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1. 发明公开

EP0219512A1 INSTALLATION DE MANUTENTION D'OBJETS FRAGILES EN ATMOSPHERE A EMPOUSSIEREMENT CONTROLE 失效转让
标题翻译：设备，用于控制主除尘气氛运送易碎的物体。
公开(公告)号：EP0219512A1
公开(公告)日：1987-04-29
申请号：EP86901917.0
申请日：1986-04-02
申请人： SOCIETE POUR L'ETUDE ET LA FABRICATION DE CIRCUITS INTEGRES SPECIAUX - E.F.C.I.S.
发明人： ROCHET, André , DUBOIS, Guy , LALANNE, Alain , FAURE, Louis
IPC分类号： B65G47 , B65G49 , H01L21
CPC分类号： H01L21/67294 , B65G47/50 , H01L21/67724 , H01L21/6773 , H01L21/67736
摘要： La manipulation d'objets fragiles en atmosphère contrôlée. Pour tenir compte d'impératifs de propreté dans la manutention d'objets tels que des tranches de silicium en cours de traitement, on prévoit un système de transferts entre machines par chariots non motorisés. Les chariots (12) sont tractés par une bande sans fin (14) et roulent sur des rails (10). Des outils de transfert (OT1...OT5) permettent le prélèvement en marche de cassettes portées par les chariots, et leur repose sur les chariots après traitement dans les différentes machines. Application: industrie des semiconducteurs.

2. 发明授权

EP0128072B1 Multiplieur binaire avec extension de signe pour la multiplication de nombres signés ou non signés 有权
标题翻译：具有签名和不符号数字的扩展的二进制多用户
公开(公告)号：EP0128072B1
公开(公告)日：1987-03-18
申请号：EP84400987.8
申请日：1984-05-15
申请人： SOCIETE POUR L'ETUDE ET LA FABRICATION DE CIRCUITS INTEGRES SPECIAUX - E.F.C.I.S.
发明人： Mougeat, Paul , Picco, André
IPC分类号： G06F7/52
CPC分类号： G06F7/5312 , G06F7/49994

3. 发明授权

EP0121464B1 Cellule de mémoire RAM non volatile à transistors CMOS à grille flottante commune 有权
标题翻译：具有通用浮动栅极CMOS晶体管的非易失性RAM存储单元
公开(公告)号：EP0121464B1
公开(公告)日：1987-03-18
申请号：EP84400563.7
申请日：1984-03-20
申请人： SOCIETE POUR L'ETUDE ET LA FABRICATION DE CIRCUITS INTEGRES SPECIAUX - E.F.C.I.S.
发明人： Bétirac, Michel
IPC分类号： G11C11/00 , H01L29/60 , H01L27/10
CPC分类号： G11C16/045 , G11C14/00 , G11C16/0441 , Y10S257/903

4. 发明授权

EP0121461B1 Décodeur d'une donnée dans un sous-groupe de P données appartenant à un groupe de N données 有权
标题翻译：用于N数据组的P数据子集中的数据的解码器
公开(公告)号：EP0121461B1
公开(公告)日：1987-03-11
申请号：EP84400502.5
申请日：1984-03-13
申请人： SOCIETE POUR L'ETUDE ET LA FABRICATION DE CIRCUITS INTEGRES SPECIAUX - E.F.C.I.S.
发明人： Meyer, Jacques
IPC分类号： H03M7/30 , H03M7/22
CPC分类号： H03M7/001

5. 发明授权

EP0084474B1 Filtre passe-haut du premier ordre et application en téléphonie 有权
标题翻译：第一订单高通滤波器和应用于电话
公开(公告)号：EP0084474B1
公开(公告)日：1985-04-17
申请号：EP83400036.6
申请日：1983-01-07
申请人： SOCIETE POUR L'ETUDE ET LA FABRICATION DE CIRCUITS INTEGRES SPECIAUX - E.F.C.I.S.
发明人： Bertails, Jean-Claude
IPC分类号： H03H19/00
CPC分类号： H03H19/004

6. 发明授权

EP0052553B1 Générateur de courant intégré en technologie CMOS 有权
标题翻译： CMOS技术中的集成电流源发生器
公开(公告)号：EP0052553B1
公开(公告)日：1985-03-27
申请号：EP81401753.9
申请日：1981-10-30
申请人： SOCIETE POUR L'ETUDE ET LA FABRICATION DE CIRCUITS INTEGRES SPECIAUX - E.F.C.I.S.
发明人： Bertails, Jean-Claude , Perrin, Christian
IPC分类号： G05F3/20
CPC分类号： G05F3/262

7. 发明公开

EP0092464A1 Compteur avec sauvegarde non-volatile de son contenu 有权
标题翻译：计数器，其内容的非易失性备份。
公开(公告)号：EP0092464A1
公开(公告)日：1983-10-26
申请号：EP83400722.1
申请日：1983-04-12
申请人： SOCIETE POUR L'ETUDE ET LA FABRICATION DE CIRCUITS INTEGRES SPECIAUX - E.F.C.I.S.
发明人： Brice, Jean-Michel
IPC分类号： H03K21/40
CPC分类号： H03K21/403
摘要： L'invention concerne les compteurs.
Une décade de comptage non volatile est décrite. Elle comprend cinq bascules dont les sorties (A, B, C, D, E) définissent un contenu décimal de la décade selon le code de Johnson. Dans ce code, chaque bascule ne change d'état que deux fois par cycle de comptage de 0 à 10. L'état du compteur est sauvegardé à chaque incrémentation dans un circuit de sauvegarde (à transistors MNOS ou à grille flottante) propre à chaque bascule. Toutefois, l'état de chaque bascule n'est sauvegardé que si cette bascule à changé d'état lors de l'incrémentation, ce qui est détecté par un circuit logique (32) de sélection de la commande de sauvegarde (Ca, Cb, Cc, Cd, Ce) de chaque bascule.
On économise ainsi, grâce à un circuit combinatoire très simple (32), un grand nombre de cycles d'écriture dans les transistors MNOS ou à grille flottante qui ne peuvent supporter des cycles d'écriture trop nombreux.

8. 发明公开

EP0060761A1 Transistor bipolaire latéral sur isolant et son procédé de fabrication 失效
标题翻译：侧向双极晶体管隔离器和Verfahren zu seiner Herstellung。
公开(公告)号：EP0060761A1
公开(公告)日：1982-09-22
申请号：EP82400388.3
申请日：1982-03-05
申请人： SOCIETE POUR L'ETUDE ET LA FABRICATION DE CIRCUITS INTEGRES SPECIAUX - E.F.C.I.S.
发明人： Mackowiak, Eugène , Borel, Joseph , Montier, Michel
IPC分类号： H01L29/72 , H01L29/10 , H01L29/60 , H01L29/62 , H01L21/285
CPC分类号： H01L29/66265 , H01L29/1008 , H01L29/42304 , H01L29/7317
摘要： L'invention concerne un transistor bipolaire NPN ou PNP réalisé selon une disposition latérale sur un substrat isolant (10).
Ce transistor comprend côte à côte une région d'émetteur (12), une région de base étroite (20) et une région de collecteur (14), toutes trois en silicium monocristallin, avec une couche de silicium polycristallin étroite (22) recouvrant exactement la région étroite de base et servant de conducteur d'accès à cette région. Un contact métallique est relié à cette région de silicium polycristallin, mais en dehors de la zone de base proprement dite entre l'émetteur et le collecteur, afin de ne pas risquer un court-circuit des jonctions par la métallisation. Ce transistor bipolaire est réalisable selon une technologie MOS.
摘要翻译： 1.一种绝缘层上的横向双极晶体管，包括： - 绝缘衬底（10）， - 由第一导电类型的掺杂硅制成的发射极区域（12）， - 由掺杂的硅制成的集电极区域（14）第一导电类型与第一导电类型分离，窄间隔， - 第二导电类型的掺杂硅的基极区域，在发射极和集电极区域之间的狭窄空间中延伸，发射极和集电极接触区域分别在发射极区域和集电极区域的硅上的金属沉积物（16,18）， - 与基底区域相邻的发射极和集电极区域的部分之上的氧化硅绝缘层（15），其特征在于 - 绝缘体层在基区之上呈现中断， - 掺杂有第二导电类型的杂质的低电阻率的多晶硅（22）的区域以窄带的形式延伸到基部区域上，该窄带可部分地在所述绝缘层上方并且与基底区域接触并且具有延伸超过发射器（12）和收集器区域（14）的终端区域（22），从而允许建立金属接触件（26），从而使该多晶硅硅片面积。

9. 发明公开

EP0161981A3 Integrated circuits with several aluminium alloy interconnection levels and method of manufacture 失效
标题翻译：具有几种铝合金互连级别的集成电路及其制造方法
公开(公告)号：EP0161981A3
公开(公告)日：1986-10-22
申请号：EP85400842
申请日：1985-04-29
申请人： SOCIETE POUR L'ETUDE ET LA FABRICATION DE CIRCUITS INTEGRES SPECIAUX - E.F.C.I.S.
发明人： Marty, Michel , Baudrant, Annie , Passerat, Alain
IPC分类号： H01L23/52 , H01L21/90
CPC分类号： H01L23/53223 , H01L21/76838 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： L'invention concerne les circuits intégrés à plusieurs niveaux d'interconnexion.
Le premier niveau (16) est un alliage ternaire d'alumi nium, le second (24) est un autre alliage d'aluminium, et ils sont séparés par du tantale (22) dans les zones de contact entre les deux niveaux. En pratique, tout le deuxième niveau est constitué par la superposition d'une couche mince de tantale (22) et d'un alliage d'aluminium/silicium (24).
On évite les problèmes de surgravure du premier ni veau pendant la gravure du second niveau.
摘要翻译：第一互连级（16）是三元铝合金，第二（24）是另一种铝合金，它们在两层之间的接触区中被钽（22）分开。实际上，通过叠加钽（22）和铝 - 硅合金（24）的薄层来形成整个第二层。避免了在蚀刻第二层次时过蚀刻第一层的问题。

10. 发明授权

EP0076736B1 Circuit intégré à caractéristique inductive, et filtre utilisant ce circuit 有权
标题翻译：具有电感特性的集成电路和使用其的过滤器
公开(公告)号：EP0076736B1
公开(公告)日：1986-04-16
申请号：EP82401753.7
申请日：1982-09-28
申请人： SOCIETE POUR L'ETUDE ET LA FABRICATION DE CIRCUITS INTEGRES SPECIAUX - E.F.C.I.S.
发明人： Sokoloff, Boris
IPC分类号： H03H19/00
CPC分类号： H03H19/006

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