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    • 8. 发明公开
    • Transistor bipolaire latéral sur isolant et son procédé de fabrication
    • 侧向双极晶体管隔离器和Verfahren zu seiner Herstellung。
    • EP0060761A1
    • 1982-09-22
    • EP82400388.3
    • 1982-03-05
    • SOCIETE POUR L'ETUDE ET LA FABRICATION DE CIRCUITS INTEGRES SPECIAUX - E.F.C.I.S.
    • Mackowiak, EugèneBorel, JosephMontier, Michel
    • H01L29/72H01L29/10H01L29/60H01L29/62H01L21/285
    • H01L29/66265H01L29/1008H01L29/42304H01L29/7317
    • L'invention concerne un transistor bipolaire NPN ou PNP réalisé selon une disposition latérale sur un substrat isolant (10).
      Ce transistor comprend côte à côte une région d'émetteur (12), une région de base étroite (20) et une région de collecteur (14), toutes trois en silicium monocristallin, avec une couche de silicium polycristallin étroite (22) recouvrant exactement la région étroite de base et servant de conducteur d'accès à cette région. Un contact métallique est relié à cette région de silicium polycristallin, mais en dehors de la zone de base proprement dite entre l'émetteur et le collecteur, afin de ne pas risquer un court-circuit des jonctions par la métallisation. Ce transistor bipolaire est réalisable selon une technologie MOS.
    • 1.一种绝缘层上的横向双极晶体管,包括: - 绝缘衬底(10), - 由第一导电类型的掺杂硅制成的发射极区域(12), - 由掺杂的硅制成的集电极区域(14) 第一导电类型与第一导电类型分离,窄间隔, - 第二导电类型的掺杂硅的基极区域,在发射极和集电极区域之间的狭窄空间中延伸,发射极和集电极接触区域分别 在发射极区域和集电极区域的硅上的金属沉积物(16,18), - 与基底区域相邻的发射极和集电极区域的部分之上的氧化硅绝缘层(15),其特征在于 - 绝缘体 层在基区之上呈现中断, - 掺杂有第二导电类型的杂质的低电阻率的多晶硅(22)的区域以窄带的形式延伸到基部区域上,该窄带可部分地 在所述绝缘层上方并且与基底区域接触并且具有延伸超过发射器(12)和收集器区域(14)的终端区域(22),从而允许建立金属接触件(26),从而使该多晶硅 硅片面积。