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1. 发明授权

EP2415085B1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 有权
公开(公告)号：EP2415085B1
公开(公告)日：2019-01-02
申请号：EP10707304.1
申请日：2010-03-10
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
发明人： AVRAMESCU, Adrian, Stefan , QUEREN, Désirée , EICHLER, Christoph , SABATHIL, Matthias , LUTGEN, Stephan , STRAUSS, Uwe
IPC分类号： H01L33/32 , B82Y20/00 , H01S5/34 , H01S5/343 , H01L33/06

2. 发明授权

EP3097346B1 LEUCHTMITTEL MIT VORGEBBARER ABSTRAHLCHARAKTERISTIK UND HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR EINEN OPTIKKÖRPER 有权
公开(公告)号：EP3097346B1
公开(公告)日：2018-09-19
申请号：EP15701139.6
申请日：2015-01-16
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
发明人： SOBCZYK, Sandra , SINGER, Frank , MÖNCH, Wolfgang , SABATHIL, Matthias
IPC分类号： F21K9/61 , F21K9/64 , F21V8/00 , F21V5/04 , F21K9/90 , F21Y115/10 , F21Y103/10
CPC分类号： F21K9/64 , F21K9/61 , F21K9/90 , F21V3/02 , F21V5/043 , F21Y2103/10 , F21Y2115/10

3. 发明授权

EP2519985B1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 有权
标题翻译：光电子器件和制造光电子器件的方法
公开(公告)号：EP2519985B1
公开(公告)日：2018-05-02
申请号：EP11711853.9
申请日：2011-03-28
申请人： Osram Opto Semiconductors Gmbh
发明人： ILLEK, Stefan , LINKOV, Alexander , SABATHIL, Matthias
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/50 , H01L33/56 , H01L33/54 , G02B6/00 , H01L33/60
CPC分类号： G02B6/0023 , G02B6/0073 , H01L33/501 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/56 , H01L33/60 , H01L2224/48091 , H01L2224/8592 , H01L2933/0091 , H01L2924/00014

4. 发明授权

EP2340568B1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERKÖRPER 有权
标题翻译：光电子半导体本体
公开(公告)号：EP2340568B1
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：EP09741206.8
申请日：2009-09-30
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
发明人： ENGL, Karl , SABATHIL, Matthias
IPC分类号： H01L33/00 , H01L27/15 , H01L33/38 , H01L33/22 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/22 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

5. 发明授权

EP2412021B1 LEUCHTDIODE 有权
公开(公告)号：EP2412021B1
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：EP10710274.1
申请日：2010-03-15
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
发明人： SABATHIL, Matthias , KOCUR, Simon , GRÖTSCH, Stefan
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/08 , H01L33/22 , H01L33/58 , H01L33/38 , H01L33/50
CPC分类号： H01L25/0756 , H01L33/08 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/502 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

6. 发明公开

EP2612372A2 LEUCHTDIODENCHIP 有权
公开(公告)号：EP2612372A2
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：EP11746232.5
申请日：2011-08-17
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
发明人： HÖPPEL, Lutz , VON MALM, Norwin , SABATHIL, Matthias
IPC分类号： H01L33/22 , H01L25/075 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/0079
摘要： A light-emitting diode chip is specified, comprising - a semiconductor body (1) comprising a radiation-generating active region (13), - at least two contact locations (2a, 2b) for making electrical contact with the active region, - a carrier (3) and - a connecting means (4), arranged between the carrier (3) and the semiconductor body (1), wherein - the semiconductor body (1) has a roughening (15) at its outer surfaces facing the carrier (3), - the semiconductor body (1) is mechanically connected to the carrier (3) by means of the connecting means (4), - the connecting means (4) is in direct contact with the semiconductor body (1) and the carrier (3) in some locations, and - the at least two contact locations (2a, 2b) are arranged at the top side of the semiconductor body (1) that faces away from the carrier (3).
摘要翻译：提供了一种发光二极管芯片，包括： - 包括辐射产生有源区（13）的半导体本体（1）， - 用于与有源区电接触的至少两个接触位置（2a，2b）， - （3）和布置在所述载体（3）与所述半导体本体（1）之间的连接装置（4），其中 - 所述半导体本体（1）在其面向所述载体的外表面处具有粗糙化（15）所述连接装置（4）与所述半导体本体（1）直接接触，并且所述载体（3）通过所述连接装置（4）与所述载体（3）机械连接，（3），并且 - 所述至少两个接触位置（2a，2b）布置在所述半导体本体（1）的背对所述载体（3）的顶侧处。

7. 发明公开

EP2519985A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 有权
公开(公告)号：EP2519985A1
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：EP11711853.9
申请日：2011-03-28
申请人： Osram Opto Semiconductors Gmbh
发明人： ILLEK, Stefan , LINKOV, Alexander , SABATHIL, Matthias
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/50 , H01L33/56 , H01L33/54 , G02B6/00 , H01L33/60
CPC分类号： G02B6/0023 , G02B6/0073 , H01L33/501 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/56 , H01L33/60 , H01L2224/48091 , H01L2224/8592 , H01L2933/0091 , H01L2924/00014
摘要： An optoelectronic component (1) comprises a carrier (2) and at least one semiconductor chip (3). The semiconductor chip (3) is arranged on the carrier (2) and equipped to emit a primary radiation (6). The semiconductor chip (3) is enclosed at least partially by an at least partially transparent medium (7) having a height (8) above the carrier (2) and a width (9) along the carrier (2). Particles (10, 11) that interact with the primary radiation (6) are introduced into the medium (7). The medium (7) has a ratio of height (8) to width (9) of more than 1.
摘要翻译：一种光电子器件（1）包括载体（2）和至少一个半导体芯片（3）。半导体芯片（3）布置在载体（2）上并且被配备为发射初级辐射（6）。半导体芯片（3）至少部分地由在载体（2）上方具有高度（8）和沿着载体（2）的宽度（9）的至少部分透明的介质（7）封闭。与初级辐射（6）相互作用的颗粒（10,11）被引入到介质（7）中。介质（7）的高度（8）与宽度（9）的比率大于1。

8. 发明公开

EP2465148A1 ELEKTRISCH GEPUMPTER OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 有权
公开(公告)号：EP2465148A1
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：EP10726134.9
申请日：2010-06-30
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
发明人： PETER, Matthias , MEYER, Tobias , OFF, Jürgen , TAKI, Tetsuya , HERTKORN, Joachim , SABATHIL, Matthias , LAUBSCH, Ansgar , BIEBERSDORF, Andreas
IPC分类号： H01L33/32 , H01L33/06
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： The invention relates to at least one embodiment of the electrically pumped optoelectronic semiconductor chip (1) comprising at least two radioactive quantum wells (2), wherein the radioactive quantum wells (2) comprise or are made of InGaN. The optoelectronic semiconductor chip (1) further comprises at least two coatings (4) comprising or made of AlGaN. Each of the coatings (4) is associated with exactly one of the radioactive quantum wells (2). The coatings (4) are each present at a p-side of the associated radioactive quantum well (2). A distance between the radioactive quantum well (2) and the associated coating (4) is no greater than 1.5 mm.
摘要翻译：电泵浦光电子半导体芯片包括至少两个包含InGaN的辐射活性量子阱或者由它们组成。光电半导体芯片包括至少两个包括AlGaN或其组成的覆盖层。每个覆盖层被精确地分配给辐射有源量子阱中的一个。覆盖层各自位于相关联的辐射有源量子阱的p侧上。辐射有源量子阱与相关覆盖层之间的距离为1.5nm以下。

9. 发明公开

EP2011161A2 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
公开(公告)号：EP2011161A2
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：EP07722298.2
申请日：2007-04-25
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
发明人： EICHLER, Christoph , MILLER, Stephan , STRAUSS, Uwe , HÄRLE, Volker , SABATHIL, Matthias
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/465 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/405 , H01L2924/0002 , H01L2933/0091 , H01L2924/00
摘要： Disclosed is an optoelectronic semiconductor component comprising a supporting substrate as well as an intermediate layer that provides adhesion between the supporting substrate and a component structure. The component structure encompasses an active layer that is used for generating radiation.
摘要翻译：公开了一种光电子半导体部件，其包括支撑衬底以及提供支撑衬底和部件结构之间的粘合的中间层。部件结构包含用于产生辐射的有源层。

10. 发明授权

EP2248191B1 HALBLEITERLEUCHTDIODE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERLEUCHTDIODE 有权
公开(公告)号：EP2248191B1
公开(公告)日：2018-08-15
申请号：EP09714695.5
申请日：2009-02-11
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
发明人： AHLSTEDT, Magnus , BAUR, Johannes , ZEHNDER, Ulrich , STRASSBURG, Martin , SABATHIL, Matthias , HAHN, Berthold
IPC分类号： H01L33/40 , H01L33/42
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/46

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