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91. 发明公开

EP2487704A3 Detection method for use in charged-particle microscopy 有权
标题翻译：检测方法用在显微镜带电粒子
公开(公告)号：EP2487704A3
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：EP12155058.6
申请日：2012-02-13
申请人： FEI Company
发明人： Hlavenka, Petr , Uncovsky, Marek
IPC分类号： H01J37/244 , H01J37/28
CPC分类号： H01J37/244 , G01N21/6447 , G01N2201/08 , H01J37/224 , H01J37/226 , H01J37/28 , H01J2237/2441 , H01J2237/2443 , H01J2237/2445 , H01J2237/26 , H01J2237/2605 , H01J2237/2802 , H01J2237/31749
摘要： A method of investigating a sample using a charged-particle microscope, comprising the steps of:
- Providing a charged-particle microscope, having a particle-optical column;
- Using the particle-optical column to direct an imaging beam of charged particles at the sample;
- Irradiating the sample with the imaging beam, as a result of which a flux ("Photon Flux") of output radiation is caused to emanate from the sample;
- Examining at least a portion of said output radiation using a detector, which method comprises the following additional steps:
- Embodying said detector to comprise a Solid State Photo-Multiplier (1) that is connected to a power supply providing an adjustable electrical bias ("MPPC Bias");
- Adjusting said bias so as to adjust a gain value ("MPPC Gain") of the Solid State Photo-Multiplier;
- Matching said gain value to the magnitude of said flux, so as to cause the Solid State Photo-Multiplier to operate below its saturation threshold.
A Solid State Photo-Multiplier is also sometimes referred to as a Silicon Photo-Multiplier (SiPM), on-chip pixelated Avalanche Photodiode array (with shared/common detection circuitry), MPPC®, etc.

92. 发明公开

EP2278607A3 Teilchenstrahlgerät mit einer Blendeneinheit und Verfahren zur Einstellung eines Strahlstroms in einem Teilchenstrahlgerät 有权转让
标题翻译：与屏幕单元和方法，用于在一个粒子束调整射束电流粒子束装置
公开(公告)号：EP2278607A3
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：EP10170421.1
申请日：2010-07-22
申请人： Carl Zeiss NTS GmbH
发明人： Preikszas, Dirk , Albiez, Michael
IPC分类号： H01J37/09 , H01J37/28 , H01J37/15
CPC分类号： H01J37/09 , H01J37/15 , H01J37/265 , H01J37/28 , H01J2237/0455 , H01J2237/0492 , H01J2237/14 , H01J2237/2002 , H01J2237/26 , H01J2237/31749
摘要： Die Erfindung betrifft ein Teilchenstrahlgerät (1) mit einer ersten Blendeneinheit (8) mit verstellbarer Blendenöffnung. Ferner betrifft die Erfindung eine Blendeneinheit (8) für ein Teilchenstrahlgerät (1). Darüber hinaus betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Einstellung eines Strahlstroms in einem Teilchenstrahlgerät (1). Das Teilchenstrahlgerät (1) weist eine erste Kondensorlinse (6) mit einem ersten Pölschuh (6a) und einem zweiten Polschuh (6b) auf. Sowohl der erste Polschuh (6a) als auch der zweite Polschuh (6b) sind unabhängig voneinander relativ zu einer zweiten Blendeneinheit (9) justierbar. Die zweite Blendeneinheit (9) ist als eine Druckstufenblende ausgebildet, die einen ersten Bereich, in welchem ein Vakuum mit einem ersten Druck herrscht, und einen zweiten Bereich, in welchem ein Vakuum mit einem zweiten Druck herrscht, voneinander trennt. Das erfindungsgemäße Verfahren betrifft die Einstellung des Strahlstroms in diesem Teilchenstrahlgerät (1).

93. 发明授权

EP1665319B1 SHAPED SPUTTER SHIELDS FOR IMPROVED ION COLUMN OPERATION 有权
标题翻译：形溅射盾牌用于改进离子柱操作
公开(公告)号：EP1665319B1
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：EP04780983.5
申请日：2004-08-13
申请人： FEI COMPANY
发明人： MGGINN, James, B. , SCHWIND, Greg
IPC分类号： H01J27/02 , H01J37/09 , H01J37/317 , H01J27/22
CPC分类号： H01J27/022 , H01J37/09 , H01J37/317 , H01J2237/0213 , H01J2237/063 , H01J2237/0805 , H01J2237/31749

94. 发明公开

EP2492950A2 Method for rapid switching between a high current mode and a low current mode in a charged particle beam system 有权
标题翻译：一种用于在带电粒子束系统高功率模式和一个低电流模式之间的快速切换处理
公开(公告)号：EP2492950A2
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：EP12155691.4
申请日：2012-02-16
申请人： FEI Company
发明人： Miller, Tom
IPC分类号： H01J37/30 , H01J37/305
CPC分类号： H01J37/3053 , H01J37/1472 , H01J37/3005 , H01J37/3056 , H01J2237/0453 , H01J2237/049 , H01J2237/08 , H01J2237/30472 , H01J2237/31745 , H01J2237/31749
摘要： A method for rapid switching between operating modes with differing beam currents in a charged particle system is disclosed. Many FIB milling applications require precise positioning of a milled pattern within a region of interest (Rol). This may be accomplished by using fiducial marks near the Rol, wherein the FIB is periodically deflected to image these marks during FIB milling. Any drift of the beam relative to the Rol can then be measured and compensated for, enabling more precise positioning of the FIB milling beam. It is often advantageous to use a lower current FIB for imaging since this may enable higher spatial resolution in the image of the marks. For faster FIB milling, a larger beam current is desired. Thus, for optimization of the FIB milling process, a method for rapidly switching between high and low current operating modes is realized.

95. 发明公开

EP2487703A1 Detector for use in charged-particle microscopy 审中-公开
标题翻译： Detektor zur Verwendung in der Mikroskopie mit geladenen Teilchen
公开(公告)号：EP2487703A1
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：EP11154322.9
申请日：2011-02-14
申请人： FEI COMPANY
发明人： Hlavenka, Petr , Uncovsky, Marek
IPC分类号： H01J37/244 , H01J37/28
CPC分类号： H01J37/244 , G01N21/6447 , G01N2201/08 , H01J37/224 , H01J37/226 , H01J37/28 , H01J2237/2441 , H01J2237/2443 , H01J2237/2445 , H01J2237/26 , H01J2237/2605 , H01J2237/2802 , H01J2237/31749
摘要： A charged-particle microscope comprising:
- A charged-particle source, for producing a beam of input charged particles;
- A particle-optical column, comprising a plurality of lenses for manipulating said beam of input charged particles into a desired imaging beam;
- A sample holder, for holding and positioning a sample relative to the imaging beam;
- A detector, for detecting output radiation emanating from the sample as a result of its interaction with the imaging beam,
wherein the detector comprises a Multi-Pixel Photon Counter (1). In such a set-up, an electrical bias across said Multi-Pixel Photon Counter is adjusted so as to adjust a gain value of the array and match it to the flux magnitude of said output radiation, causing the Multi-Pixel Photon Counter to (continually) operate below a saturation threshold.
Examples of such charged-particle microscopes include electron microscopes, FIBs, EBIDs, IBIDs, etc. as well as hybrids of such devices, such as so-called dual-beam microscopes.
摘要翻译：一种带电粒子显微镜，包括： - 带电粒子源，用于产生输入带电粒子束; 一种粒子光学柱，包括多个透镜，用于将所述输入的带电粒子束操纵成所需的成像光束; - 样品架，用于相对于成像光束保持和定位样品; - 检测器，用于检测由于其与成像光束的相互作用而从样品发射的输出辐射，其中所述检测器包括多像素光子计数器（1）。在这种设置中，调整所述多像素光子计数器上的电偏压，以便调整阵列的增益值并将其与所述输出辐射的通量幅度相匹配，从而使多像素光子计数器（连续）在饱和阈值以下运行。这种带电粒子显微镜的实例包括电子显微镜，FIB，EBID，IBID等，以及这种装置的混合物，例如所谓的双光束显微镜。

96. 发明公开

EP2461346A2 Teilchenstrahlgerät mit Ablenksystem 有权转让
标题翻译：粒子束与偏转
公开(公告)号：EP2461346A2
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：EP11191531.0
申请日：2011-12-01
申请人： Carl Zeiss NTS GmbH , Carl Zeiss NTS Ltd.
发明人： Preikszas, Dirk , Hayn, Armin Heinz
IPC分类号： H01J37/147 , H01J37/28
CPC分类号： H01J37/1474 , H01J37/28 , H01J2237/1534 , H01J2237/188 , H01J2237/31749
摘要： Die Erfindung betrifft ein Teilchenstrahlgerät mit einem Teilchenstrahlerzeuger, einer Objektivlinse (10) zum Fokussieren eines vom Teilchenstrahlerzeuger in einer Objektebene (16) erzeugten Teilchenstrahls, wobei die Objektivlinse eine optische Achse (20) definiert, und einem ersten und einem zweiten Ablenksystem (9,12) zur Ablenkung des Teilchenstrahls in der Objektebene, wobei das erste und das zweite Ablenksystem seriell hintereinander entlang der optischen Achse angeordnet sind. In einem ersten Betriebsmodus erzeugt das erste Ablenksystem ein erstes Ablenkfeld und das zweite Ablenksystem ein zweites Ablenkfeld und das erste und das zweite Ablenkfeld weisen eine erste Winkelorientierung zu einander auf un sind so zu einander ausgerichtet, dass sie gemeinsam in der Objektebene eine Auslenkung des Teilchenstrahls in einer ersten Richtung erzeugen. In einem zweiten Betriebsmodus erzeugt das erste Ablenksystem ein drittes Ablenkfeld und das zweite Ablenksystem ein viertes Ablenkfeld und das dritte und das vierte Ablenkfeld weisen eine zweite Winkelorientierung zu einander auf und sind so zu einander ausgerichtet, ass sie gemeinsam in der Objektebene eine Auslenkung des Teilchenstrahls in der ersten Richtung erzeugen. Die zweite Winkelorientierung weicht dabei von der ersten Winkelorientierung ab.
摘要翻译：本发明涉及用粒子束，物镜（10），用于聚焦由所述粒子束产生的粒子束在物平面（16），其中所述物镜限定光轴（20），以及第一和第二偏转系统中的粒子射线装置（9,12 ），用于在物平面，其特征在于，所述第一和第二偏转系统沿光轴串联布置一个在另一个后面偏转粒子束。在第一操作模式中，第一偏转系统产生第一偏转和第二偏转的第二偏转场和所述第一和第二偏转场具有第一角定向到彼此上的未对准以彼此使得它们一起在物平面，粒子束在偏转产生第一方向。在第二操作模式中，第一偏转系统产生第三偏转和第二偏转系统，第四偏转场和定向，以便在第三和第四偏转场具有第二角度取向，彼此是彼此，在物平面一起屁股它们，粒子束在偏转产生所述第一方向。第二角取向从第一角度方位偏离。

97. 发明公开

EP2341525A3 Plasma source for charged particle beam system 有权
标题翻译：等离子体源，用于粒子束
公开(公告)号：EP2341525A3
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：EP10196692.7
申请日：2010-12-23
申请人： FEI Company
发明人： Kellog, Sean , Miller, Tom , Zhang, Shouyin , Graupera, Anthony , McGinn, James , Dirriwachter, Tom , Smith, Noel
IPC分类号： H01J37/02 , H01J37/08
CPC分类号： H01J37/08 , H01J27/16 , H01J2237/002 , H01J2237/006 , H01J2237/026 , H01J2237/038 , H01J2237/0815 , H01J2237/31749
摘要： An inductively coupled plasma source (100) for a focused charged particle beam system includes a dielectric liquid (126) that insulates and cools the plasma chamber (102). A flow restrictor (158) at an electrical potential that is a large fraction of the plasma potential reducing arcing because the voltage drop in the gas occurs primarily at relative high pressure.

98. 发明授权

EP1641034B1 Pattern film repair using a gas assisted focused particle beam system 失效
标题翻译：使用聚焦离子束通过气体辅助蚀刻微许多结构的修
公开(公告)号：EP1641034B1
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：EP05022431.0
申请日：1998-04-15
申请人： FEI COMPANY
发明人： Doyle, Andrew , Casey, J., David
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/3213 , H01J37/305 , H01L21/465 , G03F1/00
CPC分类号： H01L21/76892 , G03F1/74 , H01J37/3056 , H01J2237/31744 , H01J2237/31749 , H01L21/027 , H01L21/32131

99. 发明公开

EP2411998A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR ERZEUGUNG DREIDIMENSIONALER BILDDATEN 审中-公开
公开(公告)号：EP2411998A1
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：EP10710833.4
申请日：2010-03-18
申请人： Carl Zeiss NTS GmbH
发明人： SCHERTEL, Andreas
IPC分类号： H01J37/30 , H01J37/28 , H01J37/305
CPC分类号： H01J37/3005 , G01N1/32 , H01J37/28 , H01J37/3056 , H01J2237/202 , H01J2237/226 , H01J2237/31749 , Y10T428/24802
摘要： The invention relates to a method and to an apparatus (1, 24) for generating three-dimensional image data of a sample (11). In the invention, a first particle beam for exposing a surface and a second particle beam for generating an image of the surface are used. By moving the sample (11), it suffices if the first particle beam and/or the second particle beam are initially focused once on a surface of the sample (11) that has already been exposed. Because all further exposed surfaces are always located in the same position, refocusing the first particle beam and/or the second particle beam is no longer required.
摘要翻译：公开了一种用于产生样本的三维图像数据的方法和装置。提供第一粒子束用于暴露表面，并且提供用于产生表面的图像的第二粒子束。通过移动样品，如果第一粒子束和/或第二粒子束首先在已经暴露的样品的表面上聚焦一次即可。因为所有进一步暴露的表面总是位于相同的位置，所以不再需要重新聚焦第一粒子束和/或第二粒子束。

100. 发明公开

EP2151854A3 Method to direct pattern metals on a substrate 审中-公开
标题翻译：一种用于在衬底上的金属结构的应用方法
公开(公告)号：EP2151854A3
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：EP09167311.1
申请日：2009-08-06
申请人： FEI COMPANY
发明人： Holtermann, Theresa , Graupera, Anthony , DiBattista, Michael
IPC分类号： H01L21/288 , H01L21/66
CPC分类号： H01J37/3056 , H01J37/317 , H01J37/3178 , H01J2237/006 , H01J2237/31713 , H01J2237/31732 , H01J2237/31737 , H01J2237/31744 , H01J2237/31745 , H01J2237/31749 , H01L21/2885 , H01L21/76898 , H01L22/14 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A microscopic metallic structure is produced by creating or exposing a patterned region of increased conductivity and then forming a conductor on the region using electrodeposition. In some embodiments, a microscopic metallic structure is formed on a substrate, and then the substrate is etched to remove the structure from the substrate. In some embodiments, a focused beam of gallium ion without a deposition precursor gas scans a pattern on a silicon substrate, to produce a conductive pattern on which a copper structure is then formed by electrochemical deposition of one or more metals. The structure can be freed from the substrate by etching, or can used in place. A beam can be used to access an active layer of a transistor, and then a conductor can be electrodeposited to provide a lead for sensing or modifying the transistor operation while it is functioning.

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