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1. 发明申请

WO2010136326A1 OBERFLÄCHENMONTIERBARER OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OBERFLÄCHENMONTIERBAREN OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：表面贴装光电子半导体芯片及其制造方法的表面安装的光电半导体芯片
公开(公告)号：WO2010136326A1
公开(公告)日：2010-12-02
申请号：PCT/EP2010/056366
申请日：2010-05-10
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HÖPPEL, Lutz , MOOSBURGER, Jürgen , VON MALM, Norwin , RODE, Patrick , ILLEK, Stefan
发明人： HÖPPEL, Lutz , MOOSBURGER, Jürgen , VON MALM, Norwin , RODE, Patrick , ILLEK, Stefan
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/62 , H01L27/15 , H01L33/64 , H01L33/38 , H01L25/16
CPC分类号： H01L33/486 , H01L25/167 , H01L33/0079 , H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des oberflächenmontierbaren optoelektronischen Halbleiterchips (90) umfasst dieser einen Träger (10) mit zwei elektrischen Durchkontaktierungen (30, 70). Weiterhin beinhaltet der Halbleiterchip mindestens eine Halbleiterschichtenfolge (1). Ferner beinhaltet der Halbleiterchip (90) zwei elektrische Anschlussschichten (3, 7). Die Anschlussschichten (3, 7) überlappen hierbei in einer lateralen Richtung und sind durch eine Trennschicht elektrisch voneinander isoliert. Ein Teil der zweiten Anschlussschicht erstreckt sich über mindestens einen Durchbruch weg von dem Träger und hindurch durch die erste Anschlussschicht. Außerdem weist der Halbleiterchip mindestens eine elektrisch leitfähige Haftvermittlungsschicht auf. Über eine Unterbrechung ist die mindestens eine Haftvermittlungsschicht derart durchtrennt, dass über die Haftvermittlungsschicht keine elektrische Verbindung zwischen den Durchkontaktierungen hergestellt ist. Des Weiteren weist der Halbleiterchip wenigstens eine elektrisch leitfähige Brücke auf. Die Unterbrechung und eine Durchkontaktierung sind nicht von der Halbleiterschichtenfolge überdeckt.
摘要翻译：在一个支撑件（10），具有两个电通孔（30，70）的表面安装光电子半导体芯片（90）的至少一个实施例。此外，半导体芯片包括至少一个半导体层序列（1）。此外，半导体芯片（90）包括两个电连接层（3，7）。连接层（3，7）这种重叠在横向方向上，并且彼此电通过分离层绝缘。第二连接层的一部分的至少一个孔离开所述载体并通过第一连接层上延伸。此外，至少一个导电粘合剂层上的半导体芯片。通过中断所述至少一个粘接层是这样切割，没有电连接的粘合增进层在通孔之间进行比较。此外，半导体芯片的至少一个导电桥。中断以及通过不被半导体层序列覆盖。

2. 发明申请

WO2011092072A1 BELEUCHTUNGSVORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：照明装置
公开(公告)号：WO2011092072A1
公开(公告)日：2011-08-04
申请号：PCT/EP2011/050541
申请日：2011-01-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SABATHIL, Matthias , VON MALM, Norwin , HOEPPEL, Lutz , ILLEK, Stefan , BARCHMANN, Bernd , RODE, Patrick
发明人： SABATHIL, Matthias , VON MALM, Norwin , HOEPPEL, Lutz , ILLEK, Stefan , BARCHMANN, Bernd , RODE, Patrick
IPC分类号： H01L25/075 , F21K99/00
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L33/22 , H01L33/507 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird eine Beleuchtungsvorrichtung angegeben. Gemäß zumindest einem Aspekt weist die Beleuchtungsvorrichtung einen vorderseitigen Träger (1), einen rückseitigen Träger (2) und eine Mehrzahl von Leuchtdiodenchips (3) auf, die im Betrieb der Beleuchtungsvorrichtung Licht emittieren und Verlustwärme abgeben. Der rückseitige Träger (2) ist zumindest stellenweise von dem vorderseitigen Träger (1) bedeckt. Die Leuchtdiodenchips (3) sind zwischen dem rückseitigen Träger (2) und dem vorderseitigen Träger (1) angeordnet und von diesen mechanisch arretiert. Sie sind mittels des rückseitigen und/oder des vorderseitigen Trägers (1, 2) elektrisch kontaktiert. Der vorderseitige Träger (1) ist wärmeleitend mit den Leuchtdiodenchips (3) gekoppelt und weist eine von den Leuchtdiodenchips (3) abgewandte Lichtauskoppelfläche (101) auf, die zur Abgabe eines Teils der von den Leuchtdiodenchips (3) erzeugten Verlustwärme an die Umgebung ausgebildet ist.
摘要翻译：提供了一种照明装置。根据至少一个方面，所述照明装置具有前侧支架（1），后支撑（2）和多个发光二极管芯片（3），其发射光的照明装置的操作并且发射的热损失。背部支撑件（2）是至少局部地从覆盖前支撑（1）。 LED芯片（3）被布置在后架（2）和前支撑（1）和通过将它们机械地锁定之间。它们是由后和/或支撑的前侧的装置（1,2）被电接触。前支撑（1）导热地连接到所述发光二极管芯片（3）和具有发光二极管芯片中的一个背离在其上的发光二极管芯片的一部分的输送产生的热损失的光输出表面（101）的距离（3）（3）形成在所述环境，

3. 发明申请

WO2012136421A1 ANZEIGEVORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：显示设备
公开(公告)号：WO2012136421A1
公开(公告)日：2012-10-11
申请号：PCT/EP2012/053548
申请日：2012-03-01
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , RÜGHEIMER, Tilman , VON MALM, Norwin , ILLEK, Stefan
发明人： RÜGHEIMER, Tilman , VON MALM, Norwin , ILLEK, Stefan
IPC分类号： G09G3/34
CPC分类号： G09G3/3208 , G09G3/32 , H01L25/0753
摘要： Es wird eine Anzeigevorrichtung angegeben, mit - einer Vielzahl von Bildpunkten (1), - zumindest einem Anschlussträger (2), und - einer Vielzahl von anorganischen Leuchtdiodenchips (3), wobei - der Anschlussträger (2) eine Vielzahl von Schaltern (21) umfasst, - jeder Bildpunkt (1) zumindest einen Leuchtdiodenchip (3) enthält, - jeder Leuchtdiodenchip (3) am Anschlussträger (2) mechanisch befestigt und elektrisch angeschlossen ist, - jeder Schalter (21) zur Ansteuerung zumindest eines Leuchtdiodenchips (3) eingerichtet ist, und - die Leuchtdiodenchips (3) bildgebende Elemente der Anzeigevorrichtung sind.
摘要翻译：提供了一种显示装置，包括： - 多个像素（1）， - 至少一个连接构件（2），以及 - 多个无机发光二极管芯片（3），其特征在于， - 所述连接构件（2）包括多个开关（21）， - 每个像素（1）的至少一个LED芯片（3）， - 每个发光二极管芯片（3）连接到连接器载体（2）机械地附接和电连接， - 用于驱动至少一个发光二极管芯片的每个开关（21）（3）被布置，和 - 所述发光二极管芯片（3），显示装置的摄像元件。

4. 发明申请

WO2012049023A1 LEUCHTDIODENCHIP 审中-公开
标题翻译： LEDS CHIP
公开(公告)号：WO2012049023A1
公开(公告)日：2012-04-19
申请号：PCT/EP2011/066873
申请日：2011-09-28
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , VON MALM, Norwin , ILLEK, Stefan , STEEGMÜLLER, Ulrich
发明人： VON MALM, Norwin , ILLEK, Stefan , STEEGMÜLLER, Ulrich
IPC分类号： H01L27/15
CPC分类号： H01L33/62 , H01L27/153 , H01L2224/48463
摘要： Es wird ein Leuchtdiodenchip angegeben, mit - zumindest zwei Halbleiterkörpern (1), wobei jeder Halbleiterkörper (1) zumindest einen zur Strahlungserzeugung eingerichteten aktiven Bereich (11) umfasst, - einem Träger (2), der eine Oberseite (2a) und eine der Oberseite (2a) abgewandte Unterseite (2b) aufweist und - ein elektrisch isolierendes Verbindungsmittel (3), das an der Oberseite (2a) des Trägers angeordnet ist, wobei - das elektrisch isolierende Verbindungsmittel (3) zwischen den Halbleiterkörpern (1) und der Oberseite (2a) des Trägers angeordnet ist, - das elektrisch isolierende Verbindungsmittel (3) einen mechanischen Kontakt zwischen den Halbleiterkörpern (1) und dem Träger (2) vermittelt, und - zumindest ein Teil der Halbleiterkörper (1) elektrisch in Reihe zueinander geschaltet sind.
摘要翻译：本发明公开了一种发光二极管芯片，具有 - 至少两个半导体本体（1），每个半导体主体（1）包括至少一个用于产生辐射有源区域（11）建立， - 支撑（2），其具有顶表面（2a）和顶部中的一个（图2a）的面向远离所述底部（2b）中，以及 - 在所述支撑件的顶部（2a）中的电绝缘连接装置（3）被布置，其中， - 所述电绝缘连接装置（3）在半导体本体（1）之间和顶部（图2a）布置在所述载体， - 所述电绝缘连接装置（3）（1）和所述支撑件（2）提供在半导体本体之间的机械接触，以及 - 至少在半导体主体（1）被电连接在彼此串联的一部分。

5. 发明申请

WO2008131743A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：光电组件
公开(公告)号：WO2008131743A1
公开(公告)日：2008-11-06
申请号：PCT/DE2008/000715
申请日：2008-04-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ILLEK, Stefan , PLOESSL, Andreas , HEINDL, Alexander , RODE, Patrick , EISSLER, Dieter
发明人： ILLEK, Stefan , PLOESSL, Andreas , HEINDL, Alexander , RODE, Patrick , EISSLER, Dieter
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/385 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronisches Bauelement mit einem Halbleiterkörper (2), der eine Halbleiterschichtenfolge mit einem zur Strahlungserzeugung geeigneten aktiven Bereich (4) aufweist, einer auf dem Halbleiterkörper angeordneten Reflektorschicht (72) und zwei elektrischen Kontakten (7,8) angegeben, wobei ein erster Kontakt (7) der beiden Kontakte auf der der Reflektorschicht zugewandten Seite des aktiven Bereichs elektrisch leitend mit dem Halbleiterkörper verbunden ist, der zweite Kontakt (8) der beiden Kontakte auf der von der Reflektorschicht abgewandten Seite des aktiven Bereichs elektrisch leitend mit dem Halbleiterkörper verbunden ist und die Reflektorschicht zwischen einem Teilbereich des zweiten Kontakts und dem Halbleiterkörper angeordnet ist.
摘要翻译：它是与具有合适的半导体层序列的半导体主体（2），用于生成辐射有源区（4），一个设置在半导体本体反射器层（72）和两个电触头（7,8）上，其中，第一光电装置（7）接触的面对所述有源区域的反射层侧的一侧上的两个触点导电连接到所述半导体主体，所述第二触头（8）上从所述活性区域的所述反射层侧的远程侧的两个触点的导电地连接到所述半导体基体是和半导体主体的第二接触的部分之间的反射层被布置。

6. 发明申请

WO2008131736A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER MEHRZAHL OPTOELEKTRONISCHER BAUELEMENTE 审中-公开
标题翻译：光电子器件及其制造方法的多个光电元件的
公开(公告)号：WO2008131736A1
公开(公告)日：2008-11-06
申请号：PCT/DE2008/000704
申请日：2008-04-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ILLEK, Stefan , PLOESSL, Andreas , HEINDL, Alexander , RODE, Patrick , EISSLER, Dieter
发明人： ILLEK, Stefan , PLOESSL, Andreas , HEINDL, Alexander , RODE, Patrick , EISSLER, Dieter
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/20 , H01L33/46 , H01L33/505 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronisches Bauelement (1) mit einem Halbleiterkörper (2), der einen zur Strahlungserzeugung geeigneten aktiven Bereich (4) aufweist, und mit zwei auf dem Halbleiterkörper angeordneten elektrischen Kontakten (7, 8) angegeben, wobei die Kontakte elektrisch leitend mit dem aktiven Bereich verbunden sind, die Kontakte jeweils eine vom Halbleiterkörper abgewandte Anschlussfläche (70, 80) aufweisen, die Anschlussflächen auf einer Anschlussseite des Bauelements angeordnet sind und eine von der Anschlussseite verschiedene Seite des Bauelements verspiegelt ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl derartiger Bauelemente angegeben.
摘要翻译：它是（1）设置有一个半导体主体（2），其具有适合于产生辐射有源区（4），和两个设置在半导体本体电接触（7,8），其中，所述触点电连接到所述的光电子器件有源区被连接到在每种情况下一个接触面与半导体本体垫（70，80）的距离，其垫被设置在部件的一个端侧，并从部件的连接并排不同被镜像。此外，用于制造多个这样的器件的方法中给出。

7. 发明申请

WO2010017788A1 OPTISCH GEPUMPTER VCSEL MIT EINER VIELZAHL VON AKTIVEN BEREICHEN ZUR INTENSITÄTSABSENKUNG IM ANTI-RESONANTEN RESONATOR 审中-公开
标题翻译：凭借对反谐振谐振器的强度减排活跃的领域的各种光泵VCSEL
公开(公告)号：WO2010017788A1
公开(公告)日：2010-02-18
申请号：PCT/DE2009/000863
申请日：2009-06-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LINDBERG, Hans , ILLEK, Stefan
发明人： LINDBERG, Hans , ILLEK, Stefan
IPC分类号： H01S5/04 , H01S5/14 , H01S5/183 , H01S5/06 , H01S5/34
CPC分类号： H01S5/041 , B82Y20/00 , H01S3/109 , H01S5/1228 , H01S5/141 , H01S5/18358 , H01S5/18383 , H01S5/2022 , H01S5/3406 , H01S5/3407 , H01S5/34306
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des oberflächenemittierenden Halbleiterlaserchips (1) umfasst dieser eine erste Schichtenfolge (2), die für eine Primärstrahlung (P) mit einer Primärwellenlänge reflektierend wirkt, und einen Schichtenstapel (4), der dazu ausgestaltet ist, die Primärstrahlung (P) zu emittieren und der zumindest zwei aktive Bereiche (5) aufweist. Ein Teil der Schichten der ersten Schichtenfolge (2) ist hierbei im Schichtenstapel (4) verteilt. Ein solcher oberflächenemittierender Halbleiterlaserchip (1) weist geringe optische Verluste im Halbleiterlaserchip (1) auf und hat somit über eine hohe Effizienz. Der optisch gepumpte VCSEL enthält Barriereschichten (15) zur Absorption der Pumpstrahlung zwischen den Quantentrögen (5,16). Zumindestens eine niedrigberechende Schicht (2a) ist zwischen den aktiven Bereichen (5) angeordnet.
摘要翻译：在面发光半导体激光器芯片的至少一个实施例中（1）包括第一系列的层（2），其具有用于初级辐射（P），其具有一个主波长，和层堆（4），其适于将所述初级辐射（P）反射效果发射，并且所述至少两个有源区（5）。第一系列的层（2）的所述层的一部分是在这里分配的层堆叠（4）。这样的面发光半导体激光器芯片（1）具有在半导体激光器芯片（1）低的光学损耗，因此具有高的效率。光泵浦VCSEL包括用于量子阱（5:16）之间的泵辐射的吸收的阻挡层（15）。至少一个niedrigberechende层（2a）的布置在所述有源区（5）之间。

8. 发明申请

WO2010017787A1 OPTISCH GEPUMPTER VCSEL MIT EINER VIELZAHL VON AKTIVEN BEREICHEN ZUR INTENSITÄTSABSENKUNG IM ANTI-RESONANTEN RESONATOR 审中-公开
标题翻译：凭借对反谐振谐振器的强度减排活跃的领域的各种光泵VCSEL
公开(公告)号：WO2010017787A1
公开(公告)日：2010-02-18
申请号：PCT/DE2009/000861
申请日：2009-06-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LINDBERG, Hans , ILLEK, Stefan
发明人： LINDBERG, Hans , ILLEK, Stefan
IPC分类号： H01S5/04 , H01S5/14 , H01S5/183 , H01S5/028 , H01S5/10
CPC分类号： H01S5/041 , H01S3/08072 , H01S3/109 , H01S5/0014 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/1039 , H01S5/141 , H01S5/18383 , H01S5/209
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des oberflächenemittierenden Halbleiterlaserchips (1) umfasst dieser eine erste Schichtenfolge (2), die für eine Primärstrahlung (P) mit einer Primärwellenlänge reflektierend wirkt. Außerdem umfasst der Halbleiterlaserchip (1) einen Schichtenstapel (4) mit mindestens einem aktiven Bereich (5), wobei der Schichtenstapel (4) an einer Hauptseite der ersten Schichtenfolge (2) aufgebracht und dazu ausgestaltet ist, die Primärstrahlung (P) zu emittieren. Eine Dicke (D) des Schichtenstapels (4) ist so gestaltet, dass dieser nicht-resonant bezüglich der Primärwellenlänge ist. In einem solchen oberflächenemittierenden Halbleiterlaserchip (1) treten nur geringe optische Verluste innerhalb des Halbleiterlaserchips (1) auf.
摘要翻译：在面发光半导体激光器芯片的至少一个实施例中（1）包括第一系列的层（2），其具有用于具有主波长的初级辐射（P）的反射的效果。此外，该半导体激光器芯片（1）包括的层堆叠（4）具有至少一个有源区域（5）施加到层堆叠（4）在所述第一层序列（2）的主侧面和适于将所述初级辐射（P）出射。层堆叠（4）的厚度（D）被设计成使得它是非谐振相对于所述主波长。在这样的面发光型半导体激光元件（1）在半导体激光器芯片内只有小的光损耗（1）发生。

9. 发明申请

WO2004032247A2 HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：半导体元件及其制造方法
公开(公告)号：WO2004032247A2
公开(公告)日：2004-04-15
申请号：PCT/DE2003/002954
申请日：2003-09-05
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , EISERT, Dominik , ILLEK, Stefan , SCHMID, Wolfgang
发明人： EISERT, Dominik , ILLEK, Stefan , SCHMID, Wolfgang
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/20 , H01L23/3677 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L24/95 , H01L2224/29014 , H01L2224/29124 , H01L2224/29164 , H01L2224/29169 , H01L2224/83203 , H01L2924/12042 , H01L2924/351 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
摘要： Zur Verminderung bzw. Kompensation der thermischen Spannungen im Bauelement wird ein Halbleiterbauelement mit einer lichtemittierenden Halbleiterschicht oder einem lichtemittierenden Halbleiterelement, zwei Kontaktstellen und einem vertikal oder horizontal strukturierten Trägersubstrat, und ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements entwickelt. Die thermischen Spannungen entstehen durch Temperaturwechsel während der Prozessierung und im Betrieb und aufgrund der unterschiedlichen Ausdehnungskoeffizienten des Halbleiters und Trägersubstrats. Das Trägersubstrat wird so strukturiert, dass die thermischen Spannungen ausreichend vermindert bzw. kompensiert sind, dass das Bauelement nicht ausfällt.
摘要翻译：为了减少或补偿组件中的热应力，具有半导体发光层或发光半导体元件，两个接触点和一个垂直或水平结构的载体基材，以及一种制造半导体器件的方法的半导体器件的开发。的热应力引起的，因为半导体的膨胀和载体基板的不同的系数的处理和操作过程中的温度变化和。所述载体基片的结构，使得热应力充分地减少或补偿在该组件不沉淀。

10. 发明申请

WO2009079986A3 OBERFLÄCHENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2009079986A3
公开(公告)日：2009-07-02
申请号：PCT/DE2008/002068
申请日：2008-12-10
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ILLEK, Stefan
发明人： ILLEK, Stefan
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/04 , H01S5/026 , H01S5/40
摘要： Es wird ein oberflächenemittierender Halbleiterlaser angegeben, der eine erste Halbleiterschichtenfolge (20) aufweist, die einen Pumplaser (7) umfasst, und der eine auf der ersten Halbleiterschichtenfolge (20) angeordnete zweite Halbleiterschichtenfolge (3) aufweist, die einen Vertikalemitter (1) umfasst. Der Vertikalemitter (1) weist eine strahlungsemittierende aktive Schicht (4), eine Strahlungsaustrittsseite (5) und eine der Strahlungsaustrittsseite (5) gegenüberliegende Befestigungsseite (6) auf, wobei der Pumplaser (7) an der Strahlungsaustrittsseite (5) des Vertikalemitters (1) angeordnet ist und an der Befestigungsseite (6) des Vertikalemitters (1) ein Trägerkörper (2) angeordnet ist. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines oberflächenemittierenden Halbleiterlasers angegeben.

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