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1. 发明专利

JP2017537478A 少なくとも１種類の１５族元素二元化合物の使用法、ＩＩＩ−Ｖ族半導体層、及び１５族元素二元化合物审中-公开
公开(公告)号：JP2017537478A
公开(公告)日：2017-12-14
申请号：JP2017535963
申请日：2015-09-25
申请人：フィリップス−ウニヴェルシテート・マールブルク
发明人：カルシュテン・フォン・ハエニッシュ , ケルシュティン・フォルツ , ヴォルフガング・シュトルツ , エドゥアルト・シュテルツァー , アンドレアス・バイヤー , ドミニク・カイパー , ベンヤミン・リングラー
IPC分类号： H01L21/205 , C07F9/46 , C07F9/72 , C07F9/90 , C23C16/18 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02538 , C07F9/46 , C07F9/504 , C07F9/72 , C07F9/904 , C23C16/22 , C23C16/301 , H01L21/0254 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/02549 , H01L21/0262
摘要：本発明が提供するのは、一般式がR1R2E−E’R3R4(I)又はR5E(E’R6R7)2(II)の少なくとも1種類の15族元素二元化合物の、蒸着プロセスにおける反応物質としての使用法である。その場合、R1、R2、R3、及びR4は、水素、アルキルラジカル(C1〜C10)、及びアリール基からなる群から独立に選択され、かつ、E及びE’は、窒素、リン、ヒ素、アンチモン、及びビスマスからなる群から独立に選択される。この使用法からは、ヒドラジン及びその誘導体は排除される。本発明による15族元素二元化合物により、規定の組み合わせの、多元的で、均質で、超高純度のIII−V族半導体の製造及び/又は堆積を、比較的低いプロセス温度で実行することが可能になる。これにより、例えば1,1−ジメチルヒドラジンのような有機置換された窒素化合物を窒素源として使用することを完全に回避できるので、窒素混入物を、既知の製造方法により製造されたIII−V族半導体及び/又はIII−V族半導体層の場合と比べて劇的に減らすことができる。

2. 发明专利

JP6220982B2 窒化物半導体積層体の製造方法有权
公开(公告)号：JP6220982B2
公开(公告)日：2017-10-25
申请号：JP2016547370
申请日：2015-08-28
申请人：シャープ株式会社
发明人：田尻雅之 , 伊藤伸之 , 小河淳 , 藤重陽介 , 岡崎舞 , 遠崎学
IPC分类号： H01L29/812 , H01L29/778 , H01L21/205 , H01L21/20 , H01L21/338
CPC分类号： H01L21/02694 , C23C16/301 , C23C16/303 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/207 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/7787

4. 发明专利

JP2014534256A トリアルキルガリウム化合物の調製方法有权
标题翻译：过程为三烷基镓化合物的制备
公开(公告)号：JP2014534256A
公开(公告)日：2014-12-18
申请号：JP2014542886
申请日：2012-11-28
申请人：ユミコア・アクチエンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフトUmicore AG & Co.KG , ユミコア・アクチエンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフトUmicore AG & Co.KG
发明人：ラルフ・カルヒ , アンドレアス・リヴァス−ナス , アニカ・フレイ , トビアス・ブルケルト , エイリーン・ヴェルナー , アンゲリノ・ドッピウ
IPC分类号： C07F5/00 , C23C16/18
CPC分类号： C07F5/00 , C23C16/18 , C23C16/301 , Y02P20/582
摘要：本発明は、一般式R3Gaで示されるトリアルキルガリウム化合物の調製方法に関する。本方法は、補助ベースとしての少なくとも2種のアルカリ金属ハロゲン化物(たとえば、NaClおよびKCl)の存在下での、三塩化ガリウム(GaCh)、任意選択で部分アルキル化生成物との混合物と、RaAlClb型(式中、R=C1〜C5−アルキル、a=1、2、または3、b=0、1、または2、かつa+b=3)のアルキルアルミニウム化合物と、の反応に基づく。好ましい選択肢としては、アルキルアルミニウムセスキクロリド(R3Al2Cl3)またはトリアルキルアルミニウム(R3Al)を使用することが挙げられる。反応混合物は、120℃〜250℃の範囲内の温度に加熱され、形成されたトリアルキルガリウム化合物は、最も揮発性の部分アルキル化生成物の沸点よりも30℃超低い温度で操作される分離器を介して分離される。この際、完全アルキル化が達成され、部分アルキル化生成物が反応混合物に再循環される。さらなる工程では、反応混合物を最高350℃に加熱して、残存する完全アルキル化生成物および部分アルキル化生成物を分離することが可能である。本方法は、高収率のトリアルキルガリウム化合物を提供し、かつ高いガリウム利用率を呈し、生成物は、たとえば、MOCVDプロセスのための前駆体として使用される。
摘要翻译：本发明涉及一种用于由通式R3Ga表示三烷基镓化合物的制备方法。该方法包括至少两个碱金属的卤化物作为辅助碱在，三氯化镓的存在（例如，NaCl和KCl）中（Gach），部分烷基化的产物的混合物任选地，RaAlClb 类型（其中，R = C 1 -C 5烷基，= 1，2，或3，b = 0，1，或2，且a + b = 3）和基于该反应烷基铝化合物。优选的选择，是利用烷基铝倍半氯化物（R3Al2Cl3）或三烷基铝（R3Al）的。将反应混合物加热至温度在120℃〜250 DEG°左右，形成被操作三烷基镓化合物在30℃下超温度比最易挥发份的烷基化产物分离的沸点以下的范围内它通过一个容器中分离。此时，完全烷基化的实现，部分烷基化的产物再循环到反应混合物中。在进一步的步骤中，将反应混合物加热至高达350℃，因此能够完全烷基化产物中分离和部分烷基化的产物保留。这种方法提供了高产率的三烷基镓化合物，并显示出高的镓利用率，产品，例如，用作用于MOCVD工艺的前体。

5. 发明专利

JP2013543659A Materials based on gallium arsenide used in thin film transistor applications 有权
标题翻译：空值
公开(公告)号：JP2013543659A
公开(公告)日：2013-12-05
申请号：JP2013531928
申请日：2011-09-30
申请人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated
发明人：カウシャル，ケー．シン， , ロバートヤンフィッサー， , バスカークマール，
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/205 , H01L21/208 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/78681 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C23C16/301 , C23C16/56 , H01L21/0237 , H01L21/02491 , H01L21/02546 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02601 , H01L21/0262 , H01L21/02628 , H01L21/02631 , H01L21/3245 , H01L27/1225 , H01L27/127 , H01L29/207 , H01L29/454 , H01L29/66742 , H01L29/78618 , H01L29/78696 , H01L31/022425 , H01L31/035227 , H01L31/072 , H01L31/075 , H01L31/184 , H01L31/1864 , H01L51/0048 , H01L51/424 , Y02E10/544 , Y02E10/548 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要：本発明の実施形態は、薄膜トランジスタデバイスで利用するＩＩＩ−Ｖ族の材料を形成する方法を提供する。１つの実施形態では、溶液に基づく前駆体から形成されたドーパントを含む又は含まない砒化ガリウム（ＧａＡｓ）に基づく層が、薄膜トランジスタデバイスで利用され得る。溶液に基づく前駆体から形成された砒化ガリウム（ＧａＡｓ）に基づく層は、デバイス性能及びデバイススピードを改善するために、薄膜トランジスタデバイスに組み込まれ得る。１つの実施形態では、薄膜トランジスタ構造は、基板上に配置されたゲート絶縁体層、前記ゲート絶縁体層上部に配置されたＧａＡｓに基づく層、及びＧａＡｓに基づく層に隣接して配置されたソース−ドレイン金属電極層を備える。
摘要翻译：本发明的实施例提供一种形成薄膜晶体管器件中使用的III-V族材料的方法。在一个实施例中，可以在薄膜晶体管器件中使用具有或不具有由基于溶液的前体形成的掺杂剂的基于砷化镓的（GaAs）层。由基于溶液的前体形成的基于砷化镓的（GaAs）层可以结合在薄膜晶体管器件中，以提高器件性能和器件速度。在一个实施例中，薄膜晶体管结构包括设置在基板上的栅极绝缘体层，设置在栅极绝缘体层上的GaAs基层以及与GaAs基层相邻设置的源极 - 漏极金属电极层。

6. 发明专利

JP2012248763A Manufacturing method of group iii nitride semiconductor light-emitting element 有权
标题翻译： III类氮化物半导体发光元件的制造方法
公开(公告)号：JP2012248763A
公开(公告)日：2012-12-13
申请号：JP2011120959
申请日：2011-05-30
申请人： Toyoda Gosei Co Ltd , 豊田合成株式会社
发明人： OKUNO KOJI , MIYAZAKI ATSUSHI
IPC分类号： H01L33/32 , H01L21/205 , H01S5/343
CPC分类号： C23C16/301 , C23C16/45523 , H01L33/0075
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the driving voltage of a group III nitride semiconductor light-emitting element.SOLUTION: A p-cladding layer 15 has a superlattice structure where a p-AlGaN layer of 0.5-10 nm thick and an InGaN layer are grown repeatedly and laminated. Growth temperature of the p-AlGaN layer is 800-950°C. When forming the InGaN layer on the p-AlGaN layer, supply of trimethyl aluminum (TMA) is stopped and trimethyl indium (TMI) is supplied while keeping the growth temperature of the p-AlGaN layer thus increasing the supply amount of Ga source gas and forming an InGaN layer having a thickness of 1-2 molecular layers. Since the p-cladding layer 15 can be made thin while keeping excellent crystal quality, the driving voltage can be reduced.
摘要翻译：要解决的问题：降低III族氮化物半导体发光元件的驱动电压。解决方案：p覆层15具有超晶格结构，其中重复地层叠0.5-10nm厚的p-AlGaN层和InGaN层。 p-AlGaN层的生长温度为800-950℃。当在p-AlGaN层上形成InGaN层时，停止供给三甲基铝（TMA），并提供三甲基铟（TMI），同时保持p-AlGaN层的生长温度，从而增加Ga源气体的供应量，形成厚度为1-2分子层的InGaN层。由于可以在保持优异的晶体质量的同时使p型包覆层15变薄，所以能够降低驱动电压。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JP2012525013A Substrate pretreatment for iii group deposition of a subsequent high-temperature 审中-公开
公开(公告)号：JP2012525013A
公开(公告)日：2012-10-18
申请号：JP2012507453
申请日：2010-04-23
申请人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated
发明人：オルガクリリオーク， , ユリームニェルニーク， , 英博小尻 , 哲也石川
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/02 , C23C16/34 , H01L33/32 , H01S5/343
CPC分类号： H01L21/02658 , C23C16/0272 , C23C16/301 , C30B25/186 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254
摘要：本発明の実施形態は、発光ダイオード（ＬＥＤ）またはレーザダイオード（ＬＤ）などのデバイスを製造するための基板の前処理のための装置および方法に関する。本発明の一実施形態は、酸化アルミニウム含有基板の面をアンモニア（ＮＨ
３）およびハロゲンガスを含む前処理ガス混合物に暴露することにより酸化アルミニウム含有基板を前処理することを含む。

8. 发明专利

JP2012501089A Monitoring and control by UV absorption of chloride gas flow 审中-公开
公开(公告)号：JP2012501089A
公开(公告)日：2012-01-12
申请号：JP2011524467
申请日：2009-07-21
申请人：ソイテックSoitec
发明人：シャンタルアリーナ， , ヴェイシルヴォルサ， , アンドリュー，ディー．ジョンソン， , マイケル，アルバートティシュラー， , ロナルド，トーマス，ジュニア．ベルトラン， , クリスチャーン，ジェー．ワークホーヴェン，
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/52
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/301 , C30B25/165 , C30B29/403
摘要： A semiconductor growth system includes a chamber and a source of electromagnetic radiation. A detector is arranged to detect absorption of radiation from the source by a chloride- based chemical of the reaction chamber. A control system controls the operation of the chamber in response to the absorption of radiation by the chloride-based chemical. The control system controls the operation of the chamber by adjusting a parameter of the reaction chamber.

9. 发明专利

JP2011114196A Vapor phase growth system and deposition method 有权
标题翻译：蒸气相生长系统和沉积方法
公开(公告)号：JP2011114196A
公开(公告)日：2011-06-09
申请号：JP2009269821
申请日：2009-11-27
申请人： Furukawa Co Ltd , 古河機械金属株式会社
发明人： MIZUTA MASASHI , MITA KAZUTO
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/45551 , C23C16/301
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a vapor phase growth system that can form films with good efficiency of manufacture, and to provide a deposition method.
SOLUTION: The vapor phase growth system 1 includes: a deposition chamber 4 which has a substrate S arranged inside to form a film on this substrate S; a first supply pipe 21 for supplying a gas containing a halogen element and a reactive gas which reacts with this gas to form a film on the substrate S into this deposition chamber 4; and a second supply pipe 31 for supplying the gas containing an organic metal and the reactive gas which reacts with the gas containing this organic metal to form a film on the substrate S into the deposition chamber 4. To the deposition chamber 4, the first supply pipe 21 and the second supply pipe 31 are connected.
COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供可以以良好的制造效率形成膜的气相生长系统，并提供沉积方法。气相生长系统1包括：沉积室4，其具有布置在其内部以在该基板S上形成膜的基板S; 第一供给管21，其供给含有卤素元素的气体和与该气体反应的反应性气体，以在基板S上形成薄膜到该沉积室4中; 以及第二供给管31，其供给含有有机金属的气体和与含有该有机金属的气体反应的反应性气体，以在基板S上形成膜到沉积室4.向沉积室4施加第一供给管21和第二供应管31连接。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

10. 发明专利

JPWO2008123242A1 エピタキシャル成長用基板及びエピタキシャル成長方法有权
公开(公告)号：JPWO2008123242A1
公开(公告)日：2010-07-15
申请号：JP2009509112
申请日：2008-03-25
申请人：日鉱金属株式会社
发明人：鈴木　健二 , 健二鈴木 , 佐藤　努 , 努佐藤 , 立一平野 , 立一平野
IPC分类号： C30B29/40 , C23C16/02 , C30B25/18 , H01L21/205
CPC分类号： C30B29/40 , C23C16/301 , C30B25/18
摘要： InP等のIII−V族系化合物半導体基板上にエピタキシャル層を成長させたときに、エピタキシャル層のPL特性を一定とすることができるエピタキシャル成長用基板及びエピタキシャル成長方法を提供する。InP等のIII−V族系半導体基板上にInGaAsP層等の化合物半導体からなるエピタキシャル層を気相成長させる過程において、基板裏面の楕円形エッチピットの大きさ(長径)に起因して基板温度(成長温度)が変化することを考慮して設定温度を適切に制御するようにした。

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