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11. 发明专利

JP4331936B2 Compound semiconductor manufacturing methods and compound semiconductor manufacturing equipment 有权
公开(公告)号：JP4331936B2
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：JP2002368333
申请日：2002-12-19
申请人：農工大ティー・エル・オー株式会社
发明人：義直熊谷 , 明伯纐纈
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/30 , C30B25/02 , H01L31/0264 , H01L33/30
CPC分类号： C30B29/40 , C23C16/301

12. 发明专利

JP2003332251A METHOD OF MANUFACTURING HIGH QUALITY InGaAsN SEMICONDUCTOR 审中-公开
标题翻译：制造高品质InGaAsN半导体的方法
公开(公告)号：JP2003332251A
公开(公告)日：2003-11-21
申请号：JP2003082488
申请日：2003-03-25
申请人： Agilent Technol Inc , アジレント・テクノロジーズ・インク
发明人： TAKEUCHI TETSUYA , CHANG YING-LAN , BOUR DAVID P , LEARY MICHAEL H , TAN MICHAEL R T , LUAN ANDY
IPC分类号： H01L21/331 , C23C16/30 , C23C16/44 , C30B25/02 , H01L21/205 , H01L29/737 , H01S5/183 , H01S5/323
CPC分类号： C30B25/02 , C23C16/301 , C23C16/4401 , C23C16/4405 , C30B29/403 , H01L21/02395 , H01L21/02463 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/02546 , H01L21/02579 , H01L21/0262
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method for reducing Al contamination in an InGaAsN active layer and improving quality of InGaAsN having a surface structure.
SOLUTION: The method manufactures a semiconductor in a single reactor chamber by using metalorganic vapor deposition. The method comprises a process for disposing a substrate comprising GaAs in the reactor chamber, a process for growing a plurality of semiconductor layers in which at least one semiconductor layer comprises aluminum on the substrate, a process for introducing a gas flow comprising chemicals removing aluminum into the reactor chamber having the substrate and a plurality of the semiconductor layers and a process for growing a layer comprising In, Gam As and N on a plurality of the semiconductor layers after the gas flow is stopped.
COPYRIGHT: (C)2004,JPO
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于减少InGaAsN活性层中的Al污染并提高具有表面结构的InGaAsN的质量的制造方法。解决方案：该方法通过使用金属有机气相沉积在单个反应器室中制造半导体。该方法包括用于在反应器室中设置包括GaAs的衬底的工艺，用于生长多个半导体层的工艺，其中至少一个半导体层在衬底上包含铝，将包含除去铝的化学物质的气流引入反应室具有基板和多个半导体层，以及在气体流动停止之后，在多个半导体层上生长包括In，Gam As和N的层的工艺。版权所有（C）2004，JPO

13. 发明专利

JPS5975622A Manufacture of semiconductor by organic metal vapor growth method 失效
标题翻译：有机金属蒸汽生长法制备半导体
公开(公告)号：JPS5975622A
公开(公告)日：1984-04-28
申请号：JP18702582
申请日：1982-10-25
申请人： Nippon Sanso Kk
发明人： UMENO MASAYOSHI , SAKAI SHIROU
IPC分类号： H01L31/04 , C23C16/30 , C23C16/44 , C30B25/02 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/301 , C23C16/4404 , H01L21/02546 , H01L21/0262
摘要： PURPOSE:To produce heterogeneous surface bonding of high performance by efficient removal of trace amount of oxygen or water content remained in the gas pipe or contained in the air or the material gas entering into by leakage by purging with aluminum alkyl supplied for supplying pipes of various material gas and for an oven heated up to a specified temperature. CONSTITUTION:Trimethylaluminum is introduced into a gas pipe and an oven where temperature is kept at 70-300 deg.C, more preferably 100-150 deg.C, and then hydrogen gas is introduced to cleanse said pipe and oven. After that the temperature is raised up to predetermined crystal growth temperature, approximate 800 deg.C and a material gas desired according to a crystal to be grown in the same way as in conventional method is introduced into an oven F with being accompanied by hydrogen gas properly. When trimethylaluminum is introduced into the pipes and the oven F in advance of crystal growth operation as described above, trimethylaluminum adheres to walls of the pipes and the oven F so that oxygen and water content contained in various material gas flowing in the pipes or the oven after said introduction take place furious reaction with residual trimethylaluminum and are continuously removed. Consequently crystal growth is made excellently and elements of higher performance are obtained.
摘要翻译：目的：通过有效去除气体管道中残留的痕量氧气或水分含量，或通过用供应各种管道的管道的烷基铝的净化而被空气或通过泄漏进入的材料气体，产生高性能的异质表面粘合材料气体和加热到指定温度的烘箱。构成：将三甲基铝引入气体管道和温度保持在70-300℃，更优选为100-150℃的烘箱中，然后引入氢气以清洁所述管道和烘箱。之后，将温度提高到预定的晶体生长温度，将大约800摄氏度，按照与常规方法相同的方式生长的根据晶体所需要的材料气体被引入到伴随有氢气的烘箱F中正常。当三甲基铝在如上所述的晶体生长操作之前被引入管道和烘箱F中时，三甲基铝粘附到管道和炉子F的壁上，使得在管道或烤箱中流动的各种原料气体中含有的氧气和水分含量在引入后，与残留的三甲基铝发生激烈反应，并连续除去。因此，晶体生长得到了很好的提高，并且获得了更高性能的元件。

16. 发明专利

JP2015528780A 同心流反応装置有权
标题翻译：同心流动反应器
公开(公告)号：JP2015528780A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：JP2015513974
申请日：2013-05-24
申请人：ソルヴォルテイックスエービーSol Voltaics Ab , ソルヴォルテイックスエービーSol Voltaics Ab
发明人：グレッグオルコット， , グレッグオルコット， , マーティンマグヌッセン， , マーティンマグヌッセン， , オリヴィエポステル， , オリヴィエポステル， , クヌートデッパート， , クヌートデッパート， , ラーシュサミュエルソン， , ラーシュサミュエルソン， , ヨナスオールソン， , ヨナスオールソン，
IPC分类号： C30B29/62 , B82Y40/00 , H01L21/205
CPC分类号： C30B25/14 , C23C16/301 , C23C16/45504 , C23C16/45519 , C30B11/003 , C30B11/006 , C30B11/12 , C30B23/007 , C30B25/005 , C30B25/025 , C30B29/06 , C30B29/40 , C30B29/403 , C30B29/42 , C30B29/60 , C30B29/62 , Y10T117/102
摘要：反応チャンバと第1入力部と第2入力部とを含む気相ナノワイヤ成長装置。第1入力部は、第2入力部の中に、同心に位置し、第1入力部及び第2入力部は、第2入力部から配送される第2流体が、第1入力部から配送される第1流体と反応チャンバの壁との間に、シースを与えるように構成される。
摘要翻译：所述反应室和所述第一输入单元蒸气纳米线生长装置和第二输入单元。第一输入单元，在所述第二输入部，同心地定位，第一输入和第二输入单元，从所述第二输入单元被输送的第二流体，被从第一输入单元输送第一流体和被配置为提供一个鞘反应室的壁之间。

18. 发明专利

JP2013171948A Light-emitting element, epitaxial wafer and manufacturing method of the same 审中-公开
标题翻译：发光元件，外延波形及其制造方法
公开(公告)号：JP2013171948A
公开(公告)日：2013-09-02
申请号：JP2012034400
申请日：2012-02-20
申请人： Sumitomo Electric Ind Ltd , 住友電気工業株式会社
发明人： FUJII KEI , ISHIZUKA TAKASHI , AKITA KATSUSHI
IPC分类号： H01L33/30 , C23C16/22 , H01L21/205 , H01L33/22
CPC分类号： H01L33/06 , B82Y20/00 , C23C16/301 , C30B25/183 , C30B29/40 , C30B29/42 , H01L21/02392 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02466 , H01L21/02507 , H01L21/02546 , H01L21/02549 , H01L21/0262 , H01L33/0062 , H01L33/30 , H01S5/3422 , H01S2304/04
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light-emitting element and an epitaxial wafer, which can extract sufficiently high intensity light by using a type-II MQW (Multi-Quantum Well) of a group III-V compound semiconductor.SOLUTION: A manufacturing method of a light-emitting element comprises a process of growing an active layer composed of a type-II multi-quantum well (MQW) on a group III-V semiconductor substrate. In a formation process of the type-II multi-quantum well, the type-II multi-quantum well is formed by a total metal organic chemical vapor deposition method. And the number of pairs of the type-II multi-quantum wells is 25 and over.
摘要翻译：要解决的问题：提供通过使用III-V族化合物半导体的II型MQW（多量子阱）来提供足够高强度的光的发光元件和外延晶片。解决方案：制造发光元件的方法包括在III-V族半导体衬底上生长由II型多量子阱（MQW）组成的有源层的工艺。在II型多量子阱的形成过程中，II型多量子阱由全金属有机化学气相沉积法形成。而II型多量子阱的对数为25个以上。

20. 发明专利

JP2007520409A Controlled growth of nitride nanostructures 审中-公开
公开(公告)号：JP2007520409A
公开(公告)日：2007-07-26
申请号：JP2006544088
申请日：2004-12-13
申请人：イエールユニバーシティ
发明人：ドラゴスチューパル， , ジュンハン， , リサプフェッファーレ， , ゲイリーヘラー，
IPC分类号： C01B21/06 , B82B1/00 , B82B3/00 , C23C16/04 , C23C16/30 , C30B25/00 , C30B25/02 , C30B29/40 , C30B29/60 , H01L21/302 , H01L21/461
CPC分类号： C30B29/406 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C01B21/0632 , C01P2004/04 , C01P2004/13 , C01P2004/16 , C01P2004/17 , C23C16/045 , C23C16/301 , C30B25/00 , C30B25/02 , C30B29/605 , Y10S977/816 , Y10S977/891 , Y10S977/893
摘要：高度の構造秩序及び狭い細孔直径分布（±０．１５ナノメートル半値幅（ＦＷＨＭ））を備えた、遷移金属で置換された、非結晶性メソポーラスシリカ枠構造物が合成され、例えば、単層のナノチューブ、ナノパイプ及びナノワイヤーのようなＧａＮナノ構造体の鋳型成長に使用された。ＧａＮナノ構造体の物理学的特性（直径、直径の分布、電気的な特性）が、鋳型の細孔直径及び細孔壁の化学的性質により制御されうる。ＧａＮナノ構造体は、例えばフィールドエミッタのようなナノスケールの電子デバイスや化学センサで使用されうる。

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