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1. 发明专利

JP2011133471A Photodetector with plasmon structure 审中-公开
标题翻译：具有等离子体结构的光电转换器
公开(公告)号：JP2011133471A
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：JP2010263641
申请日：2010-11-26
申请人： Commissariat A L'energie Atomique & Aux Energies Alternatives , コミッサリアアレネルジーアトミークエオゼネルジザルタナテイヴ
发明人： GRAVRAND OLIVIER , DESTEFANIS GERARD , LE PERCHEC JEROME
IPC分类号： G01N21/27
CPC分类号： H01L31/1032 , G01J5/0853 , G01J5/10 , G01J5/20 , H01L27/14603 , H01L27/14625 , H01L27/1465 , H01L31/022408 , H01L31/0232 , H01L31/03529 , Y02E10/50
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photodetector which can detect electromagnetic radiation to obtain optimal response time regardless of plasmon structure to be used, for solving problems.
SOLUTION: This photodetector can detect electromagnetic radiation, equipped with a doped semiconductor absorption layer (12) to the radiation which can convert this radiation into charge carrier, a reflective layer (22) located under the semiconductor layer (12) to reflect any incident radiation not absorbed by the semiconductor layer (12) towards the layer (12) itself, and a metallic structure (16) arranged on the semiconductor layer (12) to form a surface plasmon resonator jointly with the semiconductor layer (12) so as to concentrate the incident radiations to the metallic structure (16) into electromagnetic field concentration zones of the semiconductor layer (12). Thus a semiconductor zones (24) for collecting any charge carriers doped opposite to doping of the semiconductor layer (12) are formed within the semiconductor layer (12) to have topology complementing the topology of the electromagnetic field concentration zones.
COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了解决问题，提供一种可以检测电磁辐射以获得最佳响应时间而不管使用等离子体结构的光电检测器。解决方案：该光电检测器可以检测电磁辐射，该电磁辐射配备有可将该辐射转换为电荷载体的辐射的掺杂半导体吸收层（12），位于半导体层（12）下方的反射层（22）任何不被半导体层（12）吸收到层（12）本身的入射辐射和布置在半导体层（12）上以与半导体层（12）共同形成表面等离子体共振器的金属结构（16）以将入射的辐射集中到金属结构（16）到半导体层（12）的电磁场集中区域中。因此，在半导体层（12）内形成用于收集与半导体层（12）掺杂相反掺杂的任何电荷载流子的半导体区（24），以具有补充电磁场浓度区的拓扑的拓扑。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

2. 发明专利

JPS61139073A Manufacture of infrared detector 失效
标题翻译：红外探测器的制造
公开(公告)号：JPS61139073A
公开(公告)日：1986-06-26
申请号：JP26108684
申请日：1984-12-10
申请人： Mitsubishi Electric Corp
发明人： HISA YOSHIHIRO
IPC分类号： H01L31/02 , H01L31/103
CPC分类号： H01L31/1032
摘要： PURPOSE:To obtain a PV type infrared detector having large Ro and high performance by making the forbidden band width of a surface layer section in a compound semiconductor substrate larger than that of the substrate through an interdiffusion. CONSTITUTION:A surface layer 8, forbidden band width thereof is larger than Hg1-xCdxTe(x=0.2) and which consists of a compound semiconductor such as CdTe, is formed to the upper section of a compound semiconductor substrate 1. An interdiffusion layer 9 is shaped on these opposite surface through treatment at a high temperature. The layers upper than the surface of the substrate 1 are removed, an impurity intrusion preventive layer functioning as an electrical insulating layer in combination is formed, an impurity is doped to the surface of the substrate 1 from an opening section in the layer 2 to shape an impurity doped layer 4, and a P-N junction is formed near the layer 4. Lastly, an electrically insulating protective film 6 through which infrared rays are transmitted is shaped onto the surface of the impurity doped layer 4, and a metallic electrode 3 is formed.
摘要翻译：目的：通过相互扩散，通过使化合物半导体衬底中的表面层部分的禁带宽度大于衬底的宽度，获得具有大Ro和高性能的PV型红外检测器。构成：在化合物半导体衬底1的上部形成表面层8，其禁带宽度大于Hg1-xCdxTe（x = 0.2），并由化合物半导体如CdTe组成。相互扩散层9 通过高温处理在这些相对的表面上成形。除去基板1的表面以上的层，形成作为电绝缘层组合起来的杂质侵入防止层，从层2的开口部向基板1的表面掺杂杂质成形在层4附近形成杂质掺杂层4和PN结。最后，在杂质掺杂层4的表面上形成透射红外线的电绝缘保护膜6，形成金属电极3 。

3. 发明专利

JPS5979582A Manufacture of semiconductor element 失效
标题翻译：半导体元件的制造
公开(公告)号：JPS5979582A
公开(公告)日：1984-05-08
申请号：JP19105982
申请日：1982-10-29
申请人： Fujitsu Ltd
发明人： UEDA TOMOSHI , YOSHIKAWA MITSUO , ITOU MICHIHARU , MARUYAMA KENJI
IPC分类号： H01L31/10 , H01L21/308 , H01L31/103
CPC分类号： H01L31/1032
摘要： PURPOSE:To reduce the pollution of a crystal growing layer for forming an element and to simplify an element forming procedures by a method wherein a crystal growing layer for forming an element and a crystal layer for impurity diffusing mask are continuously laminated on a substrate. CONSTITUTION:A crystal layer 2 made of Hg1-xCdxTe and another crystal layer 21 made of highly resistive CdTe as a protective layer are successively formed on a semiconductor substrate 1 made of CdTe. Firstly after coating the surface of the layer 21 with a resist film 4 and patterning the film 4 as specified, a part of the layer 21 only corresponding to the specified area region 5 on the surface of the layer 2 is selectively removed by etching to expose the surface of the region 5 using the patterned film 4 as a mask. Secondly an impurity is diffused on the exposed layer 2 using the layer 21 as a mask to form the layer 2 and a reverse conductive type element active region 6. Through these procedures, the element forming process may be simplified and the pollution on the surface of the crystal layer 2 protected by the layer 21 may be reduced remarkably.
摘要翻译：目的：为了减少用于形成元件的晶体生长层的污染，并且通过将用于形成元素的晶体生长层和用于杂质扩散掩模的晶体层连续地层叠在基板上的方法简化元件形成步骤。构成：在由CdTe制成的半导体衬底1上依次形成由Hg1-xCdxTe制成的晶体层2和由高电阻CdTe制成的另一晶体层21作为保护层。首先用抗蚀剂膜4涂覆层21的表面，并按规定对膜4进行图案化，仅通过蚀刻选择性地除去层2的仅与层2表面上的规定区域5相对应的部分，以露出使用图案化膜4的区域5的表面作为掩模。其次，使用层21作为掩模将杂质扩散到曝光层2上以形成层2和反向导电型元件有源区6.通过这些步骤，可以简化元件形成工艺，并且在表面上的污染由层21保护的晶体层2可以显着地减小。

4. 发明专利

JP2016136627A 安定高感度光検出器のための材料、作製機器、および方法、それにより作製される画像センサ审中-公开
标题翻译：材料，制造设备和稳定感光元件的方法及其图像传感器
公开(公告)号：JP2016136627A
公开(公告)日：2016-07-28
申请号：JP2016024692
申请日：2016-02-12
申请人：インヴィサージテクノロジーズインコーポレイテッド , INVISAGE TECHNOLOGIES,INC.
发明人：イヴァノフ、イゴールコンスタンティン , サージェント、エドワードハートレイ , ティアン、フイ
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/28 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , H01L31/10
CPC分类号： H01L31/022408 , H01L31/0352 , H01L27/146 , H01L31/0384 , H01L31/04 , H01L31/073 , H01L31/1032
摘要：【課題】改良された感光デバイスを提供する。【解決手段】感光デバイスは、それぞれが仕事関数を有する第1のコンタクトおよび第2のコンタクトと、第1のコンタクトと第2のコンタクトとの間の感光物質とを備えるデバイスを含む。感光物質はp型半導体またはn型半導体を含み、感光物質は仕事関数を有する。回路が第1のコンタクトと第2のコンタクトとの間にバイアス電圧を印加する。バイアスが第1のコンタクトと第2のコンタクトとの間に印加されたとき、感光物質は、第1のコンタクトから第2のコンタクトまでの電子走行時間より長い電子寿命を有する。第1のコンタクトは電子の注入を提供し、正孔の抽出を阻止する。第1のコンタクトと感光物質間の界面は、1cm/s未満の表面再結合速度を提供する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供改进的光敏器件。解决方案：光敏器件包括包括第一接触和第二接触的器件，每个具有功函数，以及在第一接触和第二接触之间的光敏材料。光敏材料包括p型半导体或n型半导体，并且光敏材料具有功函数。电路在第一触点和第二触点之间施加偏置电压。当在第一接触和第二接触之间施加偏置电压时，光敏材料具有大于从第一接触到第二接触的电子传播时间的电子寿命。第一次接触提供电子注入并阻止孔的提取。第一接触和光敏材料之间的界面提供小于1cm / s的表面复合速度。图1：图1

5. 发明专利

JP5785698B2 光検出要素有权
标题翻译：光检测元件
公开(公告)号：JP5785698B2
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：JP2010158017
申请日：2010-07-12
申请人：コミサリアアエナジーアトミックエオックスエナジーズオルタネティヴ
发明人：サリムブータミ , ロシェエスピオデラメストレ , ジェロームルペルシェック
IPC分类号： H01L31/10 , H01L31/0264
CPC分类号： H01L31/1032 , H01L31/101

6. 发明专利

JP2015057835A 安定高感度光検出器のための材料、作製機器、および方法、それにより作製される画像センサ审中-公开
标题翻译：材料，制造设备和方法，用于稳定，敏感的光电转换器和图像传感器
公开(公告)号：JP2015057835A
公开(公告)日：2015-03-26
申请号：JP2014207235
申请日：2014-10-08
申请人：インヴィサージテクノロジーズインコーポレイテッドInvisage Technologies,Inc. , Invisage Technologies Inc , インヴィサージテクノロジーズインコーポレイテッドInvisage Technologies,Inc.
发明人： IGOR CONSTANTIN IVANOV , EDWARD HARTLEY SARGENT , TIAN HUI
IPC分类号： H01L31/10 , B82Y20/00 , H01L29/06
CPC分类号： H01L31/022408 , H01L27/146 , H01L31/0352 , H01L31/0384 , H01L31/04 , H01L31/073 , H01L31/1032
摘要：【課題】改良された感光デバイスを提供する。【解決手段】感光デバイスは、それぞれが仕事関数を有する第1のコンタクトおよび第2のコンタクトと、第1のコンタクトと第2のコンタクトとの間の感光物質とを備えるデバイスを含む。感光物質はp型半導体またはn型半導体を含み、感光物質は仕事関数を有する。回路が第1のコンタクトと第2のコンタクトとの間にバイアス電圧を印加する。バイアスが第1のコンタクトと第2のコンタクトとの間に印加されたとき、感光物質は、第1のコンタクトから第2のコンタクトまでの電子走行時間より長い電子寿命を有する。第1のコンタクトは電子の注入を提供し、正孔の抽出を阻止する。第1のコンタクトと感光物質間の界面は、1cm/s未満の表面再結合速度を提供する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供改进的光敏器件。解决方案：光敏器件包括包括第一触点和第二触点的器件，每个具有功函数，以及在第一触点和第二触点之间的光敏材料。光敏材料包括p型半导体或n型半导体，并且光敏材料具有功函数。电路在第一触点和第二触点之间施加偏置电压。当在第一接触和第二接触之间施加偏压时，光敏材料具有大于从第一接触到第二接触的电子传播时间的电子寿命。第一次接触提供电子注入并阻止孔的提取。第一接触和光敏材料之间的界面提供小于1cm / s的表面复合速度。

7. 发明专利

JP2011023720A Light detection element 有权
标题翻译：光检测元件
公开(公告)号：JP2011023720A
公开(公告)日：2011-02-03
申请号：JP2010158017
申请日：2010-07-12
申请人： Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives , コミサリアアエナジーアトミックエオックスエナジーズオルタネティヴ
发明人： BOUTAMI SALIM , ESPIAU DE LAMAESTRE ROCH , LE PERCHEC JEROME
IPC分类号： H01L31/10
CPC分类号： H01L31/1032 , H01L31/101
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light detection element having an extremely thin semiconductor layer.
SOLUTION: The light detection element to detect light of which wavelength is close to λ
0 in vacuum includes a semiconductor layer (1) of which refractive index is ns and thickness is in an range from λ
0 /4ns to λ
0 /20ns, a first medium (3) which is positioned on one side of the semiconductor layer (1), has a first refractive index smaller than the refractive index ns, and transmits the light, a second medium (6) which is positioned on another side of the semiconductor layer (1), has a second refractive index ns smaller than ns, and has an area (5) of which width is approximately equal to λ
0 /ns, and a third medium (7) which is positioned on another side of the semiconductor layer (1) and on both sides of the area (5), has a third refractive index larger than the second refractive index, and forms a reflective interface with the second medium (6).
COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供具有极薄半导体层的光检测元件。解决方案：在真空中检测波长接近λ 0 的光的光检测元件包括折射率为ns的半导体层（1），并且厚度在λ的范围内位于半导体层（1）一侧的第一介质（3）的第一折射率小于折射率ns，并透射光，位于半导体层（1）的另一侧的第二介质（6）具有小于ns的第二折射率ns，并且具有宽度（5）的宽度大约等于λ 0 / ns，并且位于半导体层（1）的另一侧上并位于区域（5）两侧的第三介质（7）具有第三折射率大于第二折射率，并且与第二介质（6）形成反射界面。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP2010185753A Radiation detector 有权
标题翻译：辐射探测器
公开(公告)号：JP2010185753A
公开(公告)日：2010-08-26
申请号：JP2009029668
申请日：2009-02-12
申请人： Hitachi Cable Ltd , 日立電線株式会社
发明人： RYU SHUGEN , SUNAGA YOSHINORI , KAWAUCHI HIDEKI , INOUE SHINICHI , TAKAHASHI ISAO
IPC分类号： G01T7/00 , G01T1/24
CPC分类号： H01L31/1032 , H01L31/0203 , H01L31/0296
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radiation detector which can be arranged at high density, and has high connection reliability. SOLUTION: This radiation detector 1 includes: a semiconductor element capable of detecting a radiation; a substrate 20 on which the semiconductor element is fixed; and a flexible substrate 40 having flexibility, and having a connection pattern to be connected to an electrode for an element provided on the opposite side to the substrate 20 of the semiconductor element. The semiconductor element is provided on one surface of the substrate 20, and the flexible substrate 40 is provided on the opposite side of the substrate 20 of the semiconductor element. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供可以以高密度布置并且具有高连接可靠性的辐射检测器。解决方案：该辐射检测器1包括：能够检测辐射的半导体元件; 固定半导体元件的基板20; 以及具有柔性的柔性基板40，并且具有连接图案以连接到设置在与半导体元件的基板20相反的一侧上的元件的电极。半导体元件设置在基板20的一个表面上，柔性基板40设置在半导体元件的基板20的相反侧。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP2017506436A 同時デュアルバンド検出器审中-公开
标题翻译：同时双频检测器
公开(公告)号：JP2017506436A
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：JP2016553358
申请日：2014-11-18
申请人：レイセオンカンパニー
发明人：クエアスラー，クレイグ , アダムスウェナー，ジャスティン，ゴードン , ウィレス，リチャード，エイチ． , キング，ドナルド，エフ． , ロバーツ，ピーター，シー． , メアーズ，クリストファー，エル．
IPC分类号： H01L31/10
CPC分类号： H01L31/1013 , G01J2005/202 , H01L27/1446 , H01L27/1463 , H01L31/1032
摘要：放射線検出器(12)は、共通層上に配置された一対の隣接するメサ(22、24)を有し、共通層は、第1の導電型と第1のスペクトル領域内の放射線に応答するエネルギーバンドギャップとを持つ第1の半導体層(16)を有し、メサの各々が、第2の半導体層(18)と、第2の半導体層上に配置され、第1の導電型と第2のスペクトル領域内の放射線に応答するエネルギーバンドギャップとを持つ第3の半導体層(20)とを有する。第2の半導体層は、第1導電型とは逆の導電型を持つことができ、あるいは、これら3つの層がnBn又はpBp構造を提供してもよい。第2のメサの第3の半導体層は、第2のスペクトル領域内の放射線に応答して、不所望のキャリアとして、第1のメサに向かって共通層に流れる少数キャリアを生み出す。共通層内にバリア領域が配設される。
摘要翻译：放射线检测器（12）包括一个台面被布置在一个共同的层的相邻对（22，24），公共层是响应于第一导电类型的辐射和第一光谱区具有的能带隙（16）的第一半导体层，每个台面，第二半导体层（18），设置在第二半导体层上，第一导电类型的第二具有响应于辐射的能带隙的第二光谱区和（20）的第三半导体层。所述第二半导体层，第一导电类型可以具有相反的导电类型，或三个层可以提供NBN或PBP结构。第二台面的所述第三半导体层是响应于在第二光谱范围内的辐射，如不希望的载流子，产生流过朝向第一台面的公共层的少数载流。势垒区被布置在公共层中。

10. 发明专利

JP5858790B2 フォトダイオードを作製するための方法有权
标题翻译：为了使光电二极管的方法
公开(公告)号：JP5858790B2
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：JP2011546916
申请日：2010-01-26
申请人：コミッサリアアレネルジーアトミークエオゼネルジザルタナテイヴ
发明人：ジョアン・ロスマン
IPC分类号： H01L31/10
CPC分类号： H01L31/1032 , B82Y20/00 , H01L31/0232 , H01L31/035236 , H01L31/03529 , H01L31/1035 , H01L31/105 , H01L31/107 , Y02E10/50

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