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1. 发明授权

EP2819174B1 A thyristor, a method of triggering a thyristor, and thyristor circuits 有权转让
标题翻译：用于触发晶闸管和晶闸管晶闸管方法
公开(公告)号：EP2819174B1
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：EP13173359.4
申请日：2013-06-24
申请人： Silergy Corp.
发明人： Van Dalen, Rob , Swanenberg, Maarten , Emmerik-Weijland, Inesz
IPC分类号： H01L29/74 , H01L29/08
CPC分类号： H01L29/7408 , H01L27/153 , H01L29/0839 , H01L29/7412 , H01L29/7428 , H03K17/72
摘要： A thyristor is disclosed comprising: a first region of a first conductivity type; a second region of a second conductivity type and adjoining the first region; a third region of the first conductivity type and adjoining the second region; a fourth region of the second conductivity type and comprising a first segment and a second segment separate from the first segment, the first segment and second segment each adjoining the third region; a first contact adjoining the first region; a second contact adjoining the first segment; and a trigger contact adjoining the second segment and separate from the second contact. Methods of triggering such a thyristor are also disclosed, as are circuits utilising one or more such thyristors.

2. 发明公开

EP1524700A1 Commutateur à commande isolée 有权
标题翻译： Schalter mit einer isolierten Steuerung
公开(公告)号：EP1524700A1
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：EP04105043.6
申请日：2004-10-14
申请人： ST MICROELECTRONICS S.A.
发明人： MENARD, Samuel , MAURIAC, Christophe
IPC分类号： H01L29/74 , H01L29/423 , H01L29/417 , H03K17/722
CPC分类号： H01L29/42308 , H01L29/41716 , H01L29/7408 , H03K17/722
摘要： L'invention concerne un commutateur SCR vertical destiné à être commandé par un signal haute fréquence, comprenant au moins quatre couches principales alternées. Ce commutateur comprend une borne de gâchette et une borne de référence de gâchette reliées par l'intermédiaire de condensateurs intégrés à des zones correspondantes. Dans le cas d'un thyristor, comprenant du côté de la face avant une zone semiconductrice principale de type P (20) formée dans une zone semiconductrice de gâchette de type N (21), une première portion de la zone principale étant reliée à une des bornes principales (K), une seconde portion de la zone principale est reliée à une des bornes de commande (K2) par l'intermédiaire d'un premier condensateur intégré (Ck), et une portion de la zone de gâchette (G) étant reliée à l'autre des bornes de commande par l'intermédiaire d'un second condensateur intégré (Cg).
摘要翻译：该开关具有四个主要层，高电流通过该层。栅极端子通过电容器与栅极区（G）连接。参考栅极端子通过集成电容器连接到布置在其上布置有栅极区域的部件面上的参考栅极区域。通过在参考和门极之间施加高频信号激活开关。

3. 发明公开

EP0472880A2 Verfahren zur Herstellung eines Thyristors mit definiertem Lateral-Widerstand 失效
标题翻译： Thyristor mit definiertem Lateral-Widerstand und Verfahren zu dessen Herstellung。
公开(公告)号：EP0472880A2
公开(公告)日：1992-03-04
申请号：EP91111847.9
申请日：1991-07-16
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Kuhnert, Reinhold, Dr. , Mitlehner, Heinz, Dr. , Schulze, Hans-Joachim, Dr. , Pfirsch, Frank, Dr.
IPC分类号： H01L29/74 , H01L29/10 , H01L29/36 , H01L21/332
CPC分类号： H01L29/7428 , H01L29/7408
摘要： Die Erfindung betrifft einen Thyristor der, bspw. zwischen einem Emittergebiet (8) und einem Hilfsemittergebiet (7), einen Widerstandsbereich (5) zur Bildung eines Lateral-Widerstandes (R) besitzt, wobei der Widerstandsbereich (5) eine definiert niedrigere Dotierungskonzentration als die ihn umgebende Schicht (2) aufweist. Die definiert niedrigere Dotierungskonzentration wird durch Aussparungen (3) in einer Belegungsschicht erzeugt und kann durch das Breitenverhältnis von abwechselnd angeordneten Aussparungen (3) und Stegen (4) eingestellt werden. Die Aussparung (3) und Stege (4) werden entweder durch Diffusion und anschließender Ätzung oder durch Implantation mit Implantationsmaske gebildet, bevor die Belegungsschicht in den Halbleiterkörper des Thyristors durch Erhitzen von einer Oberfläche (O) her eingetrieben wird.
摘要翻译：本发明涉及一种晶闸管，其具有例如在发射极区域（8）和支撑发射极区域（7）之间，用于形成横向电阻（R）的电阻区域（5），电阻区域（5））具有比围绕它的层（2）更好的较低掺杂剂浓度。明确的下掺杂剂浓度由涂层中的凹槽（3）产生，并且可以通过交替的凹槽（3）和脊（4）的宽度比来调节。在通过加热将涂层从表面（O）驱动到晶闸管的半导体本体之前，通过扩散和随后的蚀刻或通过注入掩模形成凹部（3）和脊（4）。 ... ...

4. 发明授权

EP0240690B1 Thyristor mit einstellbarem Basis-Emitter-Widerstand 有权
标题翻译：具有可调式基站发射极电阻的电路
公开(公告)号：EP0240690B1
公开(公告)日：1991-04-10
申请号：EP87102739.7
申请日：1987-02-26
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Voss, Peter, Dr.-Ing.
IPC分类号： H01L29/743 , H01L29/52
CPC分类号： H01L23/525 , H01L29/0839 , H01L29/41716 , H01L29/7408 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00

5. 发明公开

EP0312088A3 SENSITIVE THYRISTOR HAVING IMPROVED NOISE-CAPABILITY 失效
标题翻译：具有改进的噪声能力的敏感型电视机
公开(公告)号：EP0312088A3
公开(公告)日：1990-12-27
申请号：EP88117118
申请日：1988-10-14
申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA , TOSHIBA COMPONENTS CO., LTD.
发明人： YAKUSHIJI, SHIGENORI C/O PATENT DIVISION , JITSUKATA, KOUJI
IPC分类号： H01L21/332 , H01L27/144 , H01L29/74 , H01L29/749 , H01L31/111 , H01L29/743 , H01L31/10
CPC分类号： H01L29/66371 , H01L27/1443 , H01L29/7408 , H01L29/742 , H01L31/1113
摘要： A MOSFET (19) is provided between a main thyristor (26) and an auxiliary thyristor (27) for controlling the main thyristor (26). The source and drain regions of the MOSFET (19) are also used as a first N-type emitter region (16) of the main thyristor (26) and a second N-type emitter region (18) of the auxiliary thyristor (27). The MOSFET (19) and the auxiliary thyristor (27) are controlled by an output of a gate energization cir cuit. When the MOSFET (19) is turned on by an output of the gate energization circuit, the main thyristor (26) is connected to the auxiliary thyristor (27). At this time, the auxiliary thyristor (27) is turned on by the output of the gate energization circuit, and the main thyristor (26) is also turned on due to the turn-on operation of the auxiliary thyristor (27). When the MOSFET (19) is in the OFF state, the main thyristor (26) is electrically isolated from the auxiliary thyristor (27).

6. 发明公开

EP2819174A1 A thyristor, a method of triggering a thyristor, and thyristor circuits 有权转让
标题翻译：晶闸管，Verfahren zumAuslöseneines Thyristors和Thyristorschaltungen
公开(公告)号：EP2819174A1
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：EP13173359.4
申请日：2013-06-24
申请人： NXP B.V.
发明人： Van Dalen, Rob , Swanenberg, Maarten , Emmerik-Weijland, Inesz
IPC分类号： H01L29/74 , H01L29/08
CPC分类号： H01L29/7408 , H01L27/153 , H01L29/0839 , H01L29/7412 , H01L29/7428 , H03K17/72
摘要： A thyristor is disclosed comprising: a first region of a first conductivity type; a second region of a second conductivity type and adjoining the first region; a third region of the first conductivity type and adjoining the second region; a fourth region of the second conductivity type and comprising a first segment and a second segment separate from the first segment, the first segment and second segment each adjoining the third region; a first contact adjoining the first region; a second contact adjoining the first segment; and a trigger contact adjoining the second segment and separate from the second contact.
Methods of triggering such a thyristor are also disclosed, as are circuits utilising one or more such thyristors.
摘要翻译：公开了一种晶闸管，包括：第一导电类型的第一区域; 第二导电类型的第二区域并与第一区域相邻; 所述第一导电类型的第三区域和所述第二区域相邻; 所述第二导电类型的第四区域包括与所述第一段分离的第一段和第二段，所述第一段和第二段各自邻接所述第三区; 邻接第一区域的第一接触; 邻接所述第一段的第二接触; 以及与第二段相邻并且与第二接触分离的触发器触点。还公开了触发这种晶闸管的方法，以及利用一个或多个这种晶闸管的电路。

7. 发明授权

EP1427107B1 Commutateur de type SCR commande en HF 有权
标题翻译：在SCR型的HF-受控开关
公开(公告)号：EP1427107B1
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：EP03300242.9
申请日：2003-12-02
申请人： STMicroelectronics S.A.
发明人： Pezzani, Robert
IPC分类号： H03K17/722 , H01L29/74
CPC分类号： H03K17/722 , H01L29/7408 , H03K17/567

8. 发明公开

EP0675545A2 Insulated gate thyristor 失效
标题翻译：绝缘栅晶闸管。
公开(公告)号：EP0675545A2
公开(公告)日：1995-10-04
申请号：EP95104741.4
申请日：1995-03-30
申请人： FUJI ELECTRIC CO. LTD.
发明人： Iwamuro, Noriyuki
IPC分类号： H01L29/745
CPC分类号： H01L29/749 , H01L29/7408 , H01L29/7455
摘要： To provide an emitter switched thyristor (EST) which improves the turn-off withstand capability without deteriorating its on-voltage, according to the present invention, a potential drop is obtained through a resistor (13) disposed between the main electrode (11) and the base region (6). This facilitates uniformly recovering the reverse-blocking ability of the PN junction, in contrast to the ESTs of the prior art which obtain the potential drop by the current in Z-direction for latching up the thyristor from the IGBT mode. The present EST may be formed also in a horizontal device or a trench structure.

9. 发明公开

EP0164106A3 PNPN switch device 失效
标题翻译： PNPN开关设备
公开(公告)号：EP0164106A3
公开(公告)日：1987-08-26
申请号：EP85106927
申请日：1985-06-04
申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人： Motojima, Hideaki , Takayama, Hiroki , Ohura, Jun-ichi
IPC分类号： H01L23/56 , H01L27/06
CPC分类号： H01L27/0248 , H01L23/5222 , H01L27/0617 , H01L29/7408 , H01L29/742 , H01L29/747 , H01L31/1113 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A PNPN switch device with a circuit for preventing an error due to a surge voltage. The circuit comprises two capacitors (23a), (24a). The first capacitor (24a) is formed in a P-type gate region (13a). The second capacitor of a capacitance of an insulation layer (32) sandwiched between a MOS gate electrode (22a) and a capacitor electrode (52a) is provided outside the P-type gate region (13a).

10. 发明公开

EP0064613A3 SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A PLURALITY OF ELEMENT UNITS OPERABLE IN PARALLEL 失效
标题翻译：具有多个元件单元的半导体器件可并行运行
公开(公告)号：EP0064613A3
公开(公告)日：1983-07-06
申请号：EP82103227
申请日：1982-04-16
申请人： TOKYO SHIBAURA DENKI KABUSHIKI KAISHA
发明人： MAKOTO, AZUMA
IPC分类号： H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/73 , H01L29/74 , H01L29/744 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/7302 , H01L29/0813 , H01L29/102 , H01L29/7408 , H01L29/744

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