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2. 发明专利

JP2004514642A Apparatus for carrying out the method as well as methods that in particular depositing a crystalline film 有权
公开(公告)号：JP2004514642A
公开(公告)日：2004-05-20
申请号：JP2002546789
申请日：2001-10-27
申请人：アイクストロン、アーゲー
发明人：ストラウハ、ゲルド , ダウェルスベルグ、マルティン , ブレムサー、マイケル
IPC分类号： C23C16/455 , C30B25/14 , H01L21/205
CPC分类号： C30B25/14 , C23C16/455
摘要：【課題】有機金属の分解生成物の分解は導入領域においてのみ実施され、沈積領域における分解生成物のガス相の分圧（消耗）はほぼ直線的な経過を維持させる。
【解決手段】特に結晶質皮膜を、ＣＶＤ反応炉の処理室（１）において特に結晶質の基板に沈積するため、少なくとも第１（Ｇ１）および第（Ｇ２）の反応ガスが互いに分離された導管（６、７）を通って処理室（１）の入口領域（Ｅ）におけるガス出口領域（８、９）に導かれ、ガス出口領域（８、９）は処理室床（２）および処理室天井（３）の間に上下に設けられて異なる高さ（Ｈ１、Ｈ２）を有しており、第１の反応ガス（Ｇ１）は場合によっては搬送ガス（Ｔ１）と共に処理室床（２）に隣接するガス出口領域（９）から流出し、処理室床（２）から離れたガス出口（９）から流出する第２の反応ガス（Ｇ２）は少なくとも搬送ガス（Ｔ２）と混合され、ガス流のパラメータは、第２の反応ガス（Ｇ２）はほぼ入口領域（Ｅ）において熱分解され、分解生成物は入口領域（Ｅ）の下流部分に配置された沈積領域（Ｄ）で、ガス（Ｇ１、Ｇ２、Ｔ１、Ｔ２）の流れの方向に対し横方向に処理室床（２）に置かれた基板（４）に拡散し、第１の反応ガス（Ｇ１）の分解生成物と共に皮膜に凝縮するように選定される方法である。長い沈積領域の場合においても、有機金属の分解生成物の分解は入口領域においてのみ実施され、沈積領域における分解生成物のガス相の分圧（消耗）はほぼ直線的な経過を維持させるため、本発明は第２の反応ガス（Ｇ２）と混合される搬送ガス（Ｔ２）の動粘度を、特に動粘度が著しく異なる２種類のガス（Ｔ２'、Ｔ２''）を混合することによって、ほぼ等しい平均ガス速度において両方のガス出口領域（８、９）におけるレイノルズ数（Ｒ１、Ｒ２）の商がほぼ１になるように調節することを提案している。
【選択図】図１

3. 发明专利

JP4922540B2 Crystal structure layer deposition method and gas inhalation element 有权
公开(公告)号：JP4922540B2
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：JP2002529574
申请日：2001-07-14
申请人：アイクストロン、アーゲー
发明人：カペラ、ヨハネス , ストラウハ、ゲルド , ダーウェルスベルグ、マルティン
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/30 , C23C16/44 , C23C16/455 , C30B25/14 , C30B29/40
CPC分类号： C23C16/45574 , C23C16/45508 , C23C16/45568 , C23C16/45576 , C30B25/14

4. 发明专利

JP4587640B2 Crystal layer deposition apparatus and a crystal layer deposition method 有权
公开(公告)号：JP4587640B2
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：JP2002522580
申请日：2001-07-13
申请人：アイクストロン、アーゲー
发明人：カペラ、ヨハネス , ジューゲンゼン、ホルガー , ストラウハ、ゲルド
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/44 , C23C16/455 , C30B25/14 , C30B29/36
CPC分类号： C23C16/45572 , C23C16/455 , C30B25/14

5. 发明专利

JP4897184B2 Deposition method and the deposition apparatus for depositing a crystal structure layer 有权
公开(公告)号：JP4897184B2
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：JP2002530836
申请日：2001-08-31
申请人：アイクストロン、アーゲー
发明人：ストラウハ、ゲルド , レインホルド、マルクス
IPC分类号： C30B25/14 , C23C16/44 , C23C16/455 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45508 , C23C16/45568 , C23C16/45576 , C23C16/4558 , C30B25/14
摘要： The invention relates to a method and to a device for carrying out the method for depositing, in particular, crystalline layers on substrates that are also, in particular, crystalline. According to the invention, at least two process gases are introduced separate from one another into a process chamber of a reactor, whereby the first process gas flows through a central line having a central outlet opening, and the second process gas flows through a line, which is peripheral thereto and which has a peripheral outlet opening. The second process gas flows through one or more supply lines and into a mixing chamber and flows through additional means, which influence the gas stream and which are provided for homogenizing the radial flow profile of the process gas exiting the peripheral outlet opening. The aim of the invention is to obtain a homogeneous radial flow profile by using simple means. To this end, the invention provides that the second process gas flows through a flow influencing element, which is situated downstream from the mixing chamber and which is provided, in particular, in the form of an annular throttle or of turbulence generator, and flows through an annular pre-chamber situated downstream therefrom, after which said second process gas exits through a gas-permeable gas outlet ring.

6. 发明专利

JP2004526324A In particular apparatus or method of depositing from the gas phase onto a substrate especially of the crystalline crystalline layer 有权
公开(公告)号：JP2004526324A
公开(公告)日：2004-08-26
申请号：JP2002581713
申请日：2002-01-26
申请人：アイクストロン、アーゲー
发明人：カーペラー、ヨハネス , ストラウハ、ゲルド , ヘウケン、ミカエル , ベッカルド、レイネル
IPC分类号： C23C16/30 , C23C16/44 , C23C16/448 , C23C16/455 , C23C16/458 , C30B25/02 , C30B25/12 , C30B25/14 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45574 , C23C16/301 , C23C16/4481 , C23C16/45565 , C23C16/45568 , C23C16/4584 , C30B25/02 , C30B25/12 , C30B25/14 , C30B29/403 , C30B29/406
摘要：【課題】ガス層から結晶層を特に結晶基板上に特に堆積する装置又は方法を提供する。
【解決手段】この装置は、少なくとも一個の基板（３）を受ける基板支持体（２）を備える加熱反応室（１）と；ガス状ハロゲン化物が、基板ガスと共にソースに供給されるハロゲン、特にＨＣｌと、ガス流入口部分（５）を通して基板支持体（２）により支持された基板に輸送される金属、例えばソース（４）に関わるＧａ、Ｉｎ、Ａｌとの化学反応により形成される一個以上の加熱されたソース（４）と；水酸化物、特にＮＨ
３、ＡｓＨ
３又はＰＨ
３を反応室に供給する水酸化物供給体（６）とを備える。複数個の回転駆動される基板支持体（２）が基板支持キャリア（７）上に環状に配置され、ソースは上記基板支持キャリアの中央に配置される。
【選択図】図２

7. 发明专利

JP2004514997A A method and apparatus for metering of delivery of the low volume liquid stream 审中-公开
公开(公告)号：JP2004514997A
公开(公告)日：2004-05-20
申请号：JP2002546786
申请日：2001-11-10
申请人：アイクストロン、アーゲー
发明人：ジャコブ、マルクス , ストラウハ、ゲルド , リンドネル、ヨハネス
IPC分类号： B05B9/04 , C23C16/448 , C23C16/52 , G05D7/06 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/4486 , C23C16/52 , G05D7/0635
摘要：【課題】低容量液体流の計量化送出の一般的なタイプの方法と装置を提供する。
【解決手段】上記方法と装置は、液体を収容するタンク内へのガス流の導入と液体導管を通しての液体の押し退け量により実現される。更に、この方法を改良するために、一定レベルに維持され、タンク（４）内のガス圧力に実質的に対応する圧力（Ｐ１）で部分ガス流（Ｑ２）が質量流制御ガス流（Ｑ１）から転換され、この部分ガス流は上記タンクに案内されて液体を押し退け、部分ガス流（２）の質量流が測定される。圧力（Ｐ１）の変化により部分ガス質量流が設定され、その容量流は、ガス密度（Ｑ１）を考慮することにより決定され、液体容量流（Ｑ３）に対する所望値に対応する。
【選択図】図１

8. 发明专利

JP2004507898A Especially on a substrate of a crystalline, in particular apparatus and method for depositing a layer of crystalline 有权
公开(公告)号：JP2004507898A
公开(公告)日：2004-03-11
申请号：JP2002522580
申请日：2001-07-13
申请人：アイクストロン、アーゲー
发明人：カペラ、ヨハネス , ジューゲンゼン、ホルガー , ストラウハ、ゲルド
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455 , C30B25/14 , C30B29/36 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45572 , C23C16/455 , C30B25/14
摘要：【課題】ガス導入範囲における分解生成物の液化を防止する。
【解決手段】本発明は、特に結晶質の層を１つ以上の特に処理室（１）の同様な基板上に、処理室に導入されそこで熱分解によって変換された処理ガスによって沈積させる装置に関するもので、処理室（１）は第１の壁（３）および第１の壁に対向する第２の壁（４）を有し、少なくとも１つの加熱された基板保持器（４５）が第１の壁に配置され、少なくとも１つの反応ガスがガス導入装置（６）によって処理室（１）に供給される。早期の資源ガスの分解および分解生成物を含むガス流の局部的な過飽和を防止するため、ガス導入装置を液体で冷却することを提案している。
【選択図】図２

9. 发明专利

JP4961092B2 In particular one or more crystalline substrate, in particular an apparatus for depositing a layer of crystalline 有权
公开(公告)号：JP4961092B2
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：JP2002522571
申请日：2001-08-01
申请人：アイクストロン、アーゲー
发明人：カペラ、ヨハネス , ジューゲンゼン、ホルガー , ストラウハ、ゲルド
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/205 , C23C16/44 , C30B25/14
CPC分类号： C30B25/14 , C23C16/4412

10. 发明专利

JP4303966B2 Apparatus for carrying out the method as well as methods that in particular depositing a crystalline film 有权
公开(公告)号：JP4303966B2
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：JP2002546789
申请日：2001-10-27
申请人：アイクストロン、アーゲー
发明人：ストラウハ、ゲルド , ダウェルスベルグ、マルティン , ブレムサー、マイケル
IPC分类号： C30B25/14 , C23C16/455 , H01L21/205
CPC分类号： C30B25/14 , C23C16/455

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