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1. 发明专利

JPWO2017094092A1 ダイ及びパッケージ审中-公开
公开(公告)号：JPWO2017094092A1
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：JP2015083670
申请日：2015-11-30
申请人：株式会社PEZY Computing
发明人：齊藤元章
IPC分类号： G06F15/17 , G06F9/38 , G06F15/78
CPC分类号： G06F15/803 , G06F15/17 , G06F15/78 , G11C5/04 , H01L21/82 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/10844 , H01L27/10897
摘要：パッケージは、CPUコア若しくはLatencyコアからなる第1コアと、Acceleratorコア若しくはThroughputコアからなる第2コアとのうち少なくとも一方を備え、外部インターフェースと、メモリインターフェース24乃至26と、他のダイとを接続するダイインターフェース23と、を備えるダイを少なくとも1つ含む。さらに、前記メモリインターフェースは、TCIに準拠したインターフェースを含む。さらに、前記メモリインターフェースは、HBMに準拠したインターフェースをさらに含む。

2. 发明专利

JP2018055750A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018055750A
公开(公告)日：2018-04-05
申请号：JP2016191656
申请日：2016-09-29
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：山越英明
IPC分类号： G11C11/405 , G11C14/00
CPC分类号： H01L27/10852 , G06F1/30 , G11C7/1039 , G11C11/4072 , G11C11/4074 , G11C11/4096 , G11C14/0018 , H01L27/10814 , H01L27/10897 , H01L27/1116 , H01L27/11573 , H01L27/1203
摘要：【課題】電源遮断時にDRAMの情報を自動的に退避することが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】メモリセルMCは、ストレージノードSNで情報を保持するDRAMセルDMCと、不揮発性メモリセルNVMCと、トランジスタMNwとを有する。不揮発性メモリセルNVMCは、消去状態である第1のしきい値電圧と、書き込み状態である第2のしきい値電圧とによって情報を保持し、消去状態で書き込み電圧が印加されることで書き込み状態へ遷移する。トランジスタMNwは、書き込み電圧(書き込み電圧線WTLの電圧)を不揮発性メモリセルNVMCに印加するか否かをDRAMセルDMCのストレージノードSNの電圧レベルに応じて選択する。【選択図】図3

3. 发明专利

JP6262812B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6262812B2
公开(公告)日：2018-01-17
申请号：JP2016146886
申请日：2016-07-27
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：小山潤 , 山崎舜平
IPC分类号： H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L27/10 , H01L21/8242
CPC分类号： G11C5/10 , G11C7/12 , G11C7/18 , G11C11/4085 , G11C11/4094 , G11C11/4097 , H01L27/0207 , H01L27/0688 , H01L27/10805 , H01L27/10873 , H01L27/10885 , H01L27/10897 , H01L27/1207 , H01L27/1225 , H01L29/7869

4. 发明专利

JP2017183316A 半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017183316A
公开(公告)日：2017-10-05
申请号：JP2016063384
申请日：2016-03-28
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：森馨
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/265 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L27/10873 , H01L21/266 , H01L22/20 , H01L27/10814 , H01L27/10894 , H01L27/11582 , H01L28/00 , H01L29/66492 , H01L27/10897 , H01L27/1116
摘要：【課題】DRAMセルを有する半導体装置の電気特性を向上する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、選択MISFETのゲート電極G1の第1設計寸法、側壁絶縁膜SW1の第2設計寸法、半導体領域SD1のイオン注入の初期設定条件を求めておく工程、ゲート電極G1を形成する工程S2、ゲート電極G1の第1加工寸法を測定する工程S3、ゲート電極G1の両端に半導体領域NM1を形成する半導体領域NM1注入工程S7、ゲート電極G1の側壁上に側壁絶縁膜SW1を形成する工程S8、側壁絶縁膜SW1の第2加工寸法を測定する工程S9、半導体領域SD1を形成する半導体領域SD1注入工程S10、を有する。そして、半導体領域SD1注入工程では、第1加工寸法および第2加工寸法の第1設計寸法および第2設計寸法に対する偏差に基づき、イオン注入の初期設定条件に対する実施条件を再設定して、半導体領域SD1注入工程を実施する。【選択図】図3

6. 发明专利

JP6072196B1 ページに配置されるメモリセルを有するメモリアレイ有权
标题翻译：一种存储器阵列，其具有布置在所述页存储器单元
公开(公告)号：JP6072196B1
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：JP2015221034
申请日：2015-11-11
申请人：力旺電子股▲ふん▼有限公司 , eMemory Technology Inc.
发明人：張緯宸 , 景文▲浩▼ , 陳志欣 , 王世辰 , 楊青松
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , G11C16/02 , G11C16/04
CPC分类号： G11C17/18 , G11C16/0408 , G11C16/0433 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C17/16 , H01L23/5256 , H01L27/10897 , H01L27/1116 , H01L27/11206 , H01L27/115 , H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L27/1156 , H01L29/0649 , H01L29/1033 , H01L29/78 , H01L29/8611 , H01L29/868 , G11C16/08 , G11C29/785 , H01L23/5252 , H01L2924/0002
摘要：【課題】ページに配置されるメモリセルを有するメモリアレイを提供する。【解決手段】メモリアレイ300は、第1のメモリページMP1と第2のメモリページMP2とを含む。第1のメモリページMP1は、第1のワードラインWL 1 、第1の選択ゲートラインSG 1 、第1の制御ラインCL 1 、第1の消去ラインEL 1 、そして、それぞれが第1のワードライン、第1の選択ゲートライン、第1の制御ライン、及び第1の消去ラインに連結されるとともに、複数の第1のメモリセルM1C 1 〜M1C N を含む。第2のメモリページMP2は、第2の制御ラインCL 12 、第2の消去ラインEL 12 、そして、それぞれが第1のワードライン、第1の選択ゲートライン、第2の制御ライン、及び第2の消去ラインに連結されるとともに、複数の第2のメモリセルM2C 1 〜M2C N を含む。【選択図】図6
摘要翻译：为了提供设置在页面的存储器阵列，其具有存储单元。一种存储器阵列300包括第一存储器页面MP1和第二存储器页面MP2。第一存储器页面MP1，第一字线WL1，第一选择栅极线SG1，第一控制线CL1时，第一擦除线EL1，而且，每一个第一字线，第一选择栅极线，所述第一控制线，并与被连接到第一擦除线包括多个第一存储单元M1C1〜M1CN的。第二存储器页面MP2，第二控制线CL12，第二擦除线EL12并且，每个第一字线，第一选择栅极线，第二控制线，和第二擦除而被连接到所述线路，包括多个第二存储单元M2C1〜M2CN的。点域6

7. 发明专利

JP2016213493A 半導体装置有权
标题翻译：半导体设备
公开(公告)号：JP2016213493A
公开(公告)日：2016-12-15
申请号：JP2016146886
申请日：2016-07-27
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：小山潤 , 山崎舜平
IPC分类号： H01L27/108 , H01L29/786 , G11C11/401 , H01L21/8242
CPC分类号： G11C5/10 , G11C11/4085 , G11C11/4094 , G11C11/4097 , G11C7/12 , G11C7/18 , H01L27/0207 , H01L27/0688 , H01L27/10805 , H01L27/10873 , H01L27/10897 , H01L27/1207 , H01L29/7869 , H01L27/10885 , H01L27/1225
摘要：【課題】データの保持期間を確保しつつ、単位面積あたりの記憶容量を高めることができる記憶装置の提案すること。【解決手段】複数のビット線を幾つかのグループに分割し、複数のワード線も幾つかのグループに分割する。そして、一のグループに属するビット線に接続されたメモリセルには、一のグループに属するワード線が接続されるようにする。さらに、上記複数のビット線は、複数のビット線駆動回路によってグループごとにその駆動が制御されるようにする。加えて、上記複数のビット線駆動回路と、ワード線駆動回路とを含めた駆動回路上に、セルアレイを形成する。駆動回路とセルアレイが重なるように三次元化することで、ビット線駆動回路が複数設けられていても、記憶装置の占有面積を小さくすることができる。【選択図】図1
摘要翻译：甲同时保证数据的保留期，提出一种存储装置，其能够增加每单位面积的存储容量。所述多条位线被划分成若干组，还分成几个组多个字线。然后，存储器单元连接到属于一组，使属于一个组的字线被连接的位线。此外，多条位线，所述驱动器为每个组的多个位线驱动器电路中的要被控制的。此外，所述多个包括一个字线驱动电路的驱动电路上的位线驱动器电路，以形成单元阵列。通过驱动电路和单元阵列是三维以便重叠，即使在多个不设置位线驱动电路，它能够减少由存储装置所占据的面积。点域1

8. 发明专利

JP6040300B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6040300B2
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：JP2015182460
申请日：2015-09-16
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：熱海知昭 , 奥田高
IPC分类号： H01L27/108 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L27/112 , H01L21/76801 , H01L21/76826 , H01L27/0688 , H01L27/10805 , H01L27/1085 , H01L27/10873 , H01L27/10897 , H01L27/1207 , H01L27/1225 , H01L29/16 , H01L29/78 , H01L29/7869 , H01L27/1156

9. 发明专利

JP5947093B2 半導体集積回路装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP5947093B2
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：JP2012099630
申请日：2012-04-25
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：廣井政幸 , 佐甲隆
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L28/40 , H01L23/5329 , H01L27/0207 , H01L27/10852 , H01L27/10894 , H01L27/10897 , H01L28/91 , H01L23/562 , H01L2924/0002

10. 发明专利

JP5931561B2 信号処理装置有权
公开(公告)号：JP5931561B2
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：JP2012099419
申请日：2012-04-25
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：高橋康之
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/105 , H01L27/10 , H01L21/8242 , H01L27/108 , G11C11/404 , G11C14/00 , H03K3/037 , H03K3/356
CPC分类号： H01L27/1052 , H01L27/10873 , H01L27/10897 , H01L27/115 , H01L27/1225 , H03K19/0013 , H03K19/00315

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