅新治 , 福島章雄 , 今村裕志 , 久保田均
IPC分类号： H01L27/105 , H01L43/08 , H01L29/82 , G11C11/16 , H01L21/8239
CPC分类号： G11C11/161 , G11C11/155 , G11C11/165 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01L27/228 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01F10/123 , H01L29/82

6. 发明专利

JP6116694B2 磁気抵抗効果素子を備えた磁界検出器、および電流検出器有权
公开(公告)号：JP6116694B2
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：JP2015534027
申请日：2014-05-23
申请人：三菱電機株式会社
发明人：長永隆志 , 津嵜陽亮 , 古川泰助 , 福本宏
IPC分类号： G01R33/09 , G01R15/20 , H01L43/08
CPC分类号： H01F10/3286 , G01R33/093 , G01R33/098 , H01F10/3254 , H01L43/08

7. 发明专利

JPWO2014207818A1 スピン波回路の動作制御方法有权
标题翻译：自旋波电路的操作控制方法
公开(公告)号：JPWO2014207818A1
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2015523696
申请日：2013-06-25
申请人：株式会社日立製作所
发明人：顕知伊藤 , 将貴山田 , 勝哉三浦 , 晋小川
IPC分类号： H01L29/82
CPC分类号： H03K19/18 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01L27/22 , H01L43/00
摘要：既存の同期式演算装置とコンパチブルで、消費電力が小さいスピン波導波路及びそれを用いた演算回路を提供する。基板上に設けられたスピン波を伝搬させる強磁性体線路上に、非磁性中間層を介して、強磁性層が積層された複数の領域を設け、強磁性体線路とその上に設けられた強磁性層を非磁性中間層を介して強磁性結合させ、強磁性体線路の磁化容易軸とその上に設けられた強磁性層の磁化容易軸を直交させてスピン波回路を構成する。
摘要翻译：在现有的同步计算装置兼容，使用功率消耗提供的运算电路是小自旋波的波导和相同的。铁磁线用于传播设置在基板上的自旋波，经由非磁性中间层，设置有多个区域，其被堆叠的铁磁层，具有强磁性体线设置在其上经由非磁性中间层的铁磁层铁磁性耦合以形成自旋波电路是垂直于在其上的铁磁性线提供的铁磁层的易磁化轴的易磁化轴。

8. 发明专利

JPWO2014097540A1 スパッタリング方法および機能素子の製造方法有权
标题翻译：一种制造溅射法和功能元件的方法
公开(公告)号：JPWO2014097540A1
公开(公告)日：2017-01-12
申请号：JP2014552898
申请日：2013-11-21
申请人：キヤノンアネルバ株式会社
发明人：順子小野 , 順子小野
IPC分类号： C23C14/00 , C23C14/06 , C23C14/34 , G11B5/39 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/12
CPC分类号： C23C14/16 , H01F10/3272 , H01F10/3286
摘要：本発明は、溶射膜が表面上に形成された防着部材を用いるスパッタリング処理において、基板上に堆積される膜中への不純物の混入を低減し、該膜を含む機能素子の素子特性を改善可能なスパッタリング方法および機能素子の製造方法を提供する。本発明の一態様では、基材と、基材上に形成された溶射膜と、溶射膜上に形成された拡散防止膜とを備える防着部材が処理室内に配置された状態で、スパッタリング処理によって基板上に成膜を行う。拡散防止膜は、基材の表面に存在する、または溶射膜に含まれるNaやAlといった不純物が、基板処理空間に拡散するのを防ぐ役割を有する。
摘要翻译：本发明提供了使用沉积防止形成在表面上构件喷镀膜，以降低杂质的掺入沉积在基板上的膜的溅射过程中，提高了功能元件包括膜器件的特性是提供一种制造能够溅射和功能元件的方法。在本发明中，基板，在一个状态，其中形成在衬底上的喷镀膜，沉积防止部件和设置在所述处理室中的扩散防止膜而形成喷镀膜，溅射方法的一个方面形成通过在基板上的膜。扩散防止膜具有防止杂质如Na和Al包含在本基板的表面上或喷涂涂层是，扩散到基板处理空间的功能。

9. 发明专利

JP5973959B2 面外磁気トンネル接合セルの強磁性自由層の磁化方向を切換える方法、磁気メモリシステムおよびデータを電子的に記憶する方法有权
标题翻译：切换外的平面内磁隧道结单元的铁磁自由层，用于以电子方式存储磁存储系统和数据的方法的磁化方向的方法
公开(公告)号：JP5973959B2
公开(公告)日：2016-08-23
申请号：JP2013133942
申请日：2013-06-26
申请人：シーゲイトテクノロジーエルエルシー , Seagate Technology LLC
发明人：ジン・インシク , ワン・シャオビン , ヨン・ルー , シー・ハイウェン
IPC分类号： H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08 , H01L21/8246
CPC分类号： G11C11/161 , G11C11/1673 , H01F10/3286 , H01L43/08 , H01F10/3254 , H01F10/3259

10. 发明专利

JP2015176926A 磁気記憶素子及び不揮発性記憶装置有权
标题翻译：磁性存储元件和非易失存储器件
公开(公告)号：JP2015176926A
公开(公告)日：2015-10-05
申请号：JP2014050798
申请日：2014-03-13
申请人：株式会社東芝
发明人：才田大輔 , 天野実 , 小瀬木淳一 , 下村尚治
IPC分类号： H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01F10/16 , H01F10/14 , H01L21/8246
CPC分类号： G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/5607 , H01F10/3286 , H01L27/228 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01F10/1936 , H01F10/3277 , H01F10/3295
摘要：【課題】信頼性の高い磁気記憶素子及び不揮発性記憶装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、第1積層部と第2積層部とを含む積層体を含む磁気記憶素子が提供される。第1積層部は、磁化方向が固定された第1強磁性層と、磁化方向が可変で、磁気共鳴周波数が第1周波数である第2強磁性層と、を含む。第2強磁性層の磁化方向は、積層方向に第1電流が流れ第1周波数の磁界が印加されたときに、第1電流の向きに応じた方向に変化し、第1電流よりも小さい第2電流が流れたときに、第2電流の向きに応じた方向に変化しない。第2積層部は、前記第1積層部と積層され、磁化方向が可変な第3強磁性層を含む。第3強磁性層は、第2電流が流れることによって第1周波数の磁界を発生できる。積層方向に沿って積層体に電流を流すことにより、第2強磁性層の磁化の方向を電流の向きに応じた方向に決定できる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供高可靠性的磁存储元件和非易失性存储装置。解决方案：提供一种包括第一层压部分和第二层压部分的层压体的磁存储元件。第一层压部件包括其磁化方向固定的第一铁磁层和磁化方向可变的第二铁磁层，其中磁共振频率为第一频率。当第一电流在层叠方向上流动并且施加第一频率的磁场时，第二铁磁层的磁化方向根据第一电流的方向改变为方向，并且当小于第一电流的第二电流电流不会根据第二电流变化到方向。第二层压部件与第一层压部件层压，并且包括其磁化方向可变的第三铁磁层。第三铁磁层可以通过第二电流流动产生第一频率的磁场。通过沿着层叠方向使层叠体中的电流流动，第二铁磁层的磁化方向可以被确定为与当前方向一致的方向。

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