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1. 发明专利

JP6091741B2 バイスペクトル多層フォトダイオード検出器、及びそのような検出器を製造する方法有权
标题翻译：双频多层光电二极管检测器，和制造这种检测器的方法
公开(公告)号：JP6091741B2
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：JP2011200372
申请日：2011-09-14
申请人：コミッサリアアレネルジーアトミークエオゼネルジザルタナテイヴ
发明人：オリヴィエ・グラヴラン , ジャック・バイレ
IPC分类号： H01L31/10
CPC分类号： H01L31/1832 , H01L27/14641 , H01L27/14652 , H01L27/14696 , H01L31/1013

3. 发明专利

JP2015531862A 圧電素子を有する応力型半導体検出器有权
标题翻译：具有压电元件的应力半导体探测器
公开(公告)号：JP2015531862A
公开(公告)日：2015-11-05
申请号：JP2015527024
申请日：2013-08-14
申请人：クロメックリミテッドKromek Limited , クロメックリミテッドKromek Limited
发明人：アユーブモハメド , アユーブモハメド , ラドレイイアン , ラドレイイアン
IPC分类号： G01T1/24 , G01N23/04 , G01N23/08 , G01N23/083 , H01L27/144 , H01L27/146
CPC分类号： H01L31/115 , G01T1/24 , H01L31/02966 , H01L31/0304 , H01L31/03046 , H01L31/032 , H01L31/18 , H01L31/1832 , H01L31/184 , H01L31/1844
摘要：圧電半導体材料よりなる少なくとも1つの能動検出層を含む検出素子と;使用時に検出素子に作用することにより、その内部に所定の応力パターンと、したがって圧電効果による所定の電界とを発生させるように配列された応力誘起素子と;を含む半導体検出装置が開示されている。これらの原理を具体化させた半導体検出装置の製造方法及び操作方法も開示されている。
摘要翻译：传感元件和包括由压电半导体材料中的至少一个主动感测层;通过作用在使用时的检测元件上，该预定应力模式在其中，从而被设置成产生预定的电场由于压电效应半导体检测元件被公开，其包括;一直是应激诱导的元件。生产过程，并与体现这些原则半导体检测装置的动作的方法也被公开。

4. 发明专利

JP2015082573A エピタキシャルウエハおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：外延波形及其制造方法
公开(公告)号：JP2015082573A
公开(公告)日：2015-04-27
申请号：JP2013219597
申请日：2013-10-22
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：藤井慧 , 西塚幸司 , 京野孝史 , 柴田馨 , 秋田勝史
IPC分类号： H01L31/10 , H01L21/20
CPC分类号： H01L31/035236 , H01L21/02392 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02466 , H01L21/02507 , H01L21/02546 , H01L21/0262 , H01L31/03042 , H01L31/03046 , H01L31/1832 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要：【課題】暗電流を抑制し感度を確保した受光素子を製造することが可能なエピタキシャルウエハおよびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明のエピタキシャルウエハは、III−V族半導体の基板と、基板の上に位置する、第1の層と第2の層をペアとする複数ペアの多重量子井戸とを備え、多重量子井戸は構成元素にアンチモン(Sb)を含んでおり、多重量子井戸において、不純物として含まれる、硫黄(S)、セレン(Se)およびテルル(Te)の合計が5E15cm −3 以下である。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种外延晶片，其允许制造防止暗电流的光接收元件并确保灵敏度，并提供制造外延晶片的方法。解决方案：本发明的外延晶片包括：基板的III-V族半导体; 以及位于所述衬底上并由多对第一层和第二层组成的多量子阱。多量子阱含有锑（Sb）作为构成元素，并且在多量子阱中作为杂质含有的硫（S），硒（Se）和碲（Te）的和为5E15cm以下。

5. 发明专利

JP5567671B2 Method for producing a radiation detector 有权
公开(公告)号：JP5567671B2
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：JP2012523494
申请日：2011-02-09
申请人：株式会社島津製作所 , 独立行政法人国立高等専門学校機構
发明人：敏徳田 , 晃一田邊 , 利典吉牟田 , 弘之岸原 , 正知貝野 , 聖菜吉松 , 敏幸佐藤 , 章二桑原
IPC分类号： H01L31/08 , G01T1/24 , H01L27/144 , H01L27/146
CPC分类号： H01L21/02573 , H01L21/02562 , H01L21/0262 , H01L27/14659 , H01L27/14692 , H01L27/14696 , H01L31/02966 , H01L31/115 , H01L31/1832 , Y02E10/50

6. 发明专利

JPWO2005064692A1 化合物半導体膜及び太陽電池とそれらの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2005064692A1
公开(公告)日：2007-07-26
申请号：JP2005516557
申请日：2004-11-30
申请人：松下電器産業株式会社
发明人：橋本　泰宏 , 泰宏橋本 , 佐藤　▲琢▼也 , ▲琢▼也佐藤 , 根上　卓之 , 卓之根上
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/0336 , H01L31/0749
CPC分类号： H01L31/02966 , H01L31/0322 , H01L31/0749 , H01L31/1832 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要：化合物半導体膜を、A.亜鉛、スズ、カドミウム、インジウム及びガリウムから選ばれる少なくとも一つの元素、B.酸素及び硫黄から選ばれる少なくとも一つの元素、及びC.IIa族元素を含有する化合物で構成する。また、太陽電池を、基板(11)と、基板(11)上に形成された導電層(12)と、導電層(12)上に形成されたIb族元素、IIIa族元素及びVIa族元素を含有する化合物半導体からなる光吸収層(13)と、光吸収層(13)上に形成された前記化合物半導体膜(14)と、化合物半導体膜(14)上に形成された透明導電層(16)とを含む構成とする。これにより、電気抵抗率の低い化合物半導体膜を提供する。また、電気抵抗率の低い化合物半導体膜を太陽電池のバッファー層として用いて、太陽電池のエネルギー変換効率を向上させる。

7. 发明专利

JP5911487B2 CZTS系薄膜太陽電池及びその製造方法有权
标题翻译： CZTS系薄膜太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：JP5911487B2
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：JP2013520504
申请日：2012-05-31
申请人：ソーラーフロンティア株式会社
发明人：杉本広紀 , 酒井紀行 , 廣井誉
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/065 , H01L21/02491 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02568 , H01L21/02579 , H01L21/02614 , H01L31/022441 , H01L31/0326 , H01L31/072 , H01L31/1832 , H01L31/1884 , Y02E10/50

8. 发明专利

JP2013093484A Magnesium zinc oxide film and production method therefor 有权
标题翻译：氧化镁氧化镁膜及其生产方法
公开(公告)号：JP2013093484A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：JP2011235630
申请日：2011-10-27
申请人： Toyota Motor Corp , トヨタ自動車株式会社
发明人： MAEKAWA RYOSUKE , AWANO HIROMOTO , MATSUNAGA TOMOYA , TAKEDA YUICHIRO , SAKAI TAKENOBU
IPC分类号： H01L21/368 , H01L31/04
CPC分类号： H01L31/18 , C23C18/1216 , C23C18/1245 , C23C18/1283 , H01L21/02422 , H01L21/02425 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02628 , H01L31/0256 , H01L31/1832 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a production method of a ZnMgO film in which addition of Mg for Zn can be 30 mol% or more.SOLUTION: A production method of a ZnMgO film includes: an adjusting step for adjusting the pH of aqueous ammonia solution in a region between a line α and a line β and adjusting the zinc ion concentration and the magnesium ion concentration in the aqueous ammonia solution, by dissolving a Zn material and an Mg material into an aqueous ammonia solution where the line α defining the precipitation region of Zn(OH)and the region ZnOmay be present is located closer to the low pH side than the line β defining the region magnesium ion may be present and the precipitation region of Mg(OH), in an aqueous solution state diagram where the ordinate represents zinc ion concentration and magnesium ion concentration and the abscissa represents pH; a heating step for raising the temperature of the aqueous ammonia solution to the precipitation temperature of Zn(OH)and Mg(OH)after the adjusting step; and a calcination step for calcining the precipitates after the heating step.
摘要翻译：待解决的问题：提供ZnMgO膜的制造方法，其中Zn的添加量可以为30摩尔％以上。解决方案：ZnMgO膜的制备方法包括：调节在线α和线β之间的区域中的氨水溶液的pH值并调节锌离子浓度和水溶液中的镁离子浓度的调节步骤氨溶液，通过将Zn材料和Mg材料溶解到氨水溶液中，其中定义Zn（OH） 2 的沉淀区的线α和区域ZnO 2 2 - 可能存在位于比限定可能存在的区域镁离子的线β更靠近低pH侧，并且析出在水溶液状态图中，纵坐标表示锌离子浓度和镁离子浓度，横坐标表示pH; Mg（OH） 2 将氨水溶液的温度升高至Zn（OH） 2 和Mg（OH） 2的沉淀温度的加热步骤， SB>调整步骤后; 和煅烧步骤，用于在加热步骤之后煅烧沉淀物。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP4247263B2 Semiconductor radiation detector and radiation detection equipment 有权
公开(公告)号：JP4247263B2
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：JP2006268570
申请日：2006-09-29
申请人：株式会社日立製作所
发明人：信也小南 , 知之清野
IPC分类号： G01T1/24 , G01T1/161 , H01L31/09
CPC分类号： H01L27/1446 , H01L31/0224 , H01L31/02966 , H01L31/03046 , H01L31/1832 , H01L31/1844 , Y02E10/544

10. 发明专利

JP2005529343A Radiation detector 有权
公开(公告)号：JP2005529343A
公开(公告)日：2005-09-29
申请号：JP2004512175
申请日：2003-06-10
申请人：トゥー‐シックス・インコーポレイテッド
发明人：クサバセレス , ケルヴィンジーリン
IPC分类号： G01T1/24 , C01B19/00 , C22C18/00 , C22C20/00 , C22C28/00 , C30B9/00 , C30B11/00 , C30B17/00 , C30B28/06 , C30B29/48 , H01L31/0296 , H01L31/09 , H01L31/103 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02966 , C30B11/00 , C30B29/48 , H01L21/02562 , H01L21/0257 , H01L21/02576 , H01L21/02625 , H01L31/0296 , H01L31/085 , H01L31/1032 , H01L31/1832
摘要：本発明の放射線検出器は、Ｃｄ
x Ｚｎ
1-x Ｔｅ（０≦ｘ≦１）と、１０〜１００００ｐｐｂのＰｂ濃度と、１０〜１００００ｐｐｂの濃度の（ｉ）Ｃｌ及び（ｉｉ）周期表のＩＩＩ族元素の群から選ばれる少なくとも一つの元素とを含む化合物又は合金から作製される。これにより、十分な電気補償、高抵抗率、適用される電気バイアスの下での十分な空乏、及び優れた電荷輸送示す。

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