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21. 发明专利

JPWO2013129279A1 半導体装置の製造方法有权
标题翻译：一种制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JPWO2013129279A1
公开(公告)日：2015-07-30
申请号：JP2014502191
申请日：2013-02-25
申请人：日産自動車株式会社
发明人：中川　成幸 , 成幸中川 , 宮本　健二 , 健二宮本 , 南部　俊和 , 俊和南部
IPC分类号： H01L21/52 , B23K35/28 , C22C18/00 , C22C18/02 , C22C18/04
CPC分类号： H01L24/29 , B22F7/08 , B23K1/0016 , B23K1/002 , B23K1/0053 , B23K1/008 , B23K1/19 , B23K1/20 , B23K35/28 , B23K35/282 , B23K2201/40 , B23K2203/08 , B23K2203/10 , B23K2203/12 , B23K2203/56 , C22C18/04 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/04026 , H01L2224/05568 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05647 , H01L2224/29118 , H01L2224/29124 , H01L2224/32245 , H01L2224/83192 , H01L2224/83201 , H01L2224/83375 , H01L2224/83385 , H01L2224/83805 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/15787 , H01L2924/3651 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要：半導体チップ3の接合面に金属A(Al、Cu、Ag及びAuから成る群より選ばれた少なくとも1種を主成分とする金属)から成る金属層3c形成する一方、配線金属2の少なくとも接合面を金属B(Al、Cu、Ag及びAuから成る群より選ばれた少なくとも1種を主成分とする金属、但し、金属A及びBが共にAuを主成分とする金属である場合を除く)とし、配線金属2の接合面に微細凹凸2rを設けると共に、両接合面間に金属A及び金属Bに含まれるAu以外の金属とそれぞれ共晶反応を生じる金属としてZnを含むインサート材を介在させ、半導体チップ3と配線金属2を相対的に加圧しつつ加熱し、接合面の酸化皮膜3f、2fを破壊して、接合界面に生じた共晶反応溶融物と共に排出して接合する。
摘要翻译：半导体芯片3的接合表面上的金属A，而形成的金属层3c中包括从至少所述布线金属2的粘合表面（铝，铜，选自Ag和Au的金属的主要的组中选择的至少一种）金属B（铝，铜，金属主要由至少一种选自由Ag和Au组成的组中选择除了当金属和B是主要由Au构成的金属均的）和设置有小突起2r与布线金属2的键合表面，它置于含有Zn的插入件的材料，金属，以产生连接表面之间在金属和金属B含有与除金以外的金属的相应的共晶反应，在半导体芯片3和加热该金属布线2相对挤压而，氧化膜3F接合面的，以破坏2F，放电要连同共晶反应在接合界面产生的熔融接合。

22. 发明专利

JPWO2013058291A1 半導体素子の接合方法および接合構造有权
标题翻译：的半导体装置的接合方法和接合结构
公开(公告)号：JPWO2013058291A1
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：JP2013539671
申请日：2012-10-17
申请人：独立行政法人産業技術総合研究所
发明人：英範水野 , 英範水野 , 紀久夫牧田 , 紀久夫牧田
IPC分类号： H01L25/065 , B22F1/00 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L31/0687 , H01L31/0725 , H01L31/078
CPC分类号： H01L25/045 , C09J5/00 , C09J2203/326 , C09J2453/00 , H01L24/29 , H01L25/043 , H01L25/50 , H01L31/043 , H01L31/076 , H01L31/18 , H01L2224/2732 , H01L2224/29109 , H01L2224/29118 , H01L2224/29124 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29155 , H01L2224/29164 , H01L2224/29166 , H01L2224/29193 , H01L2224/32145 , H01L2224/83203 , H01L2224/8382 , H01L2224/83894 , H01L2224/83895 , H01L2225/06513 , H01L2924/10252 , H01L2924/10253 , H01L2924/10328 , H01L2924/10329 , H01L2924/10335 , H01L2924/15788 , Y02E10/548 , H01L2924/00
摘要：【課題】界面において優れた導電性ならびに透明性を確保しながら半導体素子を接合する方法、およびその接合方法による接合構造を提供する。界面において優れた導電性を確保し、かつ素子特性に有利に働く光学特性の設計が可能な半導体素子の接合方法、およびその接合方法による接合構造を提供する。【解決手段】有機分子で覆われていない導電性ナノ粒子を半導体素子の表面に光学的損失なく配置し、その上に他方の半導体素子を圧着させる。【選択図】図1
摘要翻译：提供了由接合方法，同时确保在界面处优异的导电性和透明性的半导体器件接合的方法，以及一接合结构。在界面处确保优异的导电性，并且在加入的光学特性的方法，其能够半导体器件设计以有利于器件的特性，并通过接合方法，以提供一个接合结构。没有光损耗未覆盖有有机分子的半导体元件的表面上，从而在其上的其它半导体元件粘合导电纳米颗粒的地方。点域1

23. 发明专利

JP2014017417A Semiconductor device 审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2014017417A
公开(公告)日：2014-01-30
申请号：JP2012154886
申请日：2012-07-10
申请人： Denso Corp , 株式会社デンソー
发明人： HAYASHI EIJI , SAKAMOTO ZENJI
IPC分类号： H01L21/52
CPC分类号： H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/2908 , H01L2224/29111 , H01L2224/29124 , H01L2224/29139 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2924/00014
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To ensure solder bondability in a high-temperature environment while relaxing thermal stress applied to a semiconductor chip in a semiconductor device in which a lead frame and a semiconductor chip are solder bonded.SOLUTION: The semiconductor device comprises: an aluminum member 30 composed of aluminum between a lead frame 10 and a semiconductor element 20; metal layers 41, 42 each composed of metal other than aluminum and which are provided a first opposed surface 31 and a second opposed surface 32 of the aluminum member 30, respectively; a first alloy layer 51 composed of an alloy of metal which composes the metal layer 41 and a solder component between the metal layer 41 on the first opposed surface 31 and the lead frame 10; and a second alloy layer 52 composed of an alloy of metal which composes the metal layer 42 on the second opposed surface 32 and the solder component between the metal layer 42 on the second opposed surface and the semiconductor element 20. Each of the first alloy layer 51 and the second alloy layer 52 is composed of the alloy having a melting point higher than a melting point of the contained solder component.
摘要翻译：要解决的问题：为了确保在引线框架和半导体芯片被焊接的半导体器件中放置对半导体芯片施加的半导体芯片的热应力的同时保持高温环境中的焊接接合性。解决方案：半导体器件包括：铝在引线框架10和半导体元件20之间由铝构成的构件30; 金属层41,42各自由铝以外的金属构成，分别设置有铝构件30的第一相对面31和第二相对面32。由构成金属层41的金属合金和第一相对面31上的金属层41与引线框架10之间的焊料成分构成的第一合金层51; 以及第二合金层52，其由构成第二相对表面32上的金属层42的金属合金和第二相对表面上的金属层42之间的焊料成分组成。第一合金层 51，第二合金层52由熔点高于所含焊料成分的熔点的合金构成。

24. 发明专利

JP5207747B2 A method of forming a random access memory 有权
公开(公告)号：JP5207747B2
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：JP2008013188
申请日：2008-01-23
申请人：グレンジェイリーディ
发明人：グレンジェイリーディ
IPC分类号： G11C11/401 , H01L25/065 , G11C5/02 , G11C5/04 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L21/8242 , H01L21/8244 , H01L21/8246 , H01L21/8247 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L27/06 , H01L27/10 , H01L27/105 , H01L27/108 , H01L27/11 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L43/08
CPC分类号： H01L27/10897 , G11C5/02 , G11C5/025 , G11C5/04 , G11C29/44 , G11C29/81 , G11C29/846 , G11C29/848 , H01L23/481 , H01L25/18 , H01L27/0688 , H01L27/105 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29116 , H01L2224/29118 , H01L2224/29124 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/29166 , H01L2224/29169 , H01L2224/8083 , H01L2225/06541 , H01L2924/01079 , Y10S438/977 , H01L2924/00014
摘要： An on-chip reconfigurable memory is disclosed, comprising: a plurality of data lines, a plurality of gate lines, an array of memory cells, each memory cell storing a data value and comprising circuitry for coupling that data value to one of said data lines in response to the selection of one of said gate lines, a gate line selection circuit for enabling a gate line for a memory operation, said gate line selection circuit comprising programmable gates to receive address assignments for one or more of said gate lines, said address assignments for determining which of said gate lines is selected for each programmed address assignment and a controller for determining that at least one of said memory cells is defective and for altering, in at least one instance, said address assignments of said gate lines to eliminate references to that gate line that causes that defective memory cell to couple a data value to one of said data lines.

25. 发明专利

JP2012175113A Power semiconductor module and method of manufacturing power semiconductor module 审中-公开
标题翻译：功率半导体模块及其制造功率半导体模块的方法
公开(公告)号：JP2012175113A
公开(公告)日：2012-09-10
申请号：JP2012049759
申请日：2012-02-17
申请人： Abb Res Ltd , エイビービーリサーチリミテッド
发明人： CHARLEY LIU , NICOLA SCHULTZ , SLAVO KICIN
IPC分类号： H01L25/07 , H01L21/60 , H01L25/18
CPC分类号： H01L25/072 , H01L23/3735 , H01L23/492 , H01L23/62 , H01L24/29 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/83 , H01L2224/03505 , H01L2224/05124 , H01L2224/05624 , H01L2224/0568 , H01L2224/29 , H01L2224/29101 , H01L2224/29124 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29298 , H01L2224/32506 , H01L2224/37147 , H01L2224/3718 , H01L2224/40095 , H01L2224/40225 , H01L2224/40227 , H01L2224/83805 , H01L2224/8384 , H01L2224/84424 , H01L2224/84439 , H01L2224/84444 , H01L2224/84447 , H01L2224/8448 , H01L2224/8484 , H01L2224/85205 , H01L2224/92246 , H01L2924/00011 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929 , H01L2224/83205
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a power semiconductor module having an excellent fault mode function and improved reliability against behaviors of long-term deterioration of the semiconductor module and increase in an electric resistance in a current path, and to provide a method of manufacturing the power semiconductor module.SOLUTION: A power semiconductor module 10 includes a semiconductor device 12, such as an insulated gate bipolar transistor, with an emitter electrode and a collector electrode. An electrically conductive upper layer 14 is connected to the emitter electrode through sinter-bonding. A material of the upper layer 14 is capable of forming an eutectic alloy with the material of the semiconductor device 12, and a coefficient of thermal expansion of the upper layer 14 differs from that of a semiconductor in a range equal to or less than 250%, especially in a range equal to or less than 50%. An electrically conductive base plate 20 is connected to the collector electrode through sinter-bonding. The power semiconductor module 10 further includes an electrically conductive area 24 which is electrically isolated from the base plate 20 and connected to the upper layer 14 via an electrical connection 22.
摘要翻译：解决的问题：提供一种功率半导体模块，其具有优异的故障模式功能，并提高了对半导体模块的长期劣化的行为的可靠性，并且提高了电流路径中的电阻，并且提供了一种方法制造功率半导体模块。解决方案：功率半导体模块10包括具有发射极和集电极的诸如绝缘栅双极晶体管的半导体器件12。导电上层14通过烧结粘合连接到发射极电极。上层14的材料能够与半导体器件12的材料形成共晶合金，并且上层14的热膨胀系数与半导体的热膨胀系数在等于或小于250％的范围内不同，，特别是在等于或小于50％的范围内。导电基板20通过烧结而与集电极连接。功率半导体模块10还包括导电区域24，该导电区域24与基板20电绝缘，并通过电连接22连接到上层14.版权所有：（C）2012，JPO＆INPIT

26. 发明专利

JP2006516066A The semiconductor component and a method for manufacturing 有权
公开(公告)号：JP2006516066A
公开(公告)日：2006-06-15
申请号：JP2004540478
申请日：2003-09-05
申请人：オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH
发明人：シュミットヴォルフガング , イレックシュテファン , アイゼルトドミニク
IPC分类号： H01L33/20
CPC分类号： H01L33/20 , H01L23/3677 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L24/95 , H01L2224/29014 , H01L2224/29124 , H01L2224/29164 , H01L2224/29169 , H01L2224/83203 , H01L2924/12042 , H01L2924/351 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
摘要：構成素子内の熱応力を低減乃至補償するために、光出射半導体層、又は、光出射半導体素子、２つのコンタクト個所及び垂直又は水平に構造化された支持体基板を有する半導体構成素子、及び、半導体構成素子の製造方法が開発されている。熱応力は、プロセシング中及び作動中の温度変化によって、及び、半導体及び支持体基板の種々異なる膨張係数に基づいて生じる。支持体基板は、熱応力を、構成素子が故障しないように十分に小さくし、乃至、補償するように構造化されている。

28. 发明专利

JP2017535078A 電子装置、及び電子装置を製造する方法有权
公开(公告)号：JP2017535078A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：JP2017522052
申请日：2015-09-17
申请人：オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH , オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH
发明人：アンドレアス　プレスル , プレスルアンドレアス
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L33/62
CPC分类号： H01L24/29 , H01L23/15 , H01L23/49866 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L33/40 , H01L33/62 , H01L2224/0345 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05669 , H01L2224/05673 , H01L2224/05678 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1141 , H01L2224/11436 , H01L2224/13294 , H01L2224/13339 , H01L2224/13347 , H01L2224/16227 , H01L2224/16245 , H01L2224/2732 , H01L2224/27334 , H01L2224/2741 , H01L2224/27436 , H01L2224/29083 , H01L2224/29084 , H01L2224/29124 , H01L2224/29139 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/29166 , H01L2224/29169 , H01L2224/29171 , H01L2224/29173 , H01L2224/29178 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/29347 , H01L2224/32227 , H01L2224/32245 , H01L2224/32503 , H01L2224/73265 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81193 , H01L2224/81201 , H01L2224/81203 , H01L2224/81205 , H01L2224/81207 , H01L2224/81208 , H01L2224/81469 , H01L2224/81473 , H01L2224/81478 , H01L2224/8184 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83193 , H01L2224/83201 , H01L2224/83203 , H01L2224/83205 , H01L2224/83207 , H01L2224/83208 , H01L2224/83359 , H01L2224/83439 , H01L2224/83447 , H01L2224/83469 , H01L2224/83473 , H01L2224/83478 , H01L2224/8384 , H01L2924/00015 , H01L2924/1033 , H01L2924/10349 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/13014 , H01L2924/13064 , H01L2924/15724 , H01L2924/00014 , H01L2224/05644 , H01L2224/05639 , H01L2924/00012
摘要：電子装置において、前記電子装置は、第1の構成要素(1)と第2の構成要素(2)とを有し、前記第1の構成要素(1)と前記第2の構成要素(2)とは、第1の金属を有する焼結層(3)によって互いに結合されており、前記構成要素(1,2)の少なくとも一方は、少なくとも1つのコンタクト層(4,4’)を有し、前記コンタクト層(4,4’)は、前記焼結層(3)と直接的にコンタクトされた状態で配置されており、前記第1の金属とは異なる第2の金属を有し、かつ金を含まない、電子装置が提示される。さらには、電子装置を製造する方法が提示される。

30. 发明专利

JPWO2015115665A1 接合構造体、及び接合構造体の製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2015115665A1
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：JP2015560078
申请日：2015-02-03
申请人：国立大学法人大阪大学
发明人：克昭菅沼 , 克昭菅沼 , 至成長尾 , 至成長尾 , 哲ミン呉 , 哲ミン呉
IPC分类号： H01L21/52 , B23K1/00
CPC分类号： H01L24/16 , H01L23/367 , H01L23/3736 , H01L23/3737 , H01L23/42 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05573 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/05684 , H01L2224/11848 , H01L2224/13294 , H01L2224/13339 , H01L2224/16057 , H01L2224/16227 , H01L2224/27848 , H01L2224/29118 , H01L2224/29124 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/29157 , H01L2224/2916 , H01L2224/29164 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/32225 , H01L2224/81007 , H01L2224/8183 , H01L2224/8184 , H01L2224/83007 , H01L2224/83193 , H01L2224/8383 , H01L2224/8384 , H01L2224/83855 , H01L2224/83815 , H01L2924/00014
摘要：本発明の接合構造体(100)は、基板(110)と、金属膜(120)と、半導体素子(130)とを備える。基板(110)、金属膜(120)、および、半導体素子(130)は、この順番に積層されている。前記金属膜(120)を構成する金属はストレスマイグレーションによって拡散したものであり、前記基板(110)と前記半導体素子(130)とが前記金属膜(120)を介して接合されている。

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