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1. 发明专利

JP2016501450A 磁気偏光光子素子审中-公开
标题翻译：磁极化偏光片元素
公开(公告)号：JP2016501450A
公开(公告)日：2016-01-18
申请号：JP2015547986
申请日：2013-12-13
申请人：ダニエルスコットマーシャル, , ダニエルスコットマーシャル,
发明人：ダニエルスコットマーシャル， , ダニエルスコットマーシャル，
IPC分类号： H01L31/065
CPC分类号： H01L31/065 , H01L31/0296 , H01L31/02966 , H01L31/09 , Y02E10/50
摘要：磁気偏光光子素子が、提供される。磁気偏光光子素子(100)は、基板(102)と、消滅層(106)と、勾配付きバンドギャップ層(142)とを含む。消滅層(106)は、基板(102)の表面(104)上に配置され、勾配付きバンドギャップ層(142)は、消滅層(106)上に配置される。接点(116、128)は、磁気偏光光子素子(100)の端部(146、150)上に配置される。磁場(159)が、勾配付きバンドギャップ層(142)に印加され、消滅層(106)は、電荷を接点(116、128)に駆動させる。
摘要翻译：设置磁性极化光子元件。磁极化偏振器元件（100）包括：基板（102），溶解层（106），渐变带隙层（142）。消失层（106）设置在衬底（102）的表面（104）上，渐变带隙层（142）被布置消失层（106）上。触点（116，128）设置在所述磁性偏振偏振器元件（100）（146，150）的端部。磁场（159）被施加到渐变带隙层（142），消失层（106）驱动所述电荷到触点（116，128）。

2. 发明专利

JP2951146B2 失效
公开(公告)号：JP2951146B2
公开(公告)日：1999-09-20
申请号：JP8510593
申请日：1993-03-22
申请人： KYANON KK
发明人： MATSUDA KOICHI , SANO MASAFUMI , MURAKAMI TSUTOMU
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/0376 , H01L31/065 , H01L31/075 , H01L31/076

3. 发明专利

JPH0722205B2 失效
公开(公告)号：JPH0722205B2
公开(公告)日：1995-03-08
申请号：JP9216785
申请日：1985-04-27
申请人： UNIV DELAWARE
发明人： SUKOTSUTO UIIDOMAN
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/065 , H01L31/075

4. 发明专利

JPH0671090B2 失效
公开(公告)号：JPH0671090B2
公开(公告)日：1994-09-07
申请号：JP13763385
申请日：1985-06-24
申请人： ENAAJII KONBAAJON DEBAISESU INC , KYANON KK
发明人： MAIKERU HATSUKU , SABUHENDEYU GUUHA
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/052 , H01L31/065

5. 发明专利

JPH06151910A PHOTOELECTROMOTIVE FORCE ELEMENT AND GENERATION SYSTEM 失效
公开(公告)号：JPH06151910A
公开(公告)日：1994-05-31
申请号：JP30522192
申请日：1992-11-16
申请人： CANON KK
发明人： SAITO KEISHI , AOIKE TATSUYUKI , SANO MASAFUMI , HAYASHI SUSUMU , TONOGAKI MASAHIKO , NIWA MITSUYUKI
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/052 , H01L31/065 , H01L31/075 , H01L31/20
摘要： PURPOSE:To provide a photoelectromotive force element, which improves release voltage and the carrier range of positive holes by preventing the recoupling of photoexciting carriers, and a generation system using it. CONSTITUTION:In a photoelectromotive force element, which is constituted by stacking a p-type layer 104 consisting of silicon nonsingle crystalline semiconductor material, an i-type layer 103, and an n-type layer 102, the i-type layer 103 contains' germanium atoms, and the band gap of the i-type layer changes smoothly in the direction of thickness, and the minimum value of the band gap is positioned on the side of the p-type layer 104 from the center position of the i-type layer 103, and the i-type layer 103 is doped with a valence electron control agent to become a donor and a valence electron control agent to become an acceptor together. Moreover, at least either the p-type layer 104 or the n-type layer 102 is of laminate structure between a layer, which has group III elements and/or group V elements in periodic table for its main ingredients, and a layer, which contains valence electrons and has silicon atoms for its main ingredients.

6. 发明专利

JPS59220980A MANUFACTURE OF GALLIUM ARSENIDE SERIES SOLAR BATTERY 失效
公开(公告)号：JPS59220980A
公开(公告)日：1984-12-12
申请号：JP9769883
申请日：1983-05-31
申请人： SHARP KK
发明人： SUGAWARA KAZUSHI
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/06 , H01L31/065 , H01L31/068 , H01L31/0693 , H01L31/0735 , H01L31/18
摘要： PURPOSE:To improve the conversion efficiency by obtaining a large internal electric field by a method wherein, when a P type or N type GaAs layer is epitaxially grown in liquid phase with Ga fused liquid into the titled solar battery, the fused liquid is doped with two or more kind of P type or N type impurities of a large difference of diffusion coefficients, and a diffused layer of a large gradient of impurity concentration is generated by simultaneous diffusion. CONSTITUTION:An N type GaAs substrate shown by the layer III is doped with Al and As, and the fused liquid doped with Zn and Ge, the P type impurity, is put in contact with the substrate under the condition of high temperature, and thereafter the temperature is decreased. A P type GaAlAs shown by the layer I is grown in such a manner, and at the same time the Zn and Ge in the fused liquid are diffused into the layer III, resulting in the generation of a P type GaAs layer shown by the layer IV. At this time, the Zn easily diffuses to the substrate, while the Ge does not easily diffuse because of a low diffusion rate. Accordingly, the large gradient of concentration caused by the Zn and Ge generates in the layer IV. Thus, the photoelectric conversion efficiency is enhanced by allowing the layer IV to have a large internal electric field.

7. 发明专利

JPS55162276A SOLAR BATTERY IN HETEROJUNCTION 失效
公开(公告)号：JPS55162276A
公开(公告)日：1980-12-17
申请号：JP7076379
申请日：1979-06-05
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： NISHITANI KAZUO
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/06 , H01L31/065 , H01L31/068
摘要： PURPOSE:To obtain high efficiency of the titled battery by a method wherein a layer same in conduction type as the surface side is laminated on the first material having a pn-junction, and an energy zone is kept larger as it comes near to the surface. CONSTITUTION:The surface of a material having pn-junction is l1 in thickness, Eg1 in energy zone, materials 21, 22... are placed one upon another in sequence to have a relation Eg1

9. 发明专利

JP2017135249A 太陽電池及び太陽電池の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017135249A
公开(公告)日：2017-08-03
申请号：JP2016013645
申请日：2016-01-27
申请人：株式会社カネカ
发明人：京極崇之
IPC分类号： H01L31/065 , H01L31/076 , H01L31/18 , H01L31/075
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：【課題】従来の太陽電池に比べて高い発電効率をもつ太陽電池を提供する。【解決手段】2つの電極層の間に第1光電変換ユニットを備え、第1光電変換ユニットは、p型半導体層と、n型半導体層と、p型半導体層とn型半導体層の間にi型半導体層とを備えており、i型半導体層は、p型半導体層側からn型半導体層側に向けて、第1ナロー半導体層51、第2ワイド半導体層52、及び第2ナロー半導体層53の順に積層された積層ユニットを備えており、第1ナロー半導体層51は、第2ワイド半導体層52よりもバンドギャップが0.06eV以上小さいものであり、さらに、第2ナロー半導体層53は、第2ワイド半導体層52よりもバンドギャップが0.06eV以上小さい構成とする。【選択図】図3

10. 发明专利

JPWO2015178157A1 太陽電池审中-公开
公开(公告)号：JPWO2015178157A1
公开(公告)日：2017-04-20
申请号：JP2016521009
申请日：2015-04-23
申请人：ソーラーフロンティア株式会社
发明人：広紀杉本 , 広紀杉本 , 加藤　拓也 , 拓也加藤 , 酒井　紀行 , 紀行酒井
IPC分类号： H01L31/072 , H01L31/065
CPC分类号： H01L31/0749 , H01L31/0326 , H01L31/065 , H01L31/072 , Y02E10/50
摘要：太陽電池は、基板11と、基板11上に配置された第1電極層12と、第1電極層12上に配置され、銅と亜鉛とスズと、硫黄及びセレンを含むVI族元素とを有するp型のCZTS系光吸収層13と、CZTS系光吸収層13上に配置されたn型の第2電極層15と、を備え、CZTS系光吸収層13の深さ方向におけるVI族元素中の硫黄濃度が、第2電極層15側から第1電極層12側に向かって増加している。

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