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91. 发明专利

JPS5958876A Photodetector 失效
公开(公告)号：JPS5958876A
公开(公告)日：1984-04-04
申请号：JP15728983
申请日：1983-08-30
申请人： Western Electric Co
发明人： KURAIDO JII BESEA , ARUBAATO RII HATSUCHINSON , BARII FURANKURIN REBUIN , FUEDERIKO KIYAPASO , UONNTEIEN TSUANGU
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/065 , H01L31/10 , H01L31/109
CPC分类号： H01L31/065 , H01L31/109 , Y02E10/50

92. 发明专利

JPS58202579A Semiconductor device and method of producing same 失效
公开(公告)号：JPS58202579A
公开(公告)日：1983-11-25
申请号：JP5676383
申请日：1983-03-31
申请人： Honeywell Inc
发明人： DEIBUITSUDO KEI AACHI , EMU UORUTAA SUKOTSUTO , DARIRU RAIRU SUMISU , REONAADO AARU BUAISUBAAGU , RONARUDO EI UTSUDO
IPC分类号： H01L31/10 , H01L21/44 , H01L31/0296 , H01L31/0304 , H01L31/09 , H01L31/109
CPC分类号： H01L31/03046 , H01L21/44 , H01L31/02966 , H01L31/09 , H01L31/109 , Y02E10/544

93. 发明专利

JPS5784186A Phtodetector 失效
标题翻译： PHTODETECTOR
公开(公告)号：JPS5784186A
公开(公告)日：1982-05-26
申请号：JP14647781
申请日：1981-09-18
申请人： Western Electric Co
发明人： FUEDERIKO KIYAPAN
IPC分类号： H01L29/868 , H01L31/107 , H01L31/109
CPC分类号： H01L31/109 , H01L29/868 , H01L31/1075

94. 发明专利

JPS5779675A Cds target substance and manufacture of cds film using cds target substance 失效
标题翻译： CDS目标物质和使用CDS目标物质的CDS膜的制造
公开(公告)号：JPS5779675A
公开(公告)日：1982-05-18
申请号：JP15514880
申请日：1980-11-06
申请人： Ricoh Co Ltd
发明人： SEGAWA HIDEO , ITAGAKI MASANORI , ISHIWATARI TATSUMI
IPC分类号： C01G11/02 , C23C14/06 , G03G5/08 , H01L31/0248 , H01L31/109 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/109
摘要： PURPOSE:To form a photodiode having good light response and small forward voltage by a method wherein CdTe films are stacked by evporation on a CdS film including In as an impurity and provided on a substrate. CONSTITUTION:In metal wires are regularly arranged in striped shape on the surface of a disk CdS target substrate 1 at fixed intervals for thermal treatment. The area ratio of CdS region and In region is decided in accordance with the amount of In doped in the CdS and the ratio of 10:1-1,000:1 is applied in general. The resistance value of the CdS film is controlled by the doped amount of In in the CdS. And CdTe films are stacked on the CdS film. In this way, a photodiode having good light response and small forward voltage can be obtained.
摘要翻译：目的：通过将CdTe膜作为杂质沉积在包含In的CdS膜上并通过提供在基板上的方法来形成通过其中CdTe膜堆叠而形成具有良好光响应和小正向电压的光电二极管。构成：在金属线中，以固定间隔规则排列成盘状的CdS靶基板1的表面，进行热处理。 CdS区域和In区域的面积比根据CdS中掺杂的In的量来决定，并且一般应用10:1-1,000:1的比例。 CdS膜的电阻值由CdS中的掺杂量控制。并且CdTe膜堆叠在CdS膜上。以这种方式，可以获得具有良好的光响应和小的正向电压的光电二极管。

95. 发明专利

JPS5764982A Photo-electric transducer device 失效
标题翻译：光电传感器设备
公开(公告)号：JPS5764982A
公开(公告)日：1982-04-20
申请号：JP13993580
申请日：1980-10-08
申请人： Ricoh Co Ltd
发明人： MORI KOUJI , SAKURAI KOUICHI , ITAGAKI MASANORI
IPC分类号： H01L31/10 , H01L31/109
CPC分类号： H01L31/109
摘要： PURPOSE:To produce a high sensitivity, high efficiency photo-electric transducer device by a mthod wherein the use of an n-n and p-p junctions is enhanced. CONSTITUTION:A thin film of CdS(n) is deposited on an In2O3(n) film, which is further covered by a CdTe(p) film and then by a Te(p) film, thereby forming a highly sensitive, highly efficient optico-electric transducer device featuring a very little current leak. Any n-n-p-p junction such as an SnO2-CdSe(n)-ZnSe(p)-Se(p) combination serves the purpose of producing a high quality optico-electric transducer device when a desired barrier is formed by selecting a suitable carrier concentration. Ordinary n type semiconductors may be used other than such metallic substances as SnO2 or In2O3. The structure being simple due to the employment of thin films, a multiplicity of photo-electric transducer devices can be constituted in a given area.
摘要翻译：目的：通过使用n-n和p-p结的方式生产高灵敏度，高效率的光电传感器装置。构成：将CdS（n）的薄膜沉积在In 2 O 3（n）膜上，其进一步被CdTe（p）膜覆盖，然后用Te（p）膜覆盖，从而形成高灵敏度，高效的光学具有非常小的电流泄漏的电子传感器装置。任何n-n-p-p结，例如SnO 2-CdSe（n）-ZnSe（p）-Se（p）组合用于当通过选择合适的载流子浓度形成期望的屏障时，生产高质量的光电换能器装置的目的。可以使用普通n型半导体，而不是诸如SnO 2或In 2 O 3的金属物质。该结构由于使用薄膜而简单，可以在给定区域中构成多个光电换能器装置。

96. 发明专利

JP2018190935A 量子ドット型赤外線検出器审中-公开
公开(公告)号：JP2018190935A
公开(公告)日：2018-11-29
申请号：JP2017094892
申请日：2017-05-11
申请人：シャープ株式会社 , 国立大学法人東京大学
发明人：吉川弘文 , 和泉真 , 北澤田鶴子 , 小谷晃央 , 荒川泰彦
IPC分类号： G01J1/02 , B82Y20/00 , H01L31/0264
CPC分类号： H01L31/035218 , H01L31/03046 , H01L31/035236 , H01L31/101 , H01L31/109
摘要：【課題】多積層化が可能であり、8〜14μm帯で高感度に光を検出可能な量子ドット型赤外線検出器を提供する。【解決手段】量子ドット型赤外線検出器10は、光電変換層4を備える。光電変換層4は、量子ドット411、量子ドット411の下地層412および量子ドット411の一部を少なくとも覆う部分キャップ層414とを少なくとも含む量子ドット層41を積層した量子ドット積層構造を有する。下地層412は、Al x Ga 1−x As(0≦x y Ga 1−y As(0≦y 【選択図】図1

97. 发明专利

JP6398409B2 受光素子有权
公开(公告)号：JP6398409B2
公开(公告)日：2018-10-03
申请号：JP2014145728
申请日：2014-07-16
申请人：三菱電機株式会社
发明人：菊地真人武 , 中路雅晴 , 竹村亮太 , 山路和樹
IPC分类号： H01L31/10
CPC分类号： H01L31/022408 , H01L31/02161 , H01L31/02164 , H01L31/109

98. 发明专利

JP6260764B2 光電変換素子及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6260764B2
公开(公告)日：2018-01-17
申请号：JP2013200462
申请日：2013-09-26
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：米村貴幸 , 横山好彦 , ▲濱▼田泰彰
IPC分类号： H01L31/072 , H01L31/10
CPC分类号： H01L31/032 , C04B35/26 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3262 , C04B2235/3298 , C04B2235/449 , H01L31/07 , H01L31/072 , H01L31/1085 , H01L31/109 , Y02E10/50

100. 发明专利

JP6112472B2 受光デバイスの製造方法有权
公开(公告)号：JP6112472B2
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：JP2013004879
申请日：2013-01-15
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：猪口康博 , 永井陽一
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/10
CPC分类号： H01L31/109 , H01L27/1446 , H01L31/00 , H01L31/03046 , H01L31/035236 , H01L31/035263 , H01L31/1035 , H01L31/105 , H01L31/1844 , H01L33/30 , Y02E10/544

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