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    • 3. 发明公开
    • Interleaf structure for a processing apparatus and processing apparatus with interleaf structure
    • 子弹片层结构用于处理设备和处理设备与所述前端的纸张结构
    • EP2916350A1
    • 2015-09-09
    • EP14157880.7
    • 2014-03-05
    • Applied Materials, Inc.
    • Ries, FlorianHein, StefanHenrich, JürgenSauer, Andreas
    • H01L21/67H01L21/205H01L31/076
    • H01L21/67092H01L21/67132H01L31/206Y02E10/50Y02P70/521
    • An interleaf structure (100; 300; 400) for a processing apparatus (200; 450) is described. The interleaf structure includes a first chamber (110; 310; 410), wherein the first chamber includes at least one first connecting flange device (120; 320; 420) configured to be connectable to the processing apparatus (200; 450); an interleaf unwinding roll (130; 230; 430) and an interleaf winding roll (131; 231; 431) both located in the first chamber (110; 310; 410). When the interleaf unwinding roll (130; 230; 430) unwinds a first interleaf (140; 340; 440) and the interleaf winding roll (131; 231; 431) winds up a second interleaf (141; 341; 441), the first interleaf and the second interleaf are transported through the first connecting flange device (120; 320; 420), particularly in opposite directions. Further, a processing apparatus, the use of a processing apparatus, and a method for providing a processing apparatus are described.
    • 一个夹层结构(100; 300; 400),用于一个处理设备(200; 450)进行说明。 夹层结构包括第一腔室(110; 310; 410),其中,所述第一腔室包括至少一个第一连接法兰设备(120; 320; 420)配置为可连接到处理装置(200; 450); 和夹层卷绕辊以夹层开卷卷筒(430 130 ;, 230)(131; 231; 431)均位于所述第一室(110; 310; 410)。 当夹层退绕辊(130; 230; 430)退绕的第一夹层(140; 340; 440)和所述夹层卷绕辊(131; 231; 431)卷起的第二中间层(141; 341; 441),所述第一 夹层和所述第二夹层通过第一连接法兰装置输送(120; 320; 420),特别是在相反的方向。 此外,处理装置,使用的处理装置的,并用于提供一个处理装置的方法进行说明。
    • 4. 发明公开
    • Process chamber, inline coating installation and method for treating a substrate
    • Prozesskammer,Inline-Beschichtungsanlage und Verfahren zur Behandlung eines Substrats
    • EP1953259A1
    • 2008-08-06
    • EP07101677.8
    • 2007-02-02
    • Applied Materials, Inc.
    • Henrich, JürgenSchäfer, MichaelHaberkorn, Edgar
    • C23C16/00
    • C23C16/54
    • A process chamber 1 for PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition) coating of a substrate 5a, 5b comprises an electrode 12a, 12b, which is integrated in a contact frame 11a, 11b, which is firmly connected to the recipient 2. A movable carrier 4a, 4b in the process chamber 1 carries at least one substrate 5a, 5b. The carrier is transported by means of a driven roller positioner 6a, 6b into the process chamber 1 or out of the process chamber 1 along a transport route defined by the movement. As soon as the carrier 4a, 4b inside the recipient has reached a certain position, the lower roller positioner 6a, 6b is uncoupled from carrier 4a, 4b by lowering by means of a lifting device 8a, 8b. In this regard, the carrier detaches itself from the upper roller positioner 7a, 7b. Then, the carrier is accepted by a transfer device (not shown) and brought from the transport position laterally into a treatment position in contact with the contact frame 11a, 11b. In this way, reliable contact is produced between the electrode 12a, 12b and a counter-electrode provided in carrier 4a, 4b. At the same time, other carriers 4a, 4b, in so far as the contact frame 11a, 11b is removed laterally far enough from the transport route, during the coating of the carrier 4a, 4b, can be moved past this.
    • 用于衬底5a,5b的PECVD(等离子体增强化学气相沉积)涂层的处理室1包括电极12a,12b,其集成在与接收器2牢固连接的接触框架11a,11b中。可移动的载体 处理室1中的4a,4b承载至少一个基板5a,5b。 载体通过从动辊定位器6a,6b沿着由运动限定的输送路线输送到处理室1中或从处理室1中输送。 接收器内的载体4a,4b一旦达到一定位置,下辊定位器6a,6b通过借助于提升装置8a,8b的下降而与载体4a,4b脱离。 在这方面,托架从上辊定位器7a,7b脱离自身。 然后,由搬运装置(未示出)接受托架,并从运输位置横向地进入与接触框架11a,11b接触的处理位置。 以这种方式,在电极12a,12b和设置在载体4a,4b中的对电极之间产生可靠的接触。 同时,在载体4a,4b的涂覆过程中,只要使接触框架11a,11b从输送路径横向移开足够远的其它载体4a,4b就可以移动过去。
    • 7. 发明公开
    • Backside coating prevention device.
    • Vorrichtung und Verfahren zur VerhinderungrückseitigerBeschichtung。
    • EP2096192A1
    • 2009-09-02
    • EP08160908.3
    • 2008-07-22
    • Applied Materials, Inc.
    • Sauer, AndreasHenrich, JürgenGebele, Thomas
    • C23C16/455C23C14/56
    • C23C14/042C23C14/56C23C14/564C23C16/45519H01J37/32477H01J37/32623H01J37/32761
    • A backside coating prevention device adapted for a coating chamber for coating plate-shaped substrates (100) is provided, said coating chamber being adapted for coating continuously or discontinuously transported plate-shaped substrates, comprising a front wall having a substrate feeding opening (20) and a rear wall having a substrate discharge opening (22), a coating material source (26) adapted for dispensing coating material into the coating chamber, and a transport system (32,33), a front side of the transport system facing the coating material source, the transport system being adapted for continuously or discontinuously transporting a plurality of plate-shaped substrates along a transport path on the front side of the transport system, wherein said backside coating prevention device is adapted for providing a gas barrier at the front side of the transport system and adjacent to the backsides of the plurality of plate-shapes substrates for preventing backside coating of the plate-shaped substrates.
    • 提供一种适用于涂布板状基板(100)的涂布室的背面涂布防止装置,所述涂布室适于涂布连续或不连续传送的板状基板,包括具有基板供给口(20)的前壁, 和具有基板排出口(22)的后壁,适于将涂料分散到涂布室中的涂料源(26)和传送系统(32,33),传送系统的前侧面向涂层 所述输送系统适于沿着所述输送系统的前侧上的输送路径连续地或不连续地输送多个板状基板,其中所述背面防止装置适于在前侧设置阻气 并且邻近多个板状基板的背面,用于防止板状基板的背面涂覆, 形状的基材。
    • 8. 发明公开
    • Verfahren zur Erzeugung eines metallischen Rückkontaktes eines Halbleiterbauelements, insbesondere einer Solarzelle
    • 一种用于制造半导体器件的金属背接触的方法,特别是太阳能电池,
    • EP2031659A1
    • 2009-03-04
    • EP07017000.6
    • 2007-08-30
    • Applied Materials, Inc.
    • Trassl, RolandWieder, StephanLiu, JianHenrich, JürgenRist, Gerhard
    • H01L31/0224H01L31/18C23C14/56
    • H01L31/1876C23C14/024C23C14/16C23C14/568C23C14/584H01L31/022425Y02E10/50Y02P70/521
    • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Rückkontakts (21) eines Halbleiterbauelements, insbesondere einer Solarzelle (20), umfassend eine metallische Schicht (24) auf der Rückseite eines Substrats (22) in einer Vakuumbehandlungskammer und die Verwendung einer Vakuumbehandlungsanlage zur Durchführung dieses Verfahrens. Mit Hilfe dieses Verfahrens und der Verwendung lassen sich insbesondere Solarzellen (20) auf Siliziumbasis auf einfache Weise in kontinuierlicher Prozessführung mit einem Rückkontakt (21) versehen, wobei die Prozessführung besonders effizient und kostengünstig gestaltet werden kann, da keine Handlingsysteme zum Drehen des Substrats (22) erforderlich sind und insbesondere auf Siebdruckschritte verzichtet werden kann.
    • 用于制备基于硅的太阳能电池的背接触(21)(20)的方法,包括:在基板(22)的背面施加背接触金属层(24),以在串联式真空镀膜厂 通过溅射靶或通过蒸发,和之前或没有真空中断施加金属层后的串联式真空镀膜厂施加在太阳能电池的另外的层上的前侧和/或底物的背面。 这些层通过涂布工具中的应用。 无源层(23)施加金属层之前应用。 用于制备基于硅的太阳能电池的背接触(21)(20)的方法,包括:在基板(22)的背面施加背接触金属层(24),以在串联式真空镀膜厂 通过溅射靶或通过蒸发,和之前或没有真空中断施加金属层后的串联式真空镀膜厂施加在太阳能电池的另外的层上的前侧和/或底物的背面。 这些层通过涂布工具中的应用。 无源层(23)施加金属层之前应用以及将所述金属层后的阻挡层施加。 用于施加所述层在基板的背面上的涂层工具相对设置的涂层工具用于施加所述层在基片上的前侧相对于所述真空镀膜厂的对准。 基板位于一个点状支撑的载体由载体,以避免基板的遮蔽。 衬底是在一个水平取向的涂布工具移过,所以DASS模具涂布方向上垂直延伸。 所述金属层的厚度为2微米分离。 施加所述金属层后,将金属层部分与基片通过的强激光束在该衬底上的背面接触的金属层熔化,所以没有一个激光烧制接触(LFC)形成本身。 可焊接层(25)施加金属层和/或阻挡层之后被应用。 两个层被施加在真空处理室。 该层在背面上施加层期间施加于前侧。 几个衬底被布置在一个共同的载体和与所述层同时提供。 在真空处理室两个涂布工具设置在一个共同的插入式单元抽屉状的方式。 第一涂覆工具点于前侧和背侧上的第二涂覆工具分。 一个金属层,阻挡层和焊层的层中的被蒸发。 相应的材料通过真空执行提供如长丝在蒸发器。 在两个随后的真空处理室中的相应的材料是evaporatable在第一代和第二蒸发器,在第一蒸发器到该材料在第一蒸发器中引入这么长时间蒸发,然后将材料在蒸发另一个真空处理 腔室与没有当材料在第一蒸发器,其中,所述第一蒸发器等待被引入中断蒸发所述第二蒸发器。 一个层的溅射用可旋转的基座阴极在一个直流溅射工艺为金属层或陶瓷溅射靶材的电介质层或通过反应介质的频率溅射的金属溅射靶介电层。 被选择在阴极的溅射率的悬垂阴极的数量,以获得厚度真空处理设备的层和吞吐量。