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21. 发明公开

EP0397073A2 Circuit pattern forming apparatus using mu-STM 失效
标题翻译： Vorrichtung zum Aufbringen eines Leiterbahnmersers unter Verwendung eines Rastertunnelmikroskops。
公开(公告)号：EP0397073A2
公开(公告)日：1990-11-14
申请号：EP90108535.7
申请日：1990-05-07
申请人： OLYMPUS OPTICAL CO., LTD.
发明人： Ohta, Hiroko , Shimizu, Ryouhei , Kouchi, Toshihito , Toda, Akitoshi , Isono, Yasuo , Mimura, Yoshiyuki , Kajimura, Hiroshi
IPC分类号： H01J37/317 , G01N27/00 , H01L21/027 , H05K3/10
CPC分类号： H05K3/0082 , B82Y10/00 , H05K3/061 , H05K3/146 , H05K2203/0121 , H05K2203/1338 , Y10S977/849 , Y10S977/855 , Y10S977/861 , Y10S977/872 , Y10S977/874 , Y10S977/887
摘要： An apparatus for forming a predetermined circuit pattern on a circuit substrate (1) by using a µ-STM write head, the µ-STM write head comprising a write head substrate (31) having a flat surface, a plurality of micro chip electrodes (6) formed upright on the flat surface of the write head substrate (31) and constituting a µ-STM, a level of a distal end of each of the chip electrodes (6) being set to be constant, and scanning means for scanning the micro chip electrodes on the circuit substrate by moving the micro chip electrodes and the circuit substrate relative to each other in two-dimensional directions.
摘要翻译：一种用于通过使用mu -STM写头在电路基板（1）上形成预定电路图案的装置，该μ-STM写入头包括具有平坦表面的写入头基板（31），多个微芯片电极 6）形成在写入头基板（31）的平坦表面上并构成mu -STM，每个芯片电极（6）的远端的电平被设定为恒定;以及扫描装置，用于扫描通过在二维方向上相对于彼此移动微芯片电极和电路基板，在电路基板上的微芯片电极。

22. 发明公开

EP0329845A1 Verfahren zur Herstellung fest haftender metallischer Strukturen auf Polyimid 失效
标题翻译： Verfahren zur Herstellung fest haftender metallischer Strukturen auf Polyimid。
公开(公告)号：EP0329845A1
公开(公告)日：1989-08-30
申请号：EP88120848.2
申请日：1988-12-14
申请人： SCHERING AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Suhr, Harald, Prof. Dr.rer.nat. , Feurer, Ernst, Dr. , Haag, Christa , Nauenburg, Klaus Dieter , Schmidt, Rainer
IPC分类号： C23C16/18 , C23C16/56 , H05K3/00
CPC分类号： H05K3/146 , C23C16/18 , C23C16/56
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung metallischer Strukturen auf Nichtleitern durch Zersetzung metallorganischer Verbindungen in einer Glimmentladung unter Bildung eines metallischen Films, dadurch gekennzeichnet, daß als Nichtleiter Polyimid verwendet wird.
摘要翻译：本发明涉及通过在形成金属膜的情况下将辉光放电中的有机金属化合物分解而在非导体上生产金属结构的方法，其特征在于使用聚酰亚胺作为非导体。

23. 发明公开

EP0321734A1 Verfahren zur Herstellung fest haftender metallischer Strukturen auf Fluor-polymeren und thermoplastischen Kunststoffen 失效
标题翻译：一种用于生产含氟聚合物上和热塑性塑料贴壁的金属结构的过程。
公开(公告)号：EP0321734A1
公开(公告)日：1989-06-28
申请号：EP88119769.3
申请日：1988-11-26
申请人： SCHERING AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Suhr, Harald, Prof. Dr.rer.nat. , Haag, Christa, Dr.
IPC分类号： C23C16/18 , C23C16/16 , H05K3/02
CPC分类号： H05K3/146 , C23C16/16 , C23C16/18
摘要： Verfahren zur Herstellung metallischer Strukturen auf Nichtleitern durch Zersetzung metallorganischer Verbindungen in einer Glimmentladung unter Bildung eines metallischen Films, dadurch gekennzeichnet, daß als Nichtleiter Kunststoffe aus dem Bereich der Fluorpolymere oder der thermoplastischen Kunststoffe verwendet werden.
摘要翻译：过程用于在非导体制造的金属结构的由有机金属化合物的结合形成的金属膜，DASS使用的非导体是从含氟聚合物或热塑性塑料的范围塑料的辉光放电分解。

24. 发明公开

EP0306954A2 Verfahren zur vorgegeben strukturierten Abscheidung von Mikrostrukturen mit Laserlicht 失效
标题翻译：一种用于与激光微结构的预定义的结构沉积工艺。
公开(公告)号：EP0306954A2
公开(公告)日：1989-03-15
申请号：EP88114696.3
申请日：1988-09-08
申请人： Bäuerle, Dieter, Prof. Dr.
发明人： Bäuerle, Dieter, Prof. Dr.
IPC分类号： C23C16/02 , C23C16/04
CPC分类号： C23C16/047 , C23C16/0281 , H05K3/108 , H05K3/146 , H05K3/388 , H05K2203/107 , H05K2203/1338
摘要： Verbesserung für ein Verfahren strukturierter LCVD-Abscheidung auf insbesondere inhomogenem Material eines Substratkörpers (1) dadurch, daß vor der Abscheidung die Substratoberfläche (2) mit einem hinsichtlich Reflexionsvermögen und/oder lateraler Wärmeausbreitung egalisierendem Metallfilm (22) aus insbesondere Wolfram versehen wird.
摘要翻译：对于结构化LCVD沉积的方法的走上，特别是基底构件worin薄膜的金属，特别是，钨做的非均质材料的改进相对于反射率和/或横向热传播流平效果，提供在沉积之前的表面的基板。

25. 发明公开

EP0298345A2 Method for preparing substrates for subsequent electroless metallization 失效
标题翻译：一种生产用于随后的无电解镀敷的衬底的过程。
公开(公告)号：EP0298345A2
公开(公告)日：1989-01-11
申请号：EP88110292.5
申请日：1988-06-28
申请人： International Business Machines Corporation
发明人： Clarke, Thomas Carl , Kovac, Caroline Ann , Jung, Dae Young , Park, Jae Myung , Thomas, Richard Ronald
IPC分类号： C23C16/18 , C23C16/04 , H01L21/02
CPC分类号： C23C18/2033 , C23C16/04 , C23C16/18 , C23C18/1605 , C23C18/1608 , C23C18/1865 , C23C18/1893 , C23C18/2006 , C23C18/2086 , C23C18/30 , C23C18/32 , C23C18/38 , C23C18/42 , H05K3/146 , H05K3/181 , H05K3/184
摘要： A process for preparing a substrate, e.g., an epoxy printed circuit board, for subsequent metallization. Active chemical sites are formed adhering to the substrate surface. The substrate is then exposed to a vapor of a volatile organometallic compound, which chemically reacts with the active sites and is decomposed to at least a species of the metal constituent of the compound. This species adheres to the substrate and can be transformed into the free metal which is useful as a seed for subsequent electroless deposition of a metal thereon. If selective deposition is desired, a resist masking layer is used prior to forming the seed layer.
摘要翻译：一种制备基片的方法，E. G.，以环氧树脂印刷电路板，用于随后的金属化。化学活性位点形成秉承基材表面。基板随后暴露于挥发性的有机金属化合物，其在化学上与所述活性部位反应而被分解为至少一种化合物的金属组分中的蒸气。这种粘附在基材和可转化成游离金属的所有这是作为用于在其上金属的后续无电沉积的晶种是有用的。如果选择性沉积是期望的，抗蚀剂掩蔽层之前形成所述籽晶层中。

26. 发明授权

EP0136364B1 Verfahren und Anordnung zum selektiven, selbstjustierten Aufbringen von Metallschichten und Verwendung des Verfahrens 失效
标题翻译：金属层的选择和自调整沉积的方法和装置及其应用
公开(公告)号：EP0136364B1
公开(公告)日：1988-07-20
申请号：EP83109479.2
申请日：1983-09-23
申请人： IBM DEUTSCHLAND GMBH , International Business Machines Corporation
发明人： Bayer, Thomas , Kraus, Georg , Künzel, Ulrich, Dr. Dipl.-Chem. , Renz, Gisela , Schäfer, Rolf, Dr. Dipl.-Mineraloge
IPC分类号： H05K3/10 , C23C14/36
CPC分类号： H01J37/3178 , C23C14/04 , C23C14/34 , H01J37/32 , H05K3/146

27. 发明公开

EP0172604A3 Method for depositing a micron-size metallic film on a transparent substrate utilizing a visible laser 失效
标题翻译：使用可见激光器在透明基板上沉积微米级金属膜的方法
公开(公告)号：EP0172604A3
公开(公告)日：1988-05-04
申请号：EP85303092
申请日：1985-05-01
申请人： GOULD INC.
发明人： Oprysko, Modest M. , Beranek, Mark W.
IPC分类号： C23C02/08 , C23C16/48
CPC分类号： C23C16/481 , C23C16/047 , C23C16/482 , C23C16/483 , H05K3/146 , H05K3/225
摘要： A method for depositing a micron-size metallic film on a transparent substrate by thermal deposition employing a focused visible laser. The method includes the step of positioning the substrate in a gas cell containing a metal bearing gaseous compound. A nucleation layer is formed on a surface of the substrate by either shining an ultraviolet light on the substrate surface or by heating the substrate to a temperature which is less than the temperature at which the molecules of the gaseous compound decompose. Next, a laser which may be visible or near infrared is focused onto the substrate to provide localized heating of the area of the substrate to which the beam is incident. Molecules of the gaseous compound thermally decompose on the heated area to deposit a metal film thereon.

28. 发明公开

EP0163172A2 Process for forming a top surface metallurgy pattern on a ceramic substrate 失效
标题翻译：制造陶瓷基板的表面上的金属化图案的方法。
公开(公告)号：EP0163172A2
公开(公告)日：1985-12-04
申请号：EP85105547.5
申请日：1985-05-07
申请人： International Business Machines Corporation
发明人： Amendola, Albert , Schmeckenbecher, Arnold Friedrich , Sobon, Joseph Thomas
IPC分类号： H01L21/48
CPC分类号： H01L21/4846 , H05K1/0306 , H05K1/092 , H05K1/113 , H05K3/061 , H05K3/107 , H05K3/146 , H05K3/388 , H05K3/4629 , H05K3/467 , H05K2201/0317 , H05K2201/09036 , H05K2203/0108 , H05K2203/025 , H05K2203/0759 , H05K2203/0769 , Y10T29/49163
摘要： A process for forming a top surface metallurgy pattern on a green unsintered ceramic substrate (30) including the steps of forming indented lines (40) on the surface of the substrate, sintering the substrate, depositing a blanket layer (42) over the top surface of the substrate with a thickness less than the depth of the indented lines, applying a masking layer (46) over the metal layer, removing the masking layer over all portions except the indented lines, removing the exposed areas of the metal layer, and removing the remaining portions of the masking layer.

29. 发明公开

EP0087151A2 Verfahren zum Herstellen von Schichten aus hochschmelzenden Metallen bzw. Metallverbindungen durch Abscheidung aus der Dampfphase 失效
标题翻译：通过沉积从气相生产的高熔点金属或金属化合物的层的方法。
公开(公告)号：EP0087151A2
公开(公告)日：1983-08-31
申请号：EP83101649.8
申请日：1983-02-21
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Wieczorek, Claudia, Ing. grad.
IPC分类号： C23C11/00
CPC分类号： C23C16/507 , H05K3/146
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Schichten (8) aus hochschmelzenden Metallen bzw. Metallverbindungen durch Abscheidung aus der Dampfphase, bei dem die gasförmigen Ausgangsmaterialien (1) in einer Glimmentladung (9) zersetzt und bei niedriger Substrattemperatur und vermindertem Druck niedergeschlagen werden. Erfindungsgemäß wird die Glimmentladung durch induktive Einkopplung von Hochfrequenzenergie (5) erzeugt, wobei das Plasma so eingestellt wird, daß das zu beschichtende Substrat (7) im Bereich des Kathodenglimmlichts (9) liegt. Das Verfahren wird verwendet zur Herstellung von beispielsweise Mehrlagenverdrahtungen bei integrierten Halbleiterschaltungen, von Dünnschichtbauelementen und zur Metallisierung von Kunststoffteilen.
摘要翻译：在用于从气相通过沉积生产耐火金属或金属化合物（8）的层的过程中，气态原料（1）在辉光放电（9）被分解并在低基板温度和减压沉积。通过高频能量（5）的感应耦合，在所产生的辉光放电，等离子体被调整检查做（7）被涂敷位于由辉光放电（9）所产生的光的区域的基板阴极。该过程被用于生产，例如，在集成半导体电路薄层的部件，以及用于塑料部件的金属化多层布线。

30. 发明公开

EP3195704A1 WARPAGE CONTROL WITH INTERMEDIATE MATERIAL 审中-实审
标题翻译：用中间材料进行翘曲控制
公开(公告)号：EP3195704A1
公开(公告)日：2017-07-26
申请号：EP15747797.7
申请日：2015-08-04
申请人： AT & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft
发明人： KREUTZWIESNER, Elisabeth , SCHULZ, Gernot
IPC分类号： H05K1/02 , H05K3/46
CPC分类号： H05K1/0271 , H05K1/0207 , H05K3/12 , H05K3/146 , H05K3/16 , H05K3/4602 , H05K3/4608 , H05K3/4688 , H05K2201/0195 , H05K2201/0323 , H05K2201/068 , H05K2201/09136
摘要： A mounting device for mounting electronic components, wherein the mounting device comprises an electrically conductive structure having a first value of thermal expansion in at least one pre-defined spatial direction, an electrically insulating structure having a second value of thermal expansion in the at least one pre-defined spatial direction being different from the first value and being arranged on the electrically conductive structure, and a thermal expansion adjustment structure having a third value of thermal expansion in the at least one pre-defined spatial direction, wherein the third value is selected and the thermal expansion adjustment structure is located so that thermally induced warpage of the mounting device resulting from a difference between the first value and the second value is at least partially compensated by the thermal expansion adjustment structure.
摘要翻译： 1。一种用于安装电子部件的安装装置（100），其中所述安装装置（100）包括在至少一个预定空间方向上具有第一热膨胀值的导电结构（102），电绝缘结构（104）在所述至少一个预定义的空间方向上具有第二热膨胀值，所述第二热膨胀值不同于所述第一值并且尤其小于所述第一值并且被布置在所述导电结构（102）上;以及热膨胀调节结构（106），特别是在所述导电结构（102）中和/或之上，在所述至少一个预定空间方向上具有第三热膨胀值，其中选择所述第三值并且所述热膨胀调节结构（106）为其位置使得由所述第一值与所述第二值之间的差引起的所述安装装置（100）的热诱导翘曲至少部分地由所述第不适当的膨胀调节结构（106）。

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