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1. 发明专利

JP6985077B2 ウエーハの加工方法有权
公开(公告)号：JP6985077B2
公开(公告)日：2021-12-22
申请号：JP2017179302
申请日：2017-09-19
申请人：株式会社ディスコ
发明人：松崎栄
IPC分类号： H01L21/301 , B24B7/04 , H01L21/304

2. 发明专利

JP6980341B2 保護部材の加工方法有权
公开(公告)号：JP6980341B2
公开(公告)日：2021-12-15
申请号：JP2017187616
申请日：2017-09-28
申请人：株式会社ディスコ
发明人：小池和裕 , 面本正文 , 長井秀典
IPC分类号： H01L21/304 , B24B7/04

3. 发明专利

JPWO2020129757A1 基板処理装置审中-公开
公开(公告)号：JPWO2020129757A1
公开(公告)日：2021-10-28
申请号：JP2019048343
申请日：2019-12-10
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：久保明広 , 滝口靖史 , 岡本芳樹 , 保坂隼斗 , 小玉輝彦
IPC分类号： H01L21/304 , B24B7/04
摘要：基板処理装置は、ウェハWの主面を研磨する研磨ヘッド(75)と、軸線Ax1周りに研磨ヘッド(75)を回転させる回転駆動部(82)と、軸線Ax1に平行な軸線Ax2周りの円軌道に沿って軸線Ax1を移動させる回転駆動部(84)と、を有する研磨部を備える。研磨ヘッド(75)の中心位置は、軸線Ax1と異なっている。軸線Ax1周りの研磨ヘッド(75)の可動範囲の直径に比較して、研磨ヘッド(75)の外径が小さい。

4. 发明专利

JP2021160067A チャックテーブル审中-公开
公开(公告)号：JP2021160067A
公开(公告)日：2021-10-11
申请号：JP2020067449
申请日：2020-04-03
申请人：株式会社ディスコ
发明人：久保徹雄 , 山下真司
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/683 , B24B7/04 , B24B41/06
摘要：【課題】オリフラを有するウェーハを保持するチャックテーブルにおいて、ウェーハを均一な厚みに研削可能とする。【解決手段】ウェーハ80のオリフラ805に対応する欠け部303を形成した保持面302を備え、保持面302の円弧状外周の中心を環状の研削砥石166が通過可能であり、保持面302とウェーハ80と中心及び形を一致させ保持面302に保持されたウェーハ80の中心から外周に至る円弧状の砥石軌跡においてウェーハ80を研削する加工に用いられ、ポーラス部30を収容する枠体31と、を備え、ポーラス部30の保持面302の円弧状外周部分を通る際の砥石軌跡の保持面302での長さと枠体31の上面での長さとの比を用い、欠け部303の一端を通過する砥石軌跡において該比が成立する枠体31の外周位置と、欠け部303の他端を通過する砥石軌跡において該比が成立する枠体31の外周位置と、を結ぶ直線を枠体31の外周の辺とするチャックテーブル3。【選択図】図4

5. 发明专利

JP2021146472A 研削装置及び被加工物の研削方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021146472A
公开(公告)日：2021-09-27
申请号：JP2020050022
申请日：2020-03-19
申请人：株式会社ディスコ
发明人：禹俊洙
IPC分类号： H01L21/304 , B24B7/04
摘要：【課題】粘性の高い膜が形成された場合でも安定して膜側から研削できる研削装置及び被加工物の研削方法を提供すること。【解決手段】研削装置1は、保持面11を備えた保持テーブル10と、研削砥石21を備えた研削ユニット20と、研削送りユニット30と、研削状態変更ユニット40と、制御ユニット60とを備える。制御ユニット60は、研削状態変更ユニット40を作動し保持面11と研削砥石21の研削面25とを非平行状態にして、研削面25が膜202の一部に接触する状態で研削を開始し、研削ホイール22の研削送りに従い、研削面25と接触する被加工物200の領域を増加させながら被加工物200を研削し、膜202が所定量研削されると保持面11と研削面25とを非平行状態から徐々に平行状態に変化するように研削状態変更ユニット40を制御しつつ研削送りするように研削送りユニット30を制御する。【選択図】図2

6. 发明专利

JP2021146428A 研削装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021146428A
公开(公告)日：2021-09-27
申请号：JP2020046983
申请日：2020-03-17
申请人：株式会社東京精密
发明人：牧野智彦
IPC分类号： B24B55/02 , B24B7/04 , H01L21/304 , B24B49/14
摘要：【課題】ワークの面焼け現象の兆候を早期に検知可能な研削装置を提供する。【解決手段】研削装置1は、ワークWを吸着保持するチャック3と、ワークWを研削する研削砥石21と、ワークWの表面温度を測定する赤外線放射式のセンサヘッド51と、センサヘッド51の測定温度をワークWの赤外線放射率に応じて補正した予想温度と予め記憶されたワークWに面焼けが生じる際のワークWの温度に基づいて設定された温度上限とを比較して、ワークWの面焼けの兆候の有無を判定する制御装置6と、を備えている。【選択図】図2

7. 发明专利

JP2021146416A ウェーハの研削方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021146416A
公开(公告)日：2021-09-27
申请号：JP2020046292
申请日：2020-03-17
申请人：株式会社ディスコ
发明人：村松諭
IPC分类号： H01L21/304 , B24B41/06 , B24D3/18 , B24B7/04
摘要：【課題】ウェーハの研削方法において、セルフグラインドに時間をとられず、かつ、研削後のウェーハを中心に円柱状の凹みを形成させない。【解決手段】研削砥石1644の下面と平行な保持面302の半径領域でウェーハを研削する方法であり、円錐斜面の保持面302の中心とウェーハ中心とを合致させウェーハを保持する工程と、研削砥石1644の回転軌跡が保持面302の中心を通るように研削砥石1644に対しウェーハを位置づける第1位置づけ工程と、第1位置づけ工程後、ウェーハを設定仕上げ厚みより1μm〜3μm厚い厚みに研削する第1研削工程と、研削砥石1644の回転軌跡の内周と第1研削工程においてウェーハ中央に形成された円柱凹部807の外周とが接する位置に研削砥石1644に対しウェーハを位置づける第2位置づけ工程と、第2位置づけ工程後、設定仕上げ厚みまでウェーハを研削する第2研削工程と、を備えるウェーハの研削方法。【選択図】図5

8. 发明专利

JP6938160B2 被加工物の加工方法有权
公开(公告)号：JP6938160B2
公开(公告)日：2021-09-22
申请号：JP2017006215
申请日：2017-01-17
申请人：株式会社ディスコ
发明人：宮城有佑 , 湊浩吉 , 植村祐二 , 岩田秀夫
IPC分类号： B24B9/00 , B24B7/04 , H01L21/304 , B24B27/06

9. 发明专利

JP2021137959A ウェーハ研削方法及びウェーハ研削装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021137959A
公开(公告)日：2021-09-16
申请号：JP2021093356
申请日：2021-06-03
申请人：株式会社東京精密
发明人：石川一政
IPC分类号： B24B7/04 , H01L21/301 , H01L21/304 , B24B1/00
摘要：【課題】ウェーハを仕上げ厚さに薄化することができるウェーハ研削方法及びウェーハ研削装置を提供する。【解決手段】粗研削手段によりウェーハの裏面を粗研削する粗研削工程と、精研削手段によってウェーハの裏面を精研削する精研削工程と、精研削手段によってスパークアウトを実行するスパークアウト工程とを備え、粗研削手段による加工時間と、スパークアウトを含む精研削手段による加工時間とが略等しい。【選択図】図8

10. 发明专利

JP2021137934A 研削装置、及び研削方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021137934A
公开(公告)日：2021-09-16
申请号：JP2020039783
申请日：2020-03-09
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：坂上貴志 , 金子知広
IPC分类号： B24B41/06 , B24B7/04 , H01L21/304 , B24B49/02
摘要：【課題】研削後の基板全体の厚みの偏差を低減する、技術を提供する。【解決手段】研削装置は、チャックと、第1回転部と、第2回転部と、加工ヘッドと、移動機構と、制御部とを有する。前記チャックは、基板を保持する保持面を含む。前記第1回転部は、前記チャックを回転させる。前記第2回転部は、前記基板を研削する研削工具を回転させる。前記加工ヘッドは、前記チャックの前記保持面を局所的に削る。前記移動機構は、前記チャックの回転中心線に交差する方向に前記チャックに対して前記加工ヘッドを移動させる。前記制御部は、前記第1回転部と前記第2回転部と前記加工ヘッドと前記移動機構とを制御する。前記制御部は、前記研削工具による研削後の前記基板の厚みの偏差が小さくなるように、前記加工ヘッドで前記チャックの前記保持面を局所的に削る。【選択図】図3

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