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1. 发明专利

JP6398409B2 受光素子有权
公开(公告)号：JP6398409B2
公开(公告)日：2018-10-03
申请号：JP2014145728
申请日：2014-07-16
申请人：三菱電機株式会社
发明人：菊地真人武 , 中路雅晴 , 竹村亮太 , 山路和樹
IPC分类号： H01L31/10
CPC分类号： H01L31/022408 , H01L31/02161 , H01L31/02164 , H01L31/109

2. 发明专利

JP2015176904A 半導体受光素子审中-公开
标题翻译：半导体接收元件
公开(公告)号：JP2015176904A
公开(公告)日：2015-10-05
申请号：JP2014050339
申请日：2014-03-13
申请人：三菱電機株式会社
发明人：竹村亮太 , 山路和樹 , 中路雅晴 , 菊地真人武
IPC分类号： H01L31/10
摘要：【課題】受光径の小さい素子で高速応答性を改善した半導体受光素子を提供する。【解決手段】半導体受光素子20は、表面6aおよび裏面6bを有しn型InPからなる半導体基板6を備えている。半導体基板6の表面6a上に、InGaAsからなる光吸収層5、およびInPからなる窓層4が積層される。光吸収層5は、入射光より小さいバンドギャップを持つ。窓層4の一部には、Zn選択拡散等により受光部3が形成されており、この部分が光を受光可能な部分となる。受光部3の少なくとも一部に接するようにp型InGaAsコンタクト層2が積層されており、コンタクト層2に接するようにp型の電極1が積層されている。半導体基板6の裏面6bは、光が入射する領域をエピタキシャル成長面よりも荒れさせておく。裏面6bには反射防止膜8が形成される。受光部3の周囲には、遮光用およびコンタクト用の電極7を形成する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够利用具有小的光接收直径的元件来提高高速响应性的半导体光接收元件。解决方案：半导体光接收元件20包括半导体基板6，半导体基板6具有正面6a和后表面6b，并且由n型InP形成。在半导体衬底6的正面6a上层叠由InGaAs形成的光吸收层5和由InP形成的窗口层4。光吸收层5的带隙比入射光的带隙小。光接收部分3通过Zn选择扩散等形成在窗口层4的一部分处，并且该部分成为可光接收部分。层叠p型InGaAs接触层2以与光接收部3的至少一部分接触，并且层叠p型电极1以与接触层2接触。半导体基板6的背面6b的光进入比外延生长面更粗糙。反面防止膜8形成在后面6b上。在光接收部3的周围形成遮光接触电极7。

3. 发明专利

JP2016025095A 受光素子审中-公开
标题翻译：灯接收装置
公开(公告)号：JP2016025095A
公开(公告)日：2016-02-08
申请号：JP2014145728
申请日：2014-07-16
申请人：三菱電機株式会社
发明人：菊地真人武 , 中路雅晴 , 竹村亮太 , 山路和樹
IPC分类号： H01L31/10
CPC分类号： H01L31/022408 , H01L31/02161 , H01L31/02164 , H01L31/109
摘要：【課題】本発明は、応答速度を早くすることができ、かつアノード電極とカソード電極のショートを防止できる受光素子を提供することを目的とする。【解決手段】第1導電型の基板と、該基板の上に形成された、該基板よりバンドギャップが小さい第1導電型の光吸収層と、該光吸収層の一部の上に形成された第2導電型の拡散層と、該光吸収層の上に該拡散層を囲むように形成された、該光吸収層よりバンドギャップが大きい第1導電型の窓層と、該拡散層の上に形成されたアノード電極と、該基板の上に、該窓層と該光吸収層に接触せず、該基板に接触するように設けられたカソード電極と、を備え、平面視で該拡散層と該窓層の境界を囲み、断面視で該窓層と該光吸収層を貫通する溝が形成される。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够增加响应速度并防止阳极电极和阴极之间的短路的光接收装置。解决方案：光接收装置具有第一导电型基板，第一导电型光吸收层，其形成在板上并具有比板更小的带隙;形成在光吸收层的一部分上的第二导电类型扩散层，形成在光吸收层上以围绕的第一导电型窗口层扩散层并且具有比光吸收层更大的带隙，以及形成在扩散层上的阳极电极和设置在板上的阴极，使得阴极电极不与窗口层接触，而是与光吸收层。在平面图中形成包围扩散层和窗口层之间的边界的凹槽，并以截面图穿过窗口层和光吸收层。图1

4. 发明专利

JP6332096B2 半導体受光素子有权
公开(公告)号：JP6332096B2
公开(公告)日：2018-05-30
申请号：JP2015059974
申请日：2015-03-23
申请人：三菱電機株式会社
发明人：竹村亮太 , 中路雅晴 , 山路和樹
IPC分类号： H01L31/107
CPC分类号： H01L31/1075

5. 发明专利

JP6127561B2 半導体受光装置有权
公开(公告)号：JP6127561B2
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：JP2013025660
申请日：2013-02-13
申请人：三菱電機株式会社
发明人：増山祐士 , 中路雅晴 , 久義浩
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/02
CPC分类号： G01J1/0204 , G01J1/0271 , H01L31/0203 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265

6. 发明专利

JP2016181558A 半導体受光素子有权
标题翻译：半导体接收元件
公开(公告)号：JP2016181558A
公开(公告)日：2016-10-13
申请号：JP2015059974
申请日：2015-03-23
申请人：三菱電機株式会社
发明人：竹村亮太 , 中路雅晴 , 山路和樹
IPC分类号： H01L31/107
CPC分类号： H01L31/1075
摘要：【課題】高速応答性と素子劣化抑制を両立することができる半導体受光素子を得る。【解決手段】基板1上に、p型導電層2、入射光より小さいバンドギャップを持つ光吸収層3、アバランシェ増倍をする増倍層5、及びn型InP窓層7が順に積層されている。n型導電層8がn型InP窓層7の一部の領域上に形成されている。第1のp型導電領域11が、n型InP窓層7のうちn型導電層8に接していない領域に形成されている。第1のp型導電領域11は、増倍層5に達しておらず、外部から給電可能な電極と接していない。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：实现能够平衡高速响应性并抑制元件劣化的半导体光接收元件。解决方案：半导体光接收元件包括：p型导电层2，具有带状的光吸收层3 间隙小于入射光，用于引起雪崩乘法的乘法层5和依次层压在基板1上的n型InP窗口层7; 形成在n型InP窗口层7的部分区域上的n型导电层8; 以及形成在n型InP窗层7的区域中的第一p型导电区域11，而不与n型导电层8接触，其中第一p型导电区域11未到达乘法层5，不接触能够供电的电极。选择图：图1

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