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111. 发明专利

JP2018074019A ウェーハの製造方法およびウェーハ审中-公开
公开(公告)号：JP2018074019A
公开(公告)日：2018-05-10
申请号：JP2016212775
申请日：2016-10-31
申请人：株式会社SUMCO
发明人：田中利幸 , 又川敏
IPC分类号： B24B7/04 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02013 , B24B7/04 , H01L21/02021 , H01L21/02024 , H01L21/02118 , H01L21/304
摘要：【課題】鏡面研磨後に十分に平坦化されたウェーハを得られ、複数のウェーハ間での平坦度のばらつきが小さくなるウェーハの製造方法およびウェーハを提供すること。【解決手段】単結晶インゴットから切り出されたウェーハまたはラッピングされたウェーハの面取りを行う面取り工程と、面取り後のウェーハの一方の面に硬化性樹脂を塗布して樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、樹脂層を介して一方の面を保持し、ウェーハの他方の面を平面研削する第1の平面研削工程と、樹脂層を除去する樹脂層除去工程と、他方の面を保持し、一方の面を平面研削する第2の平面研削工程とを含み、樹脂層形成工程は、ウェーハの面取り部の算術平均粗さをRa(nm)、硬化性樹脂の塗布時の粘度をV(mPa・s)とした場合、以下の式(1)を満たすように硬化性樹脂を塗布する。 Ra×V≧2×10 3 …(1) 【選択図】図4

112. 发明专利

JP2018069411A 研削装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018069411A
公开(公告)日：2018-05-10
申请号：JP2016214398
申请日：2016-11-01
申请人：株式会社ディスコ
发明人：吉田真司
IPC分类号： B24B41/06 , B24B7/04 , H01L21/304 , B24B49/12
摘要：【課題】複雑な光学系の構成を必要とすることなく、簡易な構成で適切にスクラッチを検出すること。【解決手段】研削装置は、研削後のウエーハWに形成されたスクラッチを検出するスクラッチ検出手段を備える。スクラッチ検出手段は、ウエーハの半径部分を撮像するラインセンサ53と、ラインセンサ53と同一方向に延在するライト54と、ラインセンサ53の撮像画像に基づいてスクラッチの有無を判断する判断手段と、を備える。ラインセンサ53は、ウエーハWの半径部分を撮像しながらウエーハWが中心を軸に1回転することでウエーハ全面を撮像する。判断手段は、撮像画像を座標変換して帯状画像に編集し、当該帯状画像に基づいてスクラッチの有無を判断する。【選択図】図4

113. 发明专利

JP2018069343A 研削装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018069343A
公开(公告)日：2018-05-10
申请号：JP2016207645
申请日：2016-10-24
申请人：株式会社ディスコ
发明人：前嶋信 , 桑名一孝 , 久保徹雄
IPC分类号： B24B7/00 , B24B7/04 , B24B41/047
摘要：【課題】粗研削手段側のコラムと仕上げ研削手段側のコラムとが共振するのを防止する。【解決手段】研削装置1は、板状ワークに粗研削を施す第1の研削手段2と板状ワークに仕上げ研削を施す第2の研削手段3とを備え、第1の研削手段2は第1の研削送り手段24が配設された第1のコラム25を備え、第2の研削手段3は第2の研削送り手段34が配設された第2のコラム35を備え、第1のコラム25と第2のコラム35とが連結された状態と第1のコラム25と第2のコラム35とが連結されていない状態とを選択可能とする連結手段4を備えるため、例えば第1の研削加工位置G1と第2の研削加工位置G2とが対称位置に設定される場合、連結手段4で第1のコラム25と第2のコラム35とを連結してから、板状ワークを粗研削及び仕上げ研削することで、第1のコラム25と第2のコラム35とが共振するのを防止できる。【選択図】図1

114. 发明专利

JP2018060983A 半導体ウエハと半導体素子の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018060983A
公开(公告)日：2018-04-12
申请号：JP2016199483
申请日：2016-10-07
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：柴田裕司 , 伊藤達哉
IPC分类号： B24B7/04 , H01L21/304
CPC分类号： H01L29/0657 , H01L21/304
摘要：【課題】半導体ウエハの傾斜面に起因する問題を改善する。【解決手段】半導体ウエハは、外周面に沿って中央領域よりも厚みのある厚肉領域を有する。半導体ウエハの一方の主面は、中央領域と厚肉領域との間に位置する傾斜面を有する。傾斜面は、中央領域側に位置する内周縁と厚肉領域側に位置する外周縁とを有し、内周縁から外周縁に向かうにつれて、半導体ウエハの厚みが増加するように傾斜している。傾斜面は、内周縁を含む内周部分と、外周縁を含む外周部分と内周部分と、外周部分との間に位置する中間部分とを有する。そして、外周部分と内周部分の少なくとも一方の傾斜角度は、中間部分の傾斜角度よりも小さい。【選択図】図9

115. 发明专利

JP2018056251A 加工装置のセッティング方法有权
公开(公告)号：JP2018056251A
公开(公告)日：2018-04-05
申请号：JP2016189068
申请日：2016-09-28
申请人：株式会社東京精密
发明人：下田誠 , 金澤雅喜
IPC分类号： B24B7/04 , H01L21/304
CPC分类号： B24B7/04 , H01L21/304
摘要：【課題】複数のチャックにそれぞれ保持されたウェハを均一に研削する加工装置及び該加工装置のセッティング方法を提供する。【解決手段】加工装置1は、保持手段2の上方に跨設されたコラム4に粗研削手段5及び精研削手段6を設けている。保持手段2は、インデックステーブル21と、回転軸回りに同心円上に配置されたチャック22と、チャック22に対してインデックステーブルの径方向の外周側に配置された第1の可動支持部24と、チャック22に対してインデックステーブルの径方向の内周側に配置された第1の固定支持部25と、を備えている。第1の可動支持部24は、インデックステーブル21とチャック22との間に介装され、鉛直方向に伸縮自在である。【選択図】図1

116. 发明专利

JP2018049973A 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018049973A
公开(公告)日：2018-03-29
申请号：JP2016185300
申请日：2016-09-23
申请人：株式会社岡本工作機械製作所
发明人：三井貴彦 , 山本栄一
IPC分类号： B24B7/04 , B24B21/00 , H01L21/304
摘要：【課題】半導体ウエハの厚みを均一にすると共に端部の欠けを抑制しつつ半導体ウエハを薄化することができる半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供する。【解決手段】凸形状11が形成された半導体ウエハ10の表面10aに接着剤12を塗布する工程S20と、半導体ウエハ10に塗布された接着剤12の表面を研削する工程S30と、接着剤12が塗布された半導体ウエハ10の周囲端部を接着剤12と共にトリミングする工程S40と、接着剤12の表面が研削されて周囲端部がトリミングされた半導体ウエハ10を、接着剤12を介してサポート基板13に貼付する工程S50と、サポート基板13に貼付された半導体ウエハ10の裏面10bを研削する工程S60と、を具備する。これにより、半導体ウエハ10の厚みを均一にすることができ、半導体ウエハ10の端部の欠けを抑えつつ、半導体ウエハ10を薄化することができる。【選択図】図1

117. 发明专利

JP6300968B2 仕上研削装置および仕上研削方法有权
公开(公告)号：JP6300968B2
公开(公告)日：2018-03-28
申请号：JP2017026263
申请日：2017-02-15
申请人：株式会社東京精密
发明人：金澤雅喜
IPC分类号： B24B53/00 , B24B53/12 , B24B7/04 , H01L21/304 , B24B53/02

118. 发明专利

JP2018042208A 表面弾性波デバイスチップの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018042208A
公开(公告)日：2018-03-15
申请号：JP2016176880
申请日：2016-09-09
申请人：株式会社ディスコ
发明人：関家一馬
IPC分类号： B23K26/53 , B24B7/04 , H01L21/304 , H01L21/301 , H03H9/25 , H03H3/08
CPC分类号： H03H3/02 , H01L41/22 , H01L41/337 , H01L41/338 , H03H3/08 , H03H9/02551 , H03H9/02559 , H03H9/02622 , H03H9/02842
摘要：【課題】周波数特性の良い表面弾性波デバイスチップが得られる新たな表面弾性波デバイスチップの製造方法を提供する。【解決手段】表面弾性波デバイスチップの製造方法であって、交差する複数の分割予定ラインで区画された表面側の各領域にそれぞれ表面弾性波デバイスが形成されたウェーハの裏面を研削する研削ステップと、研削ステップを実施する前又は実施した後に、ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザービームをウェーハの裏面側に照射して表面弾性波デバイスチップの裏面となる位置より表面側に集光させることで、表面弾性波デバイスが形成された各領域に対応するウェーハの内部を改質して弾性波を拡散させるための改質層を形成するレーザービーム照射ステップと、研削ステップとレーザービーム照射ステップとを実施した後に、ウェーハを分割予定ラインに沿って複数の表面弾性波デバイスチップへと分割する分割ステップと、を含む。【選択図】図3

119. 发明专利

JP2018039063A 加工装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018039063A
公开(公告)日：2018-03-15
申请号：JP2016173459
申请日：2016-09-06
申请人：株式会社ディスコ
发明人：溝本康隆 , 飯島悠 , 早川晋
IPC分类号： H01L21/304 , B24B7/04
摘要：【課題】時間をかけることなくウエーハの被加工面に所望のゲッタリング層を形成できるようにする。【解決手段】加工装置1は、研削後のウエーハWの被加工面を研磨する研磨手段60とウエーハWの被加工面にゲッタリング層を形成するゲッタリング層形成手段70とを備え、ゲッタリング層形成手段70は、ウエーハWの被加工面にゲッタリング層を形成するゲッタリングホイール72とこれを回転させる回転手段71と、回転手段71とともにゲッタリングホイール72を保持テーブル3の保持面3aに対して垂直方向に昇降させる昇降手段75と回転手段71とともにゲッタリングホイール72を保持テーブル3の保持面3aに対して水平方向に移動させる水平移動手段76とを備えたため、研磨手段60と別機構であるゲッタリング層形成手段70によって、短時間でウエーハWの被加工面にゲッタリング層を形成することができる。【選択図】図1

120. 发明专利

JP2018036568A ウエーハ加工用フォトマスクの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018036568A
公开(公告)日：2018-03-08
申请号：JP2016171225
申请日：2016-09-01
申请人：株式会社ディスコ
发明人：松崎栄
IPC分类号： B24B7/04 , B23K26/36 , G03F1/68
摘要：【課題】フォトマスクを安価で容易に製造できるウエーハ加工用フォトマスクの製造方法を提供すること。【解決手段】ウエーハ加工用フォトマスクの製造方法は、加工すべきウエーハ以上の大きさを有し光を透過する透光板と、加工すべきウエーハと同等以上の大きさを有し光を遮断する遮光板と、を準備する準備工程ST1と、光を透過すべき領域の遮光板の表面側に裏面には至らない深さの凹部を形成する凹部形成工程ST2と、凹部が形成された遮光板の表面と透光板とを陽極接合することにより一体化する一体化工程ST3と、一体化工程ST3を実施した後、透光板側を保持し遮光板の裏面側を研削して、凹部を裏面側に露出させる研削工程ST4と、を備える。【選択図】図4

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