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1. 发明申请

WO2009036718A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL 审中-公开
标题翻译： OPTO电子元件
公开(公告)号：WO2009036718A1
公开(公告)日：2009-03-26
申请号：PCT/DE2008/001302
申请日：2008-08-04
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , KLEIN, Markus , VON MALM, Norwin , KRUMMACHER, Benjamin Claus
发明人： KLEIN, Markus , VON MALM, Norwin , KRUMMACHER, Benjamin Claus
IPC分类号： H01L51/50 , H01L51/52 , H01L27/32
CPC分类号： H01L51/5036 , H01L51/5262
摘要： Ein optoelektronisches Bauteil umfasst eine organische Schichtenfolge (1), die im Betrieb eine elektromagnetische Strahlung (15) mit einem ersten Wellenlängenspektrum abstrahlt sowie eine strukturierte Schicht (2), die der organischen Schichtenfolge (1) im Strahlengang der von der organischen Schichtenfolge (1) abgestrahlten elektromagnetischen Strahlung (15) nachgeordnet ist und erste und zweite Bereiche (2A, 2B) aufweist. Dabei weisen die ersten Bereiche (2A) jeweils eine Wellenlängenkonversionsschicht (3) auf, die eingerichtet ist, zumindest teilweise elektromagnetische Strahlung (15) mit dem ersten Wellenlängenspektrum in eine elektromagnetische Strahlung (16) mit einem zweiten Wellenlängenspektrum umzuwandeln. Des Weiteren weisen die zweiten Bereiche (2B) jeweils eine Filterschicht (4) auf, die für eine elektromagnetische Strahlung mit einem dritten Wellenlängenspektrum, das zumindest einem Teil des zweiten Wellenlängenspektrums entspricht, undurchlässig ist.
摘要翻译：一种光电器件包括有机层序列（1），其发射的电磁辐射（15），其具有在操作的第一波长谱以及图案化层（2）的光束路径中的有机层序列（1）的有机层序列（1）的所发射的电磁辐射（15）被布置下游，并具有第一和第二部分（2A，2B）。第一区域（2A）分别具有波长转换层（3），其被布置为至少部分的电磁辐射（15）到所述第一波长光谱为电磁辐射（16）转换成第二波长光谱。进一步包括第二区域（2B）分别具有过滤层（4），其是不可渗透的为具有第三波长光谱，其对应于所述第二波长谱的至少一部分上的电磁辐射。

2. 发明申请

WO2009039803A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL 审中-公开
标题翻译： OPTO电子元件
公开(公告)号：WO2009039803A1
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：PCT/DE2008/001292
申请日：2008-08-06
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SCHINDLER, Florian , KRUMMACHER, Benjamin Claus , VON MALM, Norwin , BERBEN, Dirk , JERMANN, Frank , ZACHAU, Martin
发明人： SCHINDLER, Florian , KRUMMACHER, Benjamin Claus , VON MALM, Norwin , BERBEN, Dirk , JERMANN, Frank , ZACHAU, Martin
IPC分类号： H01L51/52
CPC分类号： H01L51/5265 , H01L27/322
摘要： Ein optoelektronisches Bauteil umfasst eine organische Schichtenfolge (1), die im Betrieb eine elektromagnetische Strahlung (15) mit einem ersten Wellenlängenspektrum abstrahlt sowie eine dielektrische Schichtenfolge (2) und einen Wellenlängenkonversionsbereich (3) im Strahlengang der von der organischen Schichtenfolge (1) abgestrahlten elektromagnetischen Strahlung (15). Der Wellenlängenkonversionsbereich (3) ist eingerichtet, zumindest teilweise elektromagnetische Strahlung mit dem ersten Wellenlängenspektrum in eine elektromagnetische Strahlung (16) mit einem zweiten Wellenlängenspektrum umzuwandeln. Die dielektrische Schichtenfolge (2) ist im Strahlengang der von der organischen Schichtenfolge abgestrahlten elektromagnetischen Strahlung (15) zwischen der organischen Schichtenfolge (1) und dem Wellenlängenkonversionsbereich (3) angeordnet und für eine elektromagnetische Strahlung mit einem dritten Wellenlängenspektrum, das zumindest einem Teil des zweiten Wellenlängenspektrums entspricht, wenigstens teilweise undurchlässig.
摘要翻译：一种光电子器件，包括：发射具有在操作的第一波长光谱和介电层序列的电磁辐射（15）的有机层序列（1）（2）和波长变换部分（3）在有机层序列（1）的辐射的电磁的光束路径辐射（15）。波长转换部分（3）被布置，至少部分地，具有波长为电磁辐射（16）的第一频谱的电磁辐射到波长的第二光谱。该介电层序列（2）被设置在由有机层序列发射的有机层序列（1）和波长转换部分（3）和用于电磁辐射具有第三波长光谱的电磁辐射（15）的光的光束路径中的至少所述第二部分波长光谱对应于至少部分地不可渗透的。

3. 发明申请

WO2008119338A1 ORGANISCHE STRAHLUNGSEMITTIERENDE VORRICHTUNG, DEREN VERWENDUNG SOWIE EIN HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR DIE VORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：有机发射辐射的装置，它们的用途和用于所述装置的方法
公开(公告)号：WO2008119338A1
公开(公告)日：2008-10-09
申请号：PCT/DE2008/000539
申请日：2008-03-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , VON MALM, Norwin , KLEIN, Markus , BOLINK, Hendrik Jan
发明人： VON MALM, Norwin , KLEIN, Markus , BOLINK, Hendrik Jan
IPC分类号： H01L51/50
CPC分类号： H01L51/5052 , H01L51/0037 , H01L51/004
摘要： Eine Ausführungsform der Erfindung gibt eine organische strahlungsemittierende Vorrichtung an, die ein Substrat, und zumindest eine strahlungsemittierende organische Schicht, die zwischen einer ersten und einer zweiten Elektrodenschicht auf dem Substrat angeordnet ist, umfasst, wobei zwischen der ersten Elektrodenschicht und der strahlungsemittierenden organischen Schicht eine erste Ladungsträgertransportschicht angeordnet ist, die ein erstes Ladungsträgertransportmaterial und ein erstes Salz umfasst.
摘要翻译：本发明的一个实施例提供了一种有机发射辐射的装置，其包括基底和至少一个发射辐射的有机层设置在第一和基底，其中第一所述第一电极层和发射辐射的有机层之间的第二电极层之间载流子传输层，包括第一载流子传输材料和第一盐。

4. 发明申请

WO2012049023A1 LEUCHTDIODENCHIP 审中-公开
标题翻译： LEDS CHIP
公开(公告)号：WO2012049023A1
公开(公告)日：2012-04-19
申请号：PCT/EP2011/066873
申请日：2011-09-28
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , VON MALM, Norwin , ILLEK, Stefan , STEEGMÜLLER, Ulrich
发明人： VON MALM, Norwin , ILLEK, Stefan , STEEGMÜLLER, Ulrich
IPC分类号： H01L27/15
CPC分类号： H01L33/62 , H01L27/153 , H01L2224/48463
摘要： Es wird ein Leuchtdiodenchip angegeben, mit - zumindest zwei Halbleiterkörpern (1), wobei jeder Halbleiterkörper (1) zumindest einen zur Strahlungserzeugung eingerichteten aktiven Bereich (11) umfasst, - einem Träger (2), der eine Oberseite (2a) und eine der Oberseite (2a) abgewandte Unterseite (2b) aufweist und - ein elektrisch isolierendes Verbindungsmittel (3), das an der Oberseite (2a) des Trägers angeordnet ist, wobei - das elektrisch isolierende Verbindungsmittel (3) zwischen den Halbleiterkörpern (1) und der Oberseite (2a) des Trägers angeordnet ist, - das elektrisch isolierende Verbindungsmittel (3) einen mechanischen Kontakt zwischen den Halbleiterkörpern (1) und dem Träger (2) vermittelt, und - zumindest ein Teil der Halbleiterkörper (1) elektrisch in Reihe zueinander geschaltet sind.
摘要翻译：本发明公开了一种发光二极管芯片，具有 - 至少两个半导体本体（1），每个半导体主体（1）包括至少一个用于产生辐射有源区域（11）建立， - 支撑（2），其具有顶表面（2a）和顶部中的一个（图2a）的面向远离所述底部（2b）中，以及 - 在所述支撑件的顶部（2a）中的电绝缘连接装置（3）被布置，其中， - 所述电绝缘连接装置（3）在半导体本体（1）之间和顶部（图2a）布置在所述载体， - 所述电绝缘连接装置（3）（1）和所述支撑件（2）提供在半导体本体之间的机械接触，以及 - 至少在半导体主体（1）被电连接在彼此串联的一部分。

5. 发明申请

WO2012034828A1 OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2012034828A1
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：PCT/EP2011/064386
申请日：2011-08-22
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ENGL, Karl , MAUTE, Markus , WEIMAR, Andreas , HÖPPEL, Lutz , RODE, Patrick , MOOSBURGER, Jürgen , VON MALM, Norwin
发明人： ENGL, Karl , MAUTE, Markus , WEIMAR, Andreas , HÖPPEL, Lutz , RODE, Patrick , MOOSBURGER, Jürgen , VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/38 , H01L33/10 , H01L33/40
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： An optoelectronic semiconductor chip is specified, comprising a semiconductor layer sequence (2) and a carrier substrate (10), wherein a first (7) and a second electrical contact layer (8) are arranged at least in regions between the carrier substrate (10) and the semiconductor layer sequence (2) and are electrically insulated from one another by an electrically insulating layer (9), and comprising a mirror layer (6), which is arranged between the semiconductor layer sequence (2) and the carrier substrate (10). The mirror layer (6) adjoins partial regions of the first electrical contact layer (7) and partial regions (19) of the electrically insulating layer (9), wherein the partial regions (19) of the electrically insulating layer (9) which adjoin the mirror layer (6) are covered by the second electrical contact layer (8) in such a way that at no point do they adjoin a surrounding medium of the optoelectronic semiconductor chip (1). The semiconductor layer sequence (2) has a cut-out (17), in which the first electrical contact layer (7) is uncovered in order to form a connection contact (14).
摘要翻译：规定了包括半导体层序列（2）和载体基板（10）的光电半导体芯片，其中第一（7）和第二电接触层（8）至少布置在载体基板（10））和半导体层序列（2），并且通过电绝缘层（9）彼此电绝缘，并且包括布置在半导体层序列（2）和载体基板（2）之间的镜面层（6） 10）。镜层（6）邻接第一电接触层（7）的部分区域和电绝缘层（9）的部分区域（19），其中电绝缘层（9）的部分区域（19）镜层（6）被第二电接触层（8）覆盖，使得它们不会与光电半导体芯片（1）的周围介质邻接。半导体层序列（2）具有切口（17），其中第一电接触层（7）未被覆盖以形成连接接触（14）。

6. 发明申请

WO2012022657A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片及其制造方法的光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2012022657A1
公开(公告)日：2012-02-23
申请号：PCT/EP2011/063715
申请日：2011-08-09
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , MOOSBURGER, Jürgen , NEUREUTHER, Christoph , VON MALM, Norwin
发明人： MOOSBURGER, Jürgen , NEUREUTHER, Christoph , VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01L25/16 , H05B37/03 , H01L31/173 , H01L27/15 , H01L33/00 , H01L33/38
CPC分类号： H01L33/62 , H01L27/15 , H01L31/153 , H01L33/0079 , H01L33/382 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) angegeben, der einen Träger (5) und einen auf dem Träger (5) angeordneten Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge aufweist, wobei in dem Halbleiterkörper (2) mit der Halbleiterschichtenfolge ein Emissionsbereich (23) und ein Detektionsbereich (24) gebildet sind. Die Halbleiterschichtenfolge umfasst einen aktiven Bereich (20), der zwischen einer ersten Halbleiterschicht (21) und einer zweiten Halbleiterschicht (22) angeordnet ist und im Emissionsbereich (23) zur Erzeugung von Strahlung vorgesehen ist. Die erste Halbleiterschicht (21) ist auf der dem Träger (5) abgewandten Seite des aktiven Bereichs (20) angeordnet. Der Emissionsbereich (23) weist eine Ausnehmung (25) auf, die sich durch den aktiven Bereich (20) hindurch erstreckt; Die erste Halbleiterschicht (21) ist im Emissionsbereich (23) über eine erste Anschlussschicht (31) elektrisch leitend mit einem ersten Kontakt (41) verbunden, wobei sich die erste Anschlussschicht (31) in der Ausnehmung (25) von der ersten Halbleiterschicht (21) in Richtung des Trägers (5) erstreckt; Die zweite Halbleiterschicht (22) ist über eine zweite Anschlussschicht (32) mit einem zweiten Kontakt (42) elektrisch leitend verbunden. Der Detektionsbereich (24) ist mit einem zusätzlichen Kontakt (43) elektrisch leitend verbunden. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips angegeben.
摘要翻译：（5），其布置在半导体本体，提供一种光电子半导体芯片（1），包括在载体上的支撑件（5）和（2）之一具有半导体层序列，其中，在所述半导体主体（2）与所述半导体层序列，发射区域（23）和检测区域（24）形成。半导体层序列包括第一半导体层（21）和第二半导体层（22）设置在所述发射区域（23）之间的有源区（20）设置用于产生辐射。在第一半导体层（21）是在（5）的面对从有源区域（20）离开侧上的支撑。发射区域（23）具有通过所述有源区（20）穿过其延伸的凹部（25）; 在第一半导体层（21）被导电地经由第一连接层（31），在发射区（23）的第一接触（41）连接，其中在所述第一半导体层的凹部（25）的第一连接层（31）（21 ）朝向所述支撑件（5）; 所述第二半导体层（22）导电地经由具有第二触点（42）的第二连接层（32）相连接。检测区域（24）设置有一个附加的接触（43）电传导地连接。此外，被指定用于制造光电子半导体芯片的方法。

7. 发明申请

WO2011006719A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES ANORGANISCHEN OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILS 审中-公开
标题翻译：光电半导体器件及其制造方法无机光电半导体器件
公开(公告)号：WO2011006719A1
公开(公告)日：2011-01-20
申请号：PCT/EP2010/058160
申请日：2010-06-10
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HÖPPEL, Lutz , VON MALM, Norwin
发明人： HÖPPEL, Lutz , VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/40
CPC分类号： H01L33/44 , H01L24/05 , H01L33/405 , H01L2224/04042 , H01L2224/05556 , H01L2224/48091 , H01L2924/12041 , H01L2924/12043 , H01L2933/0025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) beinhaltet dieses einen Träger (2) und mindestens eine Halbleiterschichtenfolge (3). Die Halbleiterschichtenfolge (3) weist zumindest eine aktive Schicht (30) auf. Die Halbleiterschichtenfolge (3) ist ferner an dem Träger (2) angebracht. Weiterhin beinhaltet das Halbleiterbauteil (1) einen Metallspiegel (4), der sich zwischen dem Träger (2) und der Halbleiterschichtenfolge (3) befindet. Der Träger (2) und die Halbleiterschichtenfolge (3) überragen den Metallspiegel (4) in lateraler Richtung. Außerdem ist der Metallspiegel (4) in lateraler Richtung unmittelbar von einer strahlungsdurchlässigen Verkapselungsschicht (5) umgeben.
摘要翻译：在此光电子半导体器件（1）中的至少一个实施例包括载体（2）和至少一个半导体层序列（3）。半导体层序列（3）包括至少一个活性层（30）。半导体层序列（3）还连接到所述载体（2）。此外，半导体组件（1）包括金属反射镜（4），其位于所述载体（2）和所述半导体层（3）序列之间。所述支撑件（2）和所述半导体层序列（3）突出超过在横向方向上的金属反射镜（4）。另外，金属反射镜（4）在横向方向上通过一个透射辐射的封装层包围的直接（5）。

8. 发明申请

WO2010136326A1 OBERFLÄCHENMONTIERBARER OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OBERFLÄCHENMONTIERBAREN OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：表面贴装光电子半导体芯片及其制造方法的表面安装的光电半导体芯片
公开(公告)号：WO2010136326A1
公开(公告)日：2010-12-02
申请号：PCT/EP2010/056366
申请日：2010-05-10
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HÖPPEL, Lutz , MOOSBURGER, Jürgen , VON MALM, Norwin , RODE, Patrick , ILLEK, Stefan
发明人： HÖPPEL, Lutz , MOOSBURGER, Jürgen , VON MALM, Norwin , RODE, Patrick , ILLEK, Stefan
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/62 , H01L27/15 , H01L33/64 , H01L33/38 , H01L25/16
CPC分类号： H01L33/486 , H01L25/167 , H01L33/0079 , H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des oberflächenmontierbaren optoelektronischen Halbleiterchips (90) umfasst dieser einen Träger (10) mit zwei elektrischen Durchkontaktierungen (30, 70). Weiterhin beinhaltet der Halbleiterchip mindestens eine Halbleiterschichtenfolge (1). Ferner beinhaltet der Halbleiterchip (90) zwei elektrische Anschlussschichten (3, 7). Die Anschlussschichten (3, 7) überlappen hierbei in einer lateralen Richtung und sind durch eine Trennschicht elektrisch voneinander isoliert. Ein Teil der zweiten Anschlussschicht erstreckt sich über mindestens einen Durchbruch weg von dem Träger und hindurch durch die erste Anschlussschicht. Außerdem weist der Halbleiterchip mindestens eine elektrisch leitfähige Haftvermittlungsschicht auf. Über eine Unterbrechung ist die mindestens eine Haftvermittlungsschicht derart durchtrennt, dass über die Haftvermittlungsschicht keine elektrische Verbindung zwischen den Durchkontaktierungen hergestellt ist. Des Weiteren weist der Halbleiterchip wenigstens eine elektrisch leitfähige Brücke auf. Die Unterbrechung und eine Durchkontaktierung sind nicht von der Halbleiterschichtenfolge überdeckt.
摘要翻译：在一个支撑件（10），具有两个电通孔（30，70）的表面安装光电子半导体芯片（90）的至少一个实施例。此外，半导体芯片包括至少一个半导体层序列（1）。此外，半导体芯片（90）包括两个电连接层（3，7）。连接层（3，7）这种重叠在横向方向上，并且彼此电通过分离层绝缘。第二连接层的一部分的至少一个孔离开所述载体并通过第一连接层上延伸。此外，至少一个导电粘合剂层上的半导体芯片。通过中断所述至少一个粘接层是这样切割，没有电连接的粘合增进层在通孔之间进行比较。此外，半导体芯片的至少一个导电桥。中断以及通过不被半导体层序列覆盖。

9. 发明申请

WO2009036720A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：方法制造光电子器件
公开(公告)号：WO2009036720A1
公开(公告)日：2009-03-26
申请号：PCT/DE2008/001330
申请日：2008-08-12
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , VON MALM, Norwin
发明人： VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01L51/50
CPC分类号： H01L51/5036 , Y10T156/10
摘要： Ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements umfasst die Schritte: A) Bereitstellen einer strahlungsemittierenden Schichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich (13), der im Betrieb elektromagnetische Primärstrahlung abstrahlt, B) Bereitstellen einer die Primärstrahlung zumindest teilweise in elektromagnetische Sekundärstrahlung umwandelnden ersten Wellenlängenkonversionsschicht (2) und C) Anordnen der ersten Wellenlängenkonversionsschicht (2) auf der strahlungsemittierenden Schichtenfolge (1) im Strahlengang der Primärstrahlung.
摘要翻译：一种用于制造光电子器件，包括如下步骤：A）提供具有有源区（13，其辐射操作期间电磁初级辐射的辐射发射层序列（1）），B）提供一个初级辐射至少部分地转换成电磁次级辐射的第一波长转换层（ 2）和C）设置在所述初级辐射的光束路径中的发射辐射的层序列（1）所述第一波长转换层（2）。

10. 发明申请

WO2007051499A1 STRUCTURED LUMINESCENCE CONVERSION LAYER 审中-公开
标题翻译：结构转换层
公开(公告)号：WO2007051499A1
公开(公告)日：2007-05-10
申请号：PCT/EP2006/004777
申请日：2006-05-19
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BERBEN, Dirk , HOMER, Antoniadis , JERMANN, Frank , KRUMMACHER, Benjamin , VON MALM, Norwin , ZACHAU, Martin
发明人： BERBEN, Dirk , HOMER, Antoniadis , JERMANN, Frank , KRUMMACHER, Benjamin , VON MALM, Norwin , ZACHAU, Martin
IPC分类号： H01L27/32 , H01L51/50
CPC分类号： H05B33/22 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , H01L27/322 , H01L33/508 , H01L51/5036 , H01L51/5262 , H01L2251/5369 , H05B33/14 , H05B33/28
摘要： An apparatus device such as a light source is disclosed which has an OLED device and a structured luminescence conversion layer deposited on the substrate or transparent electrode of said OLED device and on the exterior of said OLED device. The structured luminescence conversion layer contains regions such as color-changing and non-color-changing regions with particular shapes arranged in a particular pattern.
摘要翻译：公开了诸如光源的装置装置，其具有沉积在所述OLED装置的衬底或透明电极上以及所述OLED器件的外部上的OLED器件和结构化的发光转换层。结构化发光转换层包含具有以特定图案排列的特定形状的变色区域和非变色区域。

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