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1. 发明公开

EP2869348A1 Two-dimensional chalcogenide-based materials, methods of forming the same, and devices including the two-dimensional chalcogenide-based materials 有权
标题翻译：包含二维基于硫族化合物材料，其制备方法，以及这些基于硫族化合物材料的组分
公开(公告)号：EP2869348A1
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：EP14191648.6
申请日：2014-11-04
申请人： Samsung Electronics Co., Ltd
发明人： Shin, Hyeonjin , Park, Seongjun , Lee, Jaeho , Heo, Jinseong
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/22 , H01L29/10 , H01L29/73 , H01L31/032 , H01L29/221 , H01L29/861 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/0665 , C01B19/04 , C01G25/00 , C01G27/00 , C01G39/06 , C01G41/00 , C01P2004/20 , C01P2006/40 , H01L29/0673 , H01L29/1033 , H01L29/22 , H01L29/221 , H01L29/24 , H01L29/66977 , H01L29/73 , H01L29/7317 , H01L29/737 , H01L29/74 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/792 , H01L29/861 , H01L29/8611 , H01L31/032 , H01L31/0322 , H01L31/0324 , H01L31/035281 , H01L31/109 , Y10T428/24802
摘要： According to example embodiments, a two-dimensional (2D) material element may include a first 2D material and a second 2D material chemically bonded to each other. The first 2D material may include a first metal chalcogenide-based material. The second 2D material may include a second metal chalcogenide-based material. The second 2D material may be bonded to a side of the first 2D material. The 2D material element may have a PN junction structure. The 2D material element may include a plurality of 2D materials with different band gaps.
摘要翻译：。根据实施例实施方案中，一个二维（2D）材料元件可以包括第一2D材料和第二材料的2D化学键合到海誓山盟。第一2D材料可以包括基于硫族化物的第一金属材料。第二个二维材料可以包括基于硫族化物的第二金属材料。第二个二维材料可以结合到第一2D材料的一侧。二维材料元件可以具有PN结结构。二维材料元件可以包括2D的材料具有不同带隙的多个的情况。

2. 发明公开

EP1502302A1 NANOWIRE AND ELECTRONIC DEVICE 审中-公开
标题翻译：纳米线和电子设备
公开(公告)号：EP1502302A1
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：EP03745378.4
申请日：2003-03-27
申请人： Koninklijke Philips Electronics N.V.
发明人： BAKKERS, Erik, P., A., M.
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/73 , B82B1/00 , B82B3/00
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02543 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/02653 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/068 , H01L29/73 , H01L29/7317 , H01L29/78696 , H01L33/06
摘要： The nanowire ( 10 ) comprises a first region ( 1 ), a second region ( 2 ), and a third region ( 3 ), wherein the diameter (c) of the second region ( 2 ) is greater than the diameters (a) of the first and the third region ( 1, 3 ), therewith interrupting at least partially the quantization of the nanowire ( 10 ) and giving the second region a smaller bandgap. The second region ( 2 ) has a length (b) in axial direction of less than 100 nm, preferably less than 20 nm. The nanowire ( 10 ) can be used in an (opto-)electronic device having electrodes as a quantum dot, a single-electron transistor, or the like.

3. 发明授权

EP0616370B1 Semiconductor device comprising a lateral bipolar transistor including SiGe and method of manufacturing the same 失效
标题翻译：一种半导体器件，包括：横向双极性晶体管，其中包含SiGe和它们的制备方法
公开(公告)号：EP0616370B1
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：EP94103993.5
申请日：1994-03-15
申请人： CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人： Tsuda, Hisanori, c/o Canon Kabushiki Kaisha , Watanabe, Hidenori, c/o Canon Kabushiki Kaisha
IPC分类号： H01L29/737 , H01L29/735 , H01L29/165 , H01L29/161 , H01L21/331 , H01L21/265
CPC分类号： H01L29/66265 , H01L21/84 , H01L29/7317 , H01L29/735 , H01L29/737

4. 发明授权

EP0673072B1 Semiconductor device comprising a lateral bipolar transistor 失效
标题翻译：一种半导体器件，包括：横向双极性晶体管
公开(公告)号：EP0673072B1
公开(公告)日：2003-05-28
申请号：EP95301625.0
申请日：1995-03-13
申请人： Hitachi, Ltd. , HITACHI HARAMACHI ELECTRONICS CO., LTD.
发明人： Arakawa, Hidetoshi , Sugawara, Yoshitaka , Inaba, Masamitsu
IPC分类号： H01L29/735
CPC分类号： H01L29/7317 , H01L29/735 , H01L29/7393 , H01L29/7436

5. 发明授权

EP0619612B1 Method of manufacturing a semiconductor device having a bipolar transistor 失效
标题翻译：一种用于与双极型晶体管的制造半导体器件的工艺
公开(公告)号：EP0619612B1
公开(公告)日：2002-10-30
申请号：EP94200925.9
申请日：1994-04-05
申请人： Koninklijke Philips Electronics N.V.
发明人： Maas, Henricus Godefridus Rafael , Dekker, Ronald , Pruijmboom, Armand
IPC分类号： H01L29/735 , H01L21/331
CPC分类号： H01L29/66265 , H01L29/7317

6. 发明公开

EP1218943A1 HIGH-SPEED LATERAL BIPOLAR DEVICE IN SOI PROCESS 审中-公开
标题翻译：横向双极型器件高速SOI程序
公开(公告)号：EP1218943A1
公开(公告)日：2002-07-03
申请号：EP00953778.8
申请日：2000-08-01
申请人： ADVANCED MICRO DEVICES INC.
发明人： HOLST, John, C.
IPC分类号： H01L29/73 , H01L21/331
CPC分类号： H01L29/66265 , H01L29/7317
摘要： A lateral bipolar transistor (100) includes a semiconductor layer overlying an electrically insulating material (82) and an insulating layer (109) overlying a central portion of the semiconductor layer. A contact hole resides in the insulating layer (109) and a conductive material overlies the insulating layer (109) and makes electrical contact with the semiconductor layer through the contact hole, thereby forming a base contact. The semiconductor layer has a first conductivity type in a central region (106) which substantially underlies the conductive material, and has a second conductivity type in regions (104, 108) adjacent the central region. The first region forms a base region (106) and the adjacent regions form a collector region (104) and an emitter region (108), respectively. A method includes forming a semiconductor layer over an insulating material (82) and forming an insulating layer (109) over the semiconductor material. A base contact hole is then formed in the insulating layer (109) and a conductive base contact region is formed over a portion of the insulating layer. The base contact region overlies the base contact hole and makes an electrical connection to a middle portion of the semiconductor layer, which corresponds to a base region (106). Lastly, a collector region (104) and an emitter region (108) are formed on opposite sides of the base region (106) such that the collector region (104) and the emitter region (108) are adjacent the base region (106), respectively.

7. 发明公开

EP0740335A3 SOI-BiCMOS-Verfahren 失效
标题翻译： SOI BiCMOS工艺
公开(公告)号：EP0740335A3
公开(公告)日：1998-07-08
申请号：EP96106260
申请日：1996-04-19
申请人： SIEMENS AG
发明人： KERBER MARTIN DR
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/331 , H01L21/8222 , H01L21/8228 , H01L21/8238 , H01L21/8248 , H01L21/8249 , H01L21/84 , H01L27/06 , H01L27/082 , H01L27/092 , H01L27/12 , H01L29/73 , H01L29/732
CPC分类号： H01L29/66265 , H01L21/84 , H01L29/7317
摘要： Herstellungsverfahren für laterale Bipolartransistoren auf SOI-Substrat, bei dem auf eine mit einer Grunddotierung versehene Mesa (3) eine stegförmige Gate-Elektrode (8/9) aufgebracht und ganzflächig mit einer TEOS-Schicht (10) mit als Spacer (11, 12) fungierenden vertikalen Anteilen an den Flanken dieser Gate-Elektrode bedeckt wird. Unter Verwendung von Lackmasken (13, 14) werden Dotierstoffe für einen Kollektor-Bereich (4) und einen Emitter-Bereich (6) eingebracht. Die Basisimplantierung erfolgt nach dem Entfernen der TEOS-Schicht (10) im Bereich des Spacers (11) längs eines Randes der Gate-Elektrode.

8. 发明授权

EP0396802B1 Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltungsstruktur mit einem lateralen Bipolartransistor 失效
标题翻译：一种用于制造具有横向双极性晶体管的集成电路结构的方法
公开(公告)号：EP0396802B1
公开(公告)日：1997-10-22
申请号：EP89108511.0
申请日：1989-05-11
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Treitinger, Ludwig, Dr. , Bertagnolli, Emmerich, Dr.
IPC分类号： H01L29/735 , H01L21/331
CPC分类号： H01L29/7317 , H01L29/735

9. 发明公开

EP0632490A3 Herstellungsverfahren für lateralen Bipolartransistor 失效
标题翻译：横向双极晶体管的制造方法
公开(公告)号：EP0632490A3
公开(公告)日：1996-09-11
申请号：EP94109101.9
申请日：1994-06-14
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Bertagnolli, Emmerich, Dr.
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/735
CPC分类号： H01L29/66265 , H01L29/7317 , Y10S148/01
摘要： Herstellungsverfahren für laterale Bipolartransistoren, bei dem in der mit einer Grunddotierung versehenen Siliziumschicht eines SOI-Substrates unter Verwendung einer Maske eine hoch dotierte Kollektorzone (8) hergestellt wird, dann eine mindestens diese Kollektorzone (8) bedeckende strukturierte Dielektrikumschicht (10) aufgebracht wird, die den für Emitter und Basis vorgesehenen Bereich frei läßt, dieser frei gelassene Bereich umdotiert wird, dann ganzflächig mit gleichmäßiger Dicke (d1) eine Hilfsschicht (11) aufgebracht wird, unter Verwendung dieser Hilfsschicht (11) als Abschirmung für die herzustellende Basiszone (9) eine Dotierung für eine Emitterzone (7) eingebracht wird und anschließend Emitter, Basis und Kollektor mit Kontakten versehen werden.
摘要翻译：用于横向双极型晶体管，其中，在使用掩模，高度掺杂的集电极区域（8）设置有SOI衬底的基本掺杂硅层制备的制造方法，则至少覆盖该集电极区域（8）构成的电介质层（10）被施加，所述可以预期用于发射器和自由基部，该左自由区域被反掺杂，通过使用这个辅助层（11）作为用于制造基区的屏蔽，然后以均匀的厚度（d1）的辅助层（11）的整个区域被施加（9）引入发射极区域（7）的掺杂，然后为发射极，基极和集电极提供触点。

10. 发明公开

EP0632489A3 Herstellungsverfahren für lateralen Bipolartransistor 失效
标题翻译：横向双极晶体管的制造方法
公开(公告)号：EP0632489A3
公开(公告)日：1996-09-11
申请号：EP94109100.1
申请日：1994-06-14
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Bertagnolli, Emmerich, Dr. , Klose, Helmut, Dr.
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/735
CPC分类号： H01L29/66265 , H01L29/7317 , Y10S148/01
摘要： Verfahren zur Herstellung lateraler Bipolartransistoren auf SOI-Substrat, bei dem in der Siliziumschicht dieses SOI-Substrates eine Grunddotierung für den Leitfähigkeitstyp von Emitter und Kollektor hergestellt wird, außerhalb des für den Transistor vorgesehenen Bereiches Isolationsbereiche (5) hergestellt werden, Kontaktschichten (71, 81) und Dielektrikumschichten (72, 82) über einer durch Maskentechnik hergestellten hoch dotierten Emitterzone (7) und einer hoch dotierten Kollektorzone (8) aufgebracht und strukturiert werden, so daß sich über einer herzustellenden Basiszone (9) in der Mitte zwischen Emitterzone (7) und Kollektorzone (8) ein Graben befindet, dann eine Hilfsschicht (11) ganzflächig konform mit konstanter Dicke (d) abgeschieden wird, wodurch der Graben der Breite (d) zu einem Spalt der Breite (x) der herzustellenden Basiszone (9) vermindert wird, durch diesen Spalt eine Implantation von Dotierstoff für das Vorzeichen der Leitfähigkeit der Basis vorgenommen wird, wobei die lateral zu dieser Basiszone (9) befindlichen Bereiche durch die die Flanken des Grabens bedeckenden vertikalen Anteile der Hilfsschicht (11) abgeschirmt werden, dann Kontaktlöcher in die Hilfsschicht (11) und die Dielektrikumschicht (72, 82) geätzt werden und Metallkontakte für den elektrischen Anschluß von Emitter, Kollektor und Basis hergestellt werden.
摘要翻译：一种用于SOI衬底上制造的横向双极型晶体管的过程中，发射极的导电类型和集电极的基本掺杂是在制备用于晶体管区的隔离区（5）外侧的设想来制备该SOI衬底，接触层（71，81的硅层）和介电层（72，82）被施加有由重掺杂发射极区域的掩模技术制造的膜（7）和一个高度掺杂的集电极区域（8）和构造成使得（在制造基区（9）在发射极区域之间的中部7）和集电极区域（8）是一沟槽，然后在具有恒定的厚度（d）相一致的辅助层（11）在整个表面上沉积，从而使沟槽宽度（d），以一间隙宽度（x）由产生的基区被还原（9），通过该间隙实现用于基极导电性符号的掺杂剂的注入其中横向于该基区（9），其位于区域由沟槽的覆盖辅助层（11）的垂直部分的侧面被屏蔽，然后在辅助层（11）和所述电介质层的接触孔（72，82）被蚀刻和金属接触件用于发射极，集电极和基极的电连接。

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