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1. 发明专利

JP6325104B2 基板処理装置有权
公开(公告)号：JP6325104B2
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：JP2016535394
申请日：2014-08-04
申请人：アイクストロン、エスイー
发明人：ブライエン、ダニエル
IPC分类号： C23C16/46 , C23C16/52 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/67103 , C23C16/301 , C23C16/4583 , C23C16/46 , C23C16/52 , C30B25/10 , C30B25/16 , C30B29/40 , G05D23/1917 , H01L21/67248 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H05B1/0233 , H05B6/06 , H05B6/105

2. 发明专利

JP2018510118A 結晶格子湾曲のないＡ−Ｂ結晶の成長审中-公开
公开(公告)号：JP2018510118A
公开(公告)日：2018-04-12
申请号：JP2017549197
申请日：2016-03-18
申请人：フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング , FREIBERGER COMPOUND MATERIALS GMBH
发明人：ヴァイナート,ベルンツ , ハベル,フランク , ライビガー,グンナー
IPC分类号： C30B29/38 , C23C16/34 , C30B25/18 , C30B29/36 , C30B29/40 , C30B29/42 , C30B29/44 , C30B29/46 , H01L21/205
CPC分类号： C30B25/08 , C30B25/02 , C30B25/183 , C30B29/40 , C30B29/406
摘要：本発明は、III−V−、IV−IV−またはII−VI化合物半導体結晶の製造プロセスに関する。このプロセスは、必要に応じて1つの結晶層(バッファ層)を備えた基板を提供することから始まる。続いて、結晶成長反応器の反応温度において気体であり、選択された反応条件で互いに反応し得る化合物半導体(II、III、IV、V、VI)の元素の少なくとも2つの反応体を含む気相が提供される。2つの反応体の濃度比は、化合物半導体結晶が気相から結晶化できるように調整され、その濃度は、結晶形成が可能であるように高く選択され、ここで、III−、IV−、またはII−化合物の気相中の活性は、還元手段および共反応体を添加または調整することによって低下させ、結果として結晶成長速度は、共反応体が存在しない状態と比較して遅くなる。ここで、化合物半導体結晶は基板の表面に堆積されるが、液相は成長する結晶上に形成し得る。また、補助物質を添加でき、液相中に含有させることもできるが、化合物半導体結晶中に少量でのみ取り込まれる。ここで、3Dおよび2D成長モードは、目標とする方法で制御することができる。補助物質の添加および液相の存在はこれらの手段に有利である。生成物は、それぞれ従来の化合物半導体結晶と比較して、より低い濃度のインクルージョンまたは析出物を有し、それにもかかわらず湾曲がないまたは湾曲が非常にわずかであるそれぞれのIII−V、IV−IVまたはII−VI化合物半導体結晶の単結晶である。【選択図】図1

3. 发明专利

JP6300786B2 リン化インジウム単結晶の製造方法有权
公开(公告)号：JP6300786B2
公开(公告)日：2018-04-04
申请号：JP2015508250
申请日：2014-03-11
申请人： JX金属株式会社
发明人：野田朗 , 太田優 , 平野立一
IPC分类号： C30B15/22 , C30B27/02 , H01L31/0735 , C30B29/40
CPC分类号： H01L31/03042 , C30B15/04 , C30B15/20 , C30B15/203 , C30B15/22 , C30B15/30 , C30B27/02 , C30B29/40 , C30B29/42 , H01L31/0735 , H01L31/184 , Y02E10/544 , Y02P70/521

6. 发明专利

JP2017124968A III−Nテンプレート审中-公开
公开(公告)号：JP2017124968A
公开(公告)日：2017-07-20
申请号：JP2017009080
申请日：2017-01-23
申请人：フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング , FREIBERGER COMPOUND MATERIALS GMBH
发明人：リプスキー,フランク , ショルツ,フェルディナンド , クライン,マーティン , ハベル,フランク
IPC分类号： C23C16/34 , C30B29/38
CPC分类号： C30B25/16 , C30B25/04 , C30B25/10 , C30B25/18 , C30B29/40 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/02436 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , Y10T428/24851
摘要：【課題】異種基板と、異種基板上にCVD法により成長させたIII−N結晶とを含むテンプレートであって、結晶成長中および冷却後にIII−N結晶が受ける外因性および内因性応力を制御することにより得られる亀裂発生や結晶欠陥のないテンプレートの提供。【解決手段】結晶成長中に温度、マスク層、成長結晶の厚みなど、特定のパラメーターを調節することによって、テンプレートの曲率の変化を観察しながらサファイア基板上へIII−N結晶を成長させたテンプレート。【選択図】なし

7. 发明专利

JPWO2014156596A1 リン化インジウムウエハ、光電変換素子、およびリン化インジウム単結晶の製造方法有权
标题翻译：磷化铟晶片，光电转换元件，和磷化铟单晶的制造方法
公开(公告)号：JPWO2014156596A1
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：JP2015508250
申请日：2014-03-11
申请人： Jx金属株式会社
发明人：朗野田 , 朗野田 , 太田　優 , 優太田 , 立一平野 , 立一平野
IPC分类号： C30B29/40 , C30B15/22 , C30B27/02 , H01L31/0735
CPC分类号： H01L31/03042 , C30B15/04 , C30B15/20 , C30B15/203 , C30B15/22 , C30B15/30 , C30B27/02 , C30B29/40 , C30B29/42 , H01L31/0735 , H01L31/184 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要： Znを不純物として含有するIII−V族化合物半導体単結晶を基板とする光電変換素子において、変換効率を下げることなく、基板を大型化する。耐熱性の容器に原料および封止剤を充填し、原料および封止剤を加熱することにより、原料を融解させ融液にするとともに、封止剤を融解させ封止剤で前記融液を上方から覆い、封止剤下部に対する封止剤上部の温度が、封止剤下部の温度以上とならない範囲で高くなるよう、容器内の温度を制御し、融液に種結晶を浸漬し、種結晶を融液に対して上方に引き上げることにより、種結晶から単結晶を成長させる。このようにすれば、Znの平均濃度が5×1017cm−3以上3×1018cm−3以下と結晶硬化効果の現れない低濃度にも拘らず、直径2インチ以上と大型で、転位密度が5000cm−2と低い化合物半導体ウエハが得られる。
摘要翻译：含Zn的在光电转换元件到衬底中的杂质，而不降低的转换效率，所述衬底的尺寸的III-V族化合物半导体单晶。材料，并且通过在密封剂加热所述原料和密封剂，以及熔体熔化原料，熔体上方以熔化所述密封剂填充在耐热性的容器内的密封剂覆盖该密封剂的温度上对密封胶底部，将在不密封剂低的温度，而不是控制在容器内的温度的范围时，将籽晶浸入熔体中，籽晶的通过从籽晶提拉向上抵靠熔体生长单晶。因此，尽管低浓度的平均的Zn的浓度不会出现与5×1017厘米-3以上3×1018厘米-3或更小，并且晶体硬化效果，有直径较大，为2英寸或更多，位错密度5000cm- 获得2和下部化合物半导体晶片。

8. 发明专利

JP2016529731A 誘電体ウィンドウ内へのＩＩＩ−Ｖ族成長中の不均一性の成長及びオートドーピングを抑制する方法有权
标题翻译：用于抑制在III-V族生长的非均匀性的生长和自动掺杂到电介质窗口方法
公开(公告)号：JP2016529731A
公开(公告)日：2016-09-23
申请号：JP2016538913
申请日：2014-06-23
申请人：レイセオンカンパニー , レイセオンカンパニー
发明人：ラロチェ，ジェフェリー，アール． , ホーク，ウィリアム，イー． , カジオア，トーマス，イー．
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/18 , C30B1/023 , C30B25/02 , C30B29/40 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02667
摘要：基板の選択部分の上に配置された誘電体層内に形成されたウィンドウを通じて、前記基板の前記選択部分の上にIII−V族材料を堆積する方法が開示される。当該方法は、ウィンドウに隣接する前記誘電体層のフィールド領域の上に単結晶層又は多結晶層を形成することと、MOCVDによって、前記単結晶層又は多結晶層の上に、及びウィンドウを通じて前記基板の選択部分の上に、III−V族材料を成長させることとを含む。
摘要翻译：通过形成在布置电介质层在所述基板，所述选择的衬底中公开的所述一部分上沉积III-V族材料的方法的选定部分的窗口。上述方法中，形成单晶层或在邻近窗口介电层的场区的多晶层，通过MOCVD，在单晶层或多晶层上，并通过该窗口上述基片的选定部分，和日益增长的III-V族材料。

9. 发明专利

JP5961633B2 ピット欠陥が軽減されたIII−V族半導体構造体およびその形成方法有权
标题翻译： III-V族半导体结构凹坑缺陷是其和形成方法减轻
公开(公告)号：JP5961633B2
公开(公告)日：2016-08-02
申请号：JP2013553951
申请日：2012-02-17
申请人：ソイテック
发明人：クリストフフィゲ , エドリンドウ , ピエールトマシニ
IPC分类号： C23C16/34 , H01L21/205
CPC分类号： C30B29/40 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/403

10. 发明专利

JP2016121065A ワイヤーの気相合成审中-公开
标题翻译：气相合成线
公开(公告)号：JP2016121065A
公开(公告)日：2016-07-07
申请号：JP2016016818
申请日：2016-02-01
申请人：クナノ・アーベー
发明人：サミュエルソン, ラース , ヒューリン,マグナス , マグヌソン,マーティン , デッパート,ナット
IPC分类号： C30B25/02 , C30B29/62
CPC分类号： C30B25/005 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C30B25/00 , C30B29/40 , C30B29/403 , C30B29/42 , C30B29/62
摘要：【課題】基材なしでのワイヤーの気相合成において、基材ベースの合成を用いて形成されるワイヤーに匹敵する構造複雑度および材料品質と共に、大規模プロセスを可能とするような、ワイヤーを形成するための方法及びシステムの提供。【解決手段】ワイヤー1は、気体中に浮遊する触媒種晶粒子(2)を供給すること、形成しようとする前記ワイヤー(1)の構成物質を含む気体状前駆物質(3、4)を供給すること、および、反応器内で気体中に浮遊する触媒種晶粒子2から成長し、モジュール方式によって、連続的なプロセスで異なる構成のワイヤー1を形成させることができ、形成される粒子および/もしくはワイヤー1を、監視並びに/又は選別するその場分析によって、効率的なプロセス制御が可能となるワイヤーの形成方法。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于形成线材的方法和系统，使用气相丝合成方法而不使用基底，以使得能够与具有高结构复杂性和材料质量相结合的大规模工艺相比，使用基于基底的合成方法：用于形成线（1）的方法包括：提供悬浮在气体中的催化种子颗粒（2）; 以及提供包括待形成的金属丝（1）的成分的气态前体（3,4），其中所述电线（1）由悬浮在反应器内的气体中的催化种子颗粒（2）生长，并且借助于模块化方法，可以在连续过程中形成不同配置的电线（1），用于现场分析以监视和/或排序形成的能够进行有效过程控制的颗粒和/或电线（1）。图1

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