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1. 发明专利

JP2020006653A 接合方法及び接合体。审中-公开
公开(公告)号：JP2020006653A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：JP2018132252
申请日：2018-07-12
申请人：日産自動車株式会社 , 国立大学法人大阪大学
发明人：宮本健二 , 中川成幸 , 廣瀬明夫 , 佐野智一 , 松田朋己
IPC分类号： B23K23/00 , B32B37/06
摘要：【課題】接合界面に未反応の反応材が残存せず、均一で密着性が高い接合界面を形成できる反応熱を利用した接合方法の提供。【解決手段】被接合材間に、自己燃焼合成反応材4とテルミット反応材3と、少なくとも一方の被接合材との接触面に接合する双方の被接合材の融点以下の融点を有する低融点金属材2を備えた発熱材1を配置し、発熱材1を発熱させることにより、被接合材同士を接合する接合方法。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2015185688A 半導体装置及びその製造方法有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2015185688A
公开(公告)日：2015-10-22
申请号：JP2014060970
申请日：2014-03-24
申请人：日産自動車株式会社
发明人：中川成幸 , 上原義貴 , 宮本健二 , 南部俊和
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/36
摘要：【課題】部品点数が削減され、積層構成が簡潔で、接合数を削減され熱的性能や信頼性を向上しており、製造工程を簡素化でき、容易で安価に製造できる半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】半導体装置は、半導体10とこの半導体を冷却する冷却器15と電極と絶縁体と応力緩衝材を備える。半導体10と冷却器15の間に、この冷却器15側から応力緩衝層11と絶縁体層12と電極層13をこの順で積層して成る複層基板層14が介在し、半導体10が電極層13上に配置されている。半導体装置の製造方法は、複層基板を、冷却器に応力緩衝層、絶縁層及び電極層をコールドスプレー又は溶射により順次一体的に積層して形成する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种能够实现部件数量的减少的半导体装置，具有简单的层叠结构，能够实现接合部的数量的减少，提高热性能和可靠性，能够简化制造工序，容易以低成本制造，并提供半导体器件的制造方法。解决方案：半导体器件包括：半导体10; 冷却半导体的冷却器15; 电极绝缘体和应力缓冲材料。通过在半导体10和冷却器15之间设置通过从写入顺序从冷却器15侧层叠应力缓冲层11，绝缘体层12和电极层13而形成的双层基板层14.半导体在半导体器件的制造方法中，应力缓冲层，绝缘体层和电极层通过冷喷涂或喷涂以顺序的方式整体层压在冷却器上，以形成双层基板。

3. 发明专利

JP2016033938A 半導体装置の製造方法有权
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2016033938A
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：JP2014155766
申请日：2014-07-31
申请人：日産自動車株式会社
发明人：宮本健二 , 中川成幸 , 南部俊和
IPC分类号： B23K20/00 , H01L23/36 , H01L23/13 , H01L23/12 , H01L21/52
摘要：【課題】高温下に保持されても、接合部に空隙が生じず、電気伝導性や熱伝導性の低下を防止できる半導体装置の製造方法及び半導体装置の提供【解決手段】接合される接合面の両方又は一方に凹凸を形成すると共に、両方の接合部の表面又は内部に拡散防止層を形成し、上記接合部間にインサート材を介在させ、加圧加熱して、一方の接合部を構成する母材金属と他方の金属接合部を構成する母材金属とを、接合界面の少なくとも一部で直接接合する。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造半导体器件和半导体器件的方法，即使在高温下保持时也不会在接合部分产生空隙，并且可以防止导电性和导热性的降低。解决方案：不均匀性形成在要彼此接合的接合表面的两个或一个上，并且在两个接合部的表面或内部上形成扩散防止层。在接合部之间插入插入材料，并且施加压力和热量以直接接合构成一个接合部的基体金属和将另一个金属接合部的基体金属配置在接合界面的至少一部分中图4

4. 发明专利

JP2015199076A 接合方法审中-公开
标题翻译：联合方法
公开(公告)号：JP2015199076A
公开(公告)日：2015-11-12
申请号：JP2014078290
申请日：2014-04-07
申请人：日産自動車株式会社
发明人：宮本健二 , 中川成幸 , 南部俊和 , 井上雅之 , 藤田光昭
IPC分类号： B23K20/24 , B23K20/00
摘要：【課題】酸化皮膜が生成した接合面間にインサート材を介在させ、インサート材と被接合材の共晶反応によって酸化皮膜を除去して接合するに際して、酸化皮膜の除去を容易にすべく接合面に形成する凹凸形状の凸部高さなどがばらついたとしても、接合面積を確保することができ、接合強度や電気・熱の伝導性の劣化を防止することができる接合方法を提供する。【解決手段】接合面の凹凸形状を構成する凸部1cの間に、凸部間の底部から立ち上がり、凸部1cよりも低い高さの平坦部を備えたプラトー部1dを形成する。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种可以确保接合区域并且可以防止电力和热量的接合强度和导电性的劣化的接合方法，即使在接合表面上形成不规则形状的突出部分高度为了便于去除氧化膜，当插入材料插入在具有氧化膜的接合表面之间时，并且通过插入材料和待接合的材料的共晶反应除去氧化膜，从而改变了接合解决方案：在形成接合表面的不规则形状的突出部分1c之间形成有具有高度低于突出部分1c并且从突出部分之间的底部竖立的平坦部分的平台部分1d。

5. 发明专利

JP6260941B2 半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6260941B2
公开(公告)日：2018-01-24
申请号：JP2015530729
申请日：2014-05-22
申请人：日産自動車株式会社
发明人：宮本健二 , 中川成幸 , 南部俊和
IPC分类号： B23K20/00 , B23K20/24 , H01L21/52
CPC分类号： H01L23/3735 , H01L23/36 , H01L23/473 , H01L2224/29111 , H01L2224/32225 , H01L2224/83191 , H01L2224/83385 , H01L2224/83805 , H01L2924/013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047

6. 发明专利

JP2015185689A 半導体の実装方法及び半導体部品の製造装置审中-公开
标题翻译：用于半导体元件的半导体和制造器件的封装方法
公开(公告)号：JP2015185689A
公开(公告)日：2015-10-22
申请号：JP2014060971
申请日：2014-03-24
申请人：日産自動車株式会社
发明人：中川成幸 , 宮本健二 , 南部俊和
IPC分类号： B23K20/00 , H01L23/48 , H01L21/52
摘要：【課題】接合部の酸化を防止し、少量のインサート材でも高い品質の接合が可能となる半導体の実装方法及び半導体部品の製造装置を提供する。【解決手段】常温で安定な酸化膜を持つ半導体と被接合材を、両者の接合面間に挿入された箔との共晶反応を利用するとともに、接合面に存在する酸化膜を破壊する応力集中部を設けて接合する半導体の実装方法である。接合中は共晶反応により生じた共晶融液を保持し、接合完了と同時又は直後に、その共晶融液の保持を解除する。半導体部品の製造装置は、半導体と箔と被接合材を含む接合部を個々に又は全部加圧する加圧手段と、この接合部近傍を所定の温度に加熱する加熱手段と、共晶反応により生じた共晶融液を接合部近傍に保持したまま接合可能とする保持手段と、接合後にこの共晶融液の保持を解除する解除手段と、を備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种通过防止接合部被氧化而能够通过少量插入材料进行高质量接合的半导体的封装方法以及半导体部件的制造装置。解决方案：半导体包括通过利用与插入在半导体和接合材料的组成平面之间的箔的共晶反应将包含常温下稳定的氧化膜的半导体和接合材料接合的步骤，并且提供应力集中部分用于破坏存在于组成平面上的氧化膜。在接合期间，通过共晶反应产生的共晶熔融液体被保持并且在结合完成之后或之后同时保持共熔熔融液体被取消。用于半导体部件的制造装置包括：加压装置，用于对包括半导体，箔和接合材料的接头进行单独或全面加压; 用于将结点附近加热到预定温度的加热装置; 保持装置，用于在将共晶反应产生的共晶熔融液体保持在接合部附近进行结合; 以及取消在接合之后保持共晶熔融液体的取消装置。

8. 发明专利

JP6976137B2 接合体及び接合体の製造方法有权
公开(公告)号：JP6976137B2
公开(公告)日：2021-12-08
申请号：JP2017209989
申请日：2017-10-31
申请人：日産自動車株式会社 , ルノーエス.ア.エス. , RENAULT S.A.S.
发明人：金子貴子 , 宮本健二 , 福本貴文
IPC分类号： B23K20/10 , B29C65/08

9. 发明专利

JP6358423B2 半導体の実装方法及び半導体部品の製造装置审中-公开
公开(公告)号：JP6358423B2
公开(公告)日：2018-07-18
申请号：JP2014060971
申请日：2014-03-24
申请人：日産自動車株式会社
发明人：中川成幸 , 宮本健二 , 南部俊和
IPC分类号： B23K20/00 , H01L23/48 , H01L21/52

10. 发明专利

JP6003108B2 接合方法及び接合部品の製造方法有权
标题翻译：制造的接合方法的方法和接合部分
公开(公告)号：JP6003108B2
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：JP2012051727
申请日：2012-03-08
申请人：日産自動車株式会社
发明人：中川成幸 , 上原義貴 , 山本千花 , 宮本健二 , 南部俊和
IPC分类号： B23K20/00
CPC分类号： B23K20/2333 , B23K20/026 , B23K20/16 , B23K20/2336 , B23K20/24 , B23K2201/18 , B23K2203/10 , B23K26/037 , B23K26/211 , B23K26/244 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , Y10T403/479 , Y10T428/12493

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