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11. 发明专利

JP2010506291A A method and apparatus for generating orthorectified tile 审中-公开
公开(公告)号：JP2010506291A
公开(公告)日：2010-02-25
申请号：JP2009531335
申请日：2007-10-09
申请人：テレアトラスベスローテンフエンノートシャップTele Atlas B.V.
发明人：マルチンミーハウクミーチク， , ウォチエク，トマズノワック，
IPC分类号： G06T1/00 , G06T3/00 , G06T11/60
CPC分类号： G06T3/00 , G01C11/02 , G01C21/32 , G06T3/4038 , G06T5/006 , G09B29/102 , G11C11/02
摘要：本発明は、オルソ補正タイルを生成する方法に関する。この方法は、地上カメラにより取得されるソース画像を取得する工程と、ソース画像と関連する位置データを取得する工程と、ソース画像と関連する方位データを取得する工程と、オルソ補正タイルを取得するために対応する位置データ及び方位データによりソース画像を取得する工程とを有する。ここで、オルソ補正タイルは、オルソ補正モザイクを生成するために使用される。本発明により、地上カメラにより記録される画像は、対応する道路標識を有する路面の地図を生成するために使用される。

12. 发明专利

JP2006501596A Storage system using an array of electromagnetic sensors 审中-公开
公开(公告)号：JP2006501596A
公开(公告)日：2006-01-12
申请号：JP2004541091
申请日：2003-09-30
申请人：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィKoninklijke Philips Electronics N.V.
发明人：ハウテン，ヘンドリクファン , ハーレンセン，カルス−ミヒール
IPC分类号： G11B5/02 , G11B5/00 , G11B5/012 , G11B5/03 , G11B5/09 , G11B5/39 , G11B5/48 , G11B5/49 , G11B5/62 , G11B5/74 , G11B5/82 , G11B7/125 , G11B9/00 , G11B9/06 , G11B11/00 , G11B11/08 , G11B17/04 , G11B23/00 , G11B23/03 , G11B23/033 , G11B23/50 , G11C11/02 , G11C11/16
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/00 , G11B5/012 , G11B5/03 , G11B5/09 , G11B5/3909 , G11B5/3932 , G11B5/4886 , G11B5/4984 , G11B5/743 , G11B5/82 , G11B9/14 , G11B9/1445 , G11B9/1454 , G11B9/1472 , G11B9/1481 , G11B11/007 , G11B11/08 , G11B23/0014 , G11B2005/0002 , G11B2005/0005 , G11B2005/0008 , G11C11/02 , G11C11/16
摘要：リムーバブルタイプの記録担体（４０）は、ビットロケーション（１１）のアレイにより構成される電磁気材料のパターンが設けられた情報面を有する。情報面における電磁気材料の有無が、ビットロケーションの値を表す。記憶装置は、情報面と協働するインタフェース面（３２）を有する。インタフェース面には、ニアフィールド作動距離における電磁気材料の存在に反応する電磁気センサ素子（５４、５６）のアレイが設けられる。記録担体及び記憶装置を有するシステムは、記録担体が記憶装置内に取付けられた際、ビットロケーションと対応するセンサ素子との間のニアフィールド作動領域において、ビットロケーションをセンサ素子の付近に位置付ける位置合わせ手段（３８、４１）を有する。

13. 发明专利

JPS5955059A Non-volatile random access memory device 失效
标题翻译：非易失性随机访问存储器件
公开(公告)号：JPS5955059A
公开(公告)日：1984-03-29
申请号：JP16486482
申请日：1982-09-24
申请人： Fujitsu Ltd
发明人： SASAKI NOBUO , INABA TOORU
IPC分类号： H01L27/112 , G11C11/02 , H01L21/8246 , H01L21/8247 , H01L27/105 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC分类号： G11C11/02
摘要： PURPOSE:To obtain a non-volatile random access memory device which can hold stored contents even if a power source voltage is failed while maintaining high integration, high speed operation and inexpensive cost by forming a magnetic unit which has a switching element and an enclosed section in a semiconductor substrate. CONSTITUTION:In a peripheral circuit, a word line W1 and a digit line D1 are selected, the first current source is operated to magnetize a memory cell 11 to logic ''1'', the second current source is operated to generate a reverse current having equal absolute value to the first current source to magnetize the memory cell 11 to logic ''0''. The memory cell 11 is held in this state irrespective of the presence or absence of a power source failure. Then, the third current source which has a current value smaller than the first or second current source but sufficient to detect the magnetized state without varying the magnetized state of the magnetic unit 7 is operated. Writing or reading out can be performed by the current which flows through the hollow part of the unit 7.
摘要翻译：目的：通过形成具有开关元件和封闭部分的磁性单元，获得能够保持存储内容的非易失性随机存取存储器件，即使在电源电压失效的同时保持高集成度，高速操作和廉价的成本在半导体衬底中。构成：在外围电路中，选择字线W1和数字线D1，操作第一电流源以将存储器单元11磁化为逻辑“1”，第二电流源被操作以产生反向电流对第一电流源具有相等的绝对值，以将存储器单元11磁化成逻辑“0”。无论存在或不存在电源故障，存储单元11都保持在该状态。然后，操作具有小于第一或第二电流源但足以检测磁化状态而不改变磁性单元7的磁化状态的电流值的第三电流源。写入或读出可以通过流过单元7的中空部分的电流进行。

14. 发明专利

JP2018508769A 自動磁気流量記録デバイス审中-公开
公开(公告)号：JP2018508769A
公开(公告)日：2018-03-29
申请号：JP2017541011
申请日：2016-02-02
申请人：江▲蘇▼多▲維▼科技有限公司 , MULTIDIMENSION TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：ディーク、ジェイムズゲザ , グオハイピン , チェンシャオフェン , ゾウジミン
IPC分类号： G01F1/00 , G01B7/30 , G01F1/075 , G01F15/06
CPC分类号： G11C11/02 , G01B7/30 , G01F15/06 , G01R33/091
摘要：自動磁気流量記録デバイスは、複数の同軸配置された硬磁性回転ホイール1を備え、硬磁性回転ホイールは円形であり、互いに対して所定の伝達比で回転する。各硬磁性回転ホイールは少なくとも1つの対応する2軸磁気抵抗角度センサ2を有する。2軸磁気抵抗角度センサは0〜360度の範囲内で硬磁性回転ホイールの角度位置を測定する。2軸磁気抵抗角度センサは2つの単軸線形磁気抵抗センサを備え、単軸線形磁気抵抗センサはX軸磁気抵抗センサまたはZ軸磁気抵抗センサである。X軸磁気抵抗センサは硬磁性回転ホイールの円周の接線に平行な磁界成分を測定する。Z軸磁気抵抗センサは硬磁性回転ホイールの径方向に沿った磁界成分を測定する。この流量記録デバイスはXY2軸角度センサを有する電子流量計と比べていくつかの利点を有する。それらは取付け位置の自由度、隣接する硬磁性回転ホイールの干渉が小さいことおよび低電力消費を含む。【選択図】図1

15. 发明专利

JP2017216032A インプリンティング方式を用いた磁化状態制御方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017216032A
公开(公告)日：2017-12-07
申请号：JP2017094014
申请日：2017-05-10
申请人：コリアリサーチインスティチュートオブスタンダーズアンドサイエンス
发明人：ムン,ギョンウン , ファン,チャンヨン
IPC分类号： G11B5/84 , G11B5/86
CPC分类号： G11C19/0833 , G11B5/012 , G11B5/82 , G11B5/865 , G11C11/02 , G11C11/14 , G11C11/48 , H01F13/003 , H01F10/06
摘要：【課題】インプリンティング方式を用いた磁化状態制御方法を提供する。【解決手段】互いに異なる磁化状態を有する第1磁性構造体10と第2磁性構造体20が互いに隣接するように矢印P1方向に移動させる段階及び第1磁性構造体と第2磁性構造体が隣接すると、第1磁性構造体の磁化状態M又は第2磁性構造体の磁化状態Mが変化する段階を含む。第1磁性構造体の磁化状態又は第2磁性構造体の磁化状態が変化する段階では、第1磁性構造体と第2磁性構造体のうち、いずれか一つの磁化状態Mで発生した磁場によって、残り一つの磁化状態Mが整列される。【選択図】図2

16. 发明专利

JP6071401B2 磁気メモリ有权
标题翻译：磁记忆
公开(公告)号：JP6071401B2
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：JP2012225910
申请日：2012-10-11
申请人：株式会社東芝
发明人：近藤剛 , 森瀬博史 , 中村志保 , 島田拓哉 , 福住嘉晃 , 青地英明
IPC分类号： H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08 , G11C11/15 , H01L21/8246
CPC分类号： G11C11/02 , G11C11/16 , G11C19/0808 , G11C19/0841 , G11C21/00 , B82Y10/00 , G11C2213/52 , Y10S977/762 , Y10S977/838 , Y10S977/943

17. 发明专利

JP5883772B2 プラズマ処理方法有权
公开(公告)号：JP5883772B2
公开(公告)日：2016-03-15
申请号：JP2012258087
申请日：2012-11-27
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：吉田篤 , 山本直広 , 須山淳 , 山田健太郎 , 藤田大介
IPC分类号： H01L43/08 , H01L43/12 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L21/3065
CPC分类号： G11C11/02 , H01L43/12

18. 发明专利

JP5794892B2 磁気メモリ有权
标题翻译：磁记忆
公开(公告)号：JP5794892B2
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：JP2011237544
申请日：2011-10-28
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：苅屋田英嗣 , 末光克巳 , 谷川博信 , 森馨 , 鈴木哲広 , 永原聖万 , 尾崎康亮 , 大嶋則和
IPC分类号： H01L27/105 , H01L43/08 , H01L29/82 , H01L21/8246
CPC分类号： H01L43/10 , G01R33/091 , G11C11/02 , G11C11/14 , G11C11/161 , G01R33/098 , G11C11/15 , Y10T428/1114 , Y10T428/1121 , Y10T428/1143

19. 发明专利

JP2014078617A Magnetic memory 有权
标题翻译：磁记忆
公开(公告)号：JP2014078617A
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：JP2012225910
申请日：2012-10-11
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： KONDO TAKESHI , MORISE HIROSHI , NAKAMURA SHIHO , SHIMADA TAKUYA , FUKUZUMI YOSHIAKI , AOCHI HIDEAKI
IPC分类号： H01L27/105 , G11C11/15 , H01L21/8246 , H01L29/82 , H01L43/08
CPC分类号： G11C11/02 , B82Y10/00 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C19/0808 , G11C19/0841 , G11C21/00 , G11C2213/52 , Y10S977/762 , Y10S977/838 , Y10S977/943
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a magnetic memory for reducing power consumption.SOLUTION: The magnetic memory has a magnetic fine wire having a first face and a second face opposite from the first face, a first end face on which a plurality of first insulation layers provided on the first face of the magnetic fine wire in a first direction in which the magnetic fine wire extends intersect the first direction, and a second end face arranged oppositely from the first end face and separately from the first end face in the first direction, has a plurality of first insulation layers in which the thickness of the first insulation layer in the first end face is thicker than that of the first insulation layer in the second end face, a plurality of first electrodes provided on a surface of the first insulation layer, a third end face in which a plurality of second insulation layers provided on the second face of the magnetic fine wire in the first direction intersects the first direction, and a fourth end face arranged oppositely from the third end face and separately from the third end face in the first direction, and includes a plurality of second insulation layers in which the thickness of the second insulation layer in the third end face is thicker than that of the second insulation layer in the fourth end face, and a plurality of second electrodes provided on the surface of the second insulation layers.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于降低功耗的磁存储器。解决方案：磁存储器具有磁性细线，其具有第一面和与第一面相对的第二面，第一端面上多个第一绝缘层在磁性细线的第一方向上设置有磁性细线延伸的第一方向与第一方向相交的第二端面和与第一端面相反地分开设置的第一端面，具有多个第一绝缘层，其中第一端面中的第一绝缘层的厚度比第二端面中的第一绝缘层的厚度厚，设置在第一绝缘层的表面上的多个第一电极第三端面，其中设置在第一方向上的磁性细线的第二面上的多个第二绝缘层与第一方向相交，第所述第四端面与所述第三端面相反地设置，并且在所述第一方向上与所述第三端面分开，并且包括多个第二绝缘层，所述第三绝缘层的第三端面中的厚度比第四端面中的第二绝缘层，以及设置在第二绝缘层的表面上的多个第二电极。

20. 发明专利

JP2014049497A Nonvolatile semiconductor storage device and operation method of the same 审中-公开
标题翻译：非易失性半导体存储器件及其操作方法
公开(公告)号：JP2014049497A
公开(公告)日：2014-03-17
申请号：JP2012189094
申请日：2012-08-29
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： NAKAI TSUKASA , OSEGI JUNICHI , AOKI NOBUTOSHI
IPC分类号： H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： G11C11/16 , G11C7/1006 , G11C11/005 , G11C11/02 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C14/0045 , G11C2213/72 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L43/08 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1675
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To improve durability in rewriting, data retention characteristic and a resistance ratio between ON/OFF states while achieving a low-current operation.SOLUTION: A nonvolatile semiconductor storage device according to the present embodiment comprises: a semiconductor substrate; and memory cells which are arranged on the semiconductor substrate and include variable resistive elements, respectively. The variable respective element includes a lamination structure composed of a phase change element which has at least two resistive states different from each other by making a crystal condition variable and a magnetoresistance effect element which has at least two resistive states different from each other by making a magnetization state variable and which applies or does not apply a magnetic field to the phase change element depending on the magnetization state.
摘要翻译：要解决的问题：在实现低电流操作的同时，提高重写的耐久性，数据保持特性和ON / OFF状态之间的电阻比。解决方案：根据本实施例的非易失性半导体存储装置包括：半导体衬底; 以及分别设置在半导体基板上并包括可变电阻元件的存储单元。可变相应元件包括通过使晶体状态变化而具有至少两个彼此不同的电阻状态的相变元件和具有至少两个电阻状态的磁阻效应元件的叠层结构，所述至少两个电阻状态彼此不同，磁化状态变量，并根据磁化状态对相变元件施加或不施加磁场。

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