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1. 发明申请

WO2012159615A3 OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2012159615A3
公开(公告)日：2013-05-23
申请号：PCT/DE2012100118
申请日：2012-04-26
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , MAUTE MARKUS , ENGL KARL , TAEGER SEBASTIAN , WALTER ROBERT , STOCKER JOHANNES
发明人： MAUTE MARKUS , ENGL KARL , TAEGER SEBASTIAN , WALTER ROBERT , STOCKER JOHANNES
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/42
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/06 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： The invention relates to an optoelectronic semiconductor chip (10), which comprises a semiconductor body (1) made of semiconductor material, a p-contact layer (21a) and an n-contact layer (2). The semiconductor body (1) comprises an active layer (1a) provided for generating radiation. The semiconductor body has a p-side (1c) and an n-side (1b), between which the active layer (1a) is arranged. The p-contact layer (21a) is provided for electrical contacting of the p-side (1c). The n-contact layer (2) is provided for electrical contacting of the n-side (1b). The n-contact layer (2) contains a TCO layer (2a) and a mirror layer (2b), wherein the TCO layer (2a) is arranged between the n-side (1b) of the semiconductor body (1) and the mirror layer (2b).
摘要翻译：提供了一种光电子半导体芯片（10），包括半导体材料的半导体主体（1），p型接触层（21a）和一个n型接触层（2）。半导体本体（1）具有用于产生辐射活性层（LA）中的开口。该半导体主体包括一p侧（1c）和n侧（1b）中，活性层（LA）被布置在它们之间。 p接触层（21a）的电接触的p侧（1c）中被提供。提供了一种用于在n侧（1b）的电接触n型接触层（2）。的n型接触层（2）含有（1b）的（2b）中设置在所述半导体主体（1）和镜层的n侧之间的TCO层（2a）和镜面层（2b）中，其中，所述TCO层（2a）的是。

2. 发明申请

WO2012159615A2 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2012159615A2
公开(公告)日：2012-11-29
申请号：PCT/DE2012/100118
申请日：2012-04-26
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , MAUTE, Markus , ENGL, Karl , TAEGER, Sebastian , WALTER, Robert , STOCKER, Johannes
发明人： MAUTE, Markus , ENGL, Karl , TAEGER, Sebastian , WALTER, Robert , STOCKER, Johannes
IPC分类号： H01L33/40
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/06 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, der einen Halbleiterkörper (1) aus Halbleitermaterial, eine p-Kontaktschicht (21a) und eine n-Kontaktschicht (2) umfasst. Der Halbleiterkörper (1) weist eine zur Strahlungserzeugung vorgesehene aktive Schicht (la) auf. Der Halbleiterkörper weist eine p-Seite (1c) und eine n-Seite (1b) auf, zwischen denen die aktive Schicht (la) angeordnet ist. Die p-Kontaktschicht (21a) ist zur elektrischen Kontaktierung der p-Seite (1c) vorgesehen. Die n-Kontaktschicht (2) ist zur elektrischen Kontaktierung der n-Seite (1b) vorgesehen. Die n-Kontaktschicht (2) enthält eine TCO-Schicht (2a) und eine Spiegelschicht (2b), wobei die TCO-Schicht (2a) zwischen der n-Seite (1b) des Halbleiterkörpers (1) und der Spiegelschicht (2b) angeordnet ist.
摘要翻译：提供了一种光电子半导体芯片（10），包括半导体材料的半导体主体（1），p型接触层（21a）和一个n型接触层（2）。半导体本体（1）具有用于产生辐射活性层（LA）中的开口。该半导体主体包括一p侧（1c）和n侧（1b）中，活性层（LA）被布置在它们之间。 p接触层（21a）的电接触的p侧（1c）中被提供。提供了一种用于在n侧（1b）的电接触n型接触层（2）。的n型接触层（2）含有（1b）的（2b）中设置在所述半导体主体（1）和镜层的n侧之间的TCO层（2a）和镜面层（2b）中，其中，所述TCO层（2a）的是。

3. 发明申请

WO2012136459A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND DERART HERGESTELLTES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：方法制造光电子器件和这样的组件MADE
公开(公告)号：WO2012136459A1
公开(公告)日：2012-10-11
申请号：PCT/EP2012/054598
申请日：2012-03-15
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , MAUTE, Markus , MOOSBURGER, Jürgen , JEREBIC, Simon
发明人： MAUTE, Markus , MOOSBURGER, Jürgen , JEREBIC, Simon
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/56
CPC分类号： H01L33/60 , H01L33/20 , H01L33/44 , H01L33/48 , H01L33/486 , H01L33/501 , H01L33/56 , H01L2933/0091
摘要： Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (10) angegeben. Es wird ein Halbleiterchip (2) bereitgestellt, der eine zur Strahlungserzeugung geeignete aktive Schicht aufweist und auf einem Träger (1) angeordnet ist. Auf dem Halbleiterchip (2) und/oder dem Träger (1) wird ein dispergiertes Material (3) zumindest bereichsweise aufgebracht. Das dispergierte Material (3) umfasst ein Matrixmaterial (31) und darin eingebettete Partikel (32). Vor Aufbringen des dispergierten Materials (3) wird eine vom Träger (1) abgewandte Chipkante (22) des Halbleiterchips (2) derart modifiziert, dass sich das dispergierte Material (3) beim Aufbringen an der Chipkante (22) zumindest teilweise in seine Bestandteile auftrennt. Weiter wird ein derart hergestelltes Bauelement (10) angegeben.
摘要翻译：提供了一种用于制造光电子器件（10）的方法。提供了一种具有合适的活性层用于产生辐射和在载体上的（1）被配置在半导体芯片（2）。在半导体芯片（2）和/或所述支撑件（1），一分散材料（3）至少部分地施加。分散材料（3）包括一基体材料（31）和在其中嵌入的颗粒（32）。中的分散材料（3）的应用程序之前修改一（1）从背离半导体芯片的芯片边缘（22）远离所述承载器（2），使得分散的材料（3）当施加到芯片边缘（22）至少部分地分离成它的组分，此外，在此方式（10）所制造的装置被指定。

4. 发明申请

WO2012107261A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片及其制造方法光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2012107261A1
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：PCT/EP2012/050713
申请日：2012-01-18
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , EIBL, Johann , ENGL, Karl , LAMFALUSI, Tamas , MAUTE, Markus
发明人： EIBL, Johann , ENGL, Karl , LAMFALUSI, Tamas , MAUTE, Markus
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/22 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/58 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Ein optoelektronischer Halbleiterchip (100) mit einer Epitaxieschichtenfolge (102) umfasst eine dotierte Epitaxieschicht (104) mit einem ersten Bereich (116) und einem zweiten Bereich (118) und eine geschützte Struktur (108, 106). Der erste Bereich (116) der dotierten Epitaxieschicht (104) überdeckt die geschützte Struktur (108, 106) vollständig. Die äußere Oberfläche (119) der dotierten Epitaxieschicht (104) weist im ersten Bereich (116) eine erste Rauheit und im zweiten Bereich (118) eine zweite Rauheit auf.
摘要翻译：的光电子半导体芯片（100）的外延层（102）包括具有第一区域（116）和第二区域（118）和受保护的结构（108，106）一个掺杂外延层（104）。完全覆盖保护结构（108，106）掺杂的外延层（104）的所述第一部分（116）。掺杂的外延层（104）的外表面（119）具有在具有第一表面粗糙度的第一区域（116）和在所述第二区域（118）具有第二粗糙度。

5. 发明申请

WO2012034828A1 OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2012034828A1
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：PCT/EP2011/064386
申请日：2011-08-22
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ENGL, Karl , MAUTE, Markus , WEIMAR, Andreas , HÖPPEL, Lutz , RODE, Patrick , MOOSBURGER, Jürgen , VON MALM, Norwin
发明人： ENGL, Karl , MAUTE, Markus , WEIMAR, Andreas , HÖPPEL, Lutz , RODE, Patrick , MOOSBURGER, Jürgen , VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/38 , H01L33/10 , H01L33/40
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： An optoelectronic semiconductor chip is specified, comprising a semiconductor layer sequence (2) and a carrier substrate (10), wherein a first (7) and a second electrical contact layer (8) are arranged at least in regions between the carrier substrate (10) and the semiconductor layer sequence (2) and are electrically insulated from one another by an electrically insulating layer (9), and comprising a mirror layer (6), which is arranged between the semiconductor layer sequence (2) and the carrier substrate (10). The mirror layer (6) adjoins partial regions of the first electrical contact layer (7) and partial regions (19) of the electrically insulating layer (9), wherein the partial regions (19) of the electrically insulating layer (9) which adjoin the mirror layer (6) are covered by the second electrical contact layer (8) in such a way that at no point do they adjoin a surrounding medium of the optoelectronic semiconductor chip (1). The semiconductor layer sequence (2) has a cut-out (17), in which the first electrical contact layer (7) is uncovered in order to form a connection contact (14).
摘要翻译：规定了包括半导体层序列（2）和载体基板（10）的光电半导体芯片，其中第一（7）和第二电接触层（8）至少布置在载体基板（10））和半导体层序列（2），并且通过电绝缘层（9）彼此电绝缘，并且包括布置在半导体层序列（2）和载体基板（2）之间的镜面层（6） 10）。镜层（6）邻接第一电接触层（7）的部分区域和电绝缘层（9）的部分区域（19），其中电绝缘层（9）的部分区域（19）镜层（6）被第二电接触层（8）覆盖，使得它们不会与光电半导体芯片（1）的周围介质邻接。半导体层序列（2）具有切口（17），其中第一电接触层（7）未被覆盖以形成连接接触（14）。

6. 发明申请

WO2011107344A1 LEUCHTDIODENCHIP 审中-公开
标题翻译： LEDS CHIP
公开(公告)号：WO2011107344A1
公开(公告)日：2011-09-09
申请号：PCT/EP2011/052233
申请日：2011-02-15
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH , MAUTE, Markus , ENGL, Karl , BRÜNINGHOFF, Stefanie , GMEINWIESER, Nikolaus , EIBL, Johann
发明人： MAUTE, Markus , ENGL, Karl , BRÜNINGHOFF, Stefanie , GMEINWIESER, Nikolaus , EIBL, Johann
IPC分类号： H01L33/40 , H01L33/46
CPC分类号： H01L33/60 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/46 , H01L33/54 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Leuchtdiodenchip mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) angegeben, die eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht (3) aufweist, wobei der Leuchtdiodenchip (1) an einer Vorderseite eine Strahlungsaustrittsfläche (4) aufweist. Der Leuchtdiodenchip (1) weist an einer der Strahlungsaustrittsfläche (4) gegenüberliegenden Rückseite zumindest bereichsweise eine Spiegelschicht (5) auf, die Silber enthält. Eine funktionelle Schicht (6) zur Verminderung der Korrosion und/oder Verbesserung der Haftung der Spiegelschicht (5) ist auf der Spiegelschicht (5) angeordnet, wobei ein Material, aus dem die funktionelle Schicht (6) gebildet ist, in der gesamten Spiegelschicht (5) verteilt ist. Das Material der funktionellen Schicht (6) weist in der Spiegelschicht (5) einen Konzentrationsgradienten auf, wobei die Konzentration des Materials der funktionellen Schicht (6) in der Spiegelschicht (5) ausgehend von der funktionellen Schicht (6) in Richtung zur Halbleiterschichtenfolge (2) hin abnimmt.
摘要翻译：它是一种具有（2）所示的半导体层序列，其具有适合于产生电磁辐射活性层（3）发光二极管芯片，其特征在于，上辐射出射表面的前侧上的LED芯片（1）（4）。的发光二极管芯片（1）具有在至少的区域中的辐射出射表面（4）相对的后侧中的一个，反射镜层（5）含有银。用于减小反射镜层中的腐蚀和/或改善的（5）被布置在反射层（5）上，的粘附性的功能层（6），其特征在于其中的形成所述功能层（6）的材料（在整个镜面层 5）是分布式的。镜中的层（5）（6）的功能层的材料具有浓度梯度，其中，所述功能层（6）的材料在反射镜层中的浓度（5），从功能层开始（6）（在所述半导体层序列2的方向）向下降。

7. 发明申请

WO2011012446A1 LEUCHTDIODENCHIP 审中-公开
标题翻译： LEDS CHIP
公开(公告)号：WO2011012446A1
公开(公告)日：2011-02-03
申请号：PCT/EP2010/060077
申请日：2010-07-13
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , MAUTE, Markus , ALBRECHT, Tony , KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna
发明人： MAUTE, Markus , ALBRECHT, Tony , KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/20 , H01L33/44
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2933/0025
摘要： Es wird ein Leuchtdiodenchip angegeben, umfassend - einen Halbleiterkörper (1), der einen ersten (1A) und einen zweiten Bereich (1B) aufweist; - eine aktive Zone (2) innerhalb des Halbleiterkörpers (1), die im Betrieb des Leuchtdiodenchips (100) elektromagnetische Strahlung durch eine Strahlungsauskoppelfläche (11) emittiert, die zumindest stellenweise durch eine erste Hauptfläche (111) des Halbleiterkörpers (1) gebildet ist; - zumindest einen Graben (3) in dem Halbleiterkörper (1), wobei im Bereich des Grabens Teile des Halbleiterkörpers (1) entfernt sind, wobei - der zumindest eine Graben (3) zumindest bis zur aktiven Zone (2) reicht, - der zumindest eine Graben (3) den ersten Bereich (1A) in lateraler Richtung vollständig umgibt, und - der zweite Bereich (1B) den zumindest einen Graben (3) und den ersten Bereich (1A) in lateraler Richtung vollständig umgibt.
摘要翻译：它是指定的发光二极管芯片，包括： - 一个半导体主体（1），具有第一（1A）和第二区域（1B）; - 通过辐射在电磁辐射的LED芯片（100）的操作发出所述半导体主体（1）内的活性区域（2），其通过所述半导体主体（1）的第一主表面（111）形成至少局部地（11）; - 至少一个沟槽（3）在半导体本体（1）与半导体本体的部分（1）的在沟槽的区域中除去， - 所述至少一个沟槽（3），至少直到所述有源区（2）延伸， - 至少的沟槽（3）完全包围在横向方向上的第一区域（1A），以及 - 第二部分（1B）完全包围所述至少一个沟槽（3）和在横向方向上的第一区域（1A）。

8. 发明申请

WO2012171817A2 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER MEHRZAHL VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：方法制造光电子半导体芯片的多个
公开(公告)号：WO2012171817A2
公开(公告)日：2012-12-20
申请号：PCT/EP2012/060393
申请日：2012-06-01
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , REUFER, Martin , MAUTE, Markus , ALBRECHT, Tony
发明人： REUFER, Martin , MAUTE, Markus , ALBRECHT, Tony
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/24 , H01L33/0062 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/44
摘要： Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips angegeben, das zumindest die folgenden Verfahrensschritte umfasst: - Bereitstellen zumindest eines Halbleiterkörpers (1); - Einbringen von zumindest einem Graben (2) mittels zumindest eines Strukturierungsprozesses (3) in den Halbleiterkörper (1), wobei - der Graben (2) in einer vertikalen Richtung (V) die aktive Zone (12) durchbricht; - Anwendung zumindest eines Reinigungsprozesses (4) zumindest auf freiliegende Stellen des Halbleiterkörpers (1) im Bereich des Grabens (2), wobei - der Reinigungsprozess (4) zumindest einen Plasmareinigungsprozess (33) umfasst, und - der Plasmareinigungsprozess (44) eine Anzahl und/oder eine räumliche Ausdehnung von Strukturierungsrückständen (333) an freiliegenden Stellen des Halbleiterkörpers (1) zumindest im Bereich des Grabens (2) zumindest verringert; - Aufbringen zumindest einer Passivierungsschicht (5) zumindest auf freiliegende Stellen des Halbleiterkörpers (1) im Bereich des Grabens (2).
摘要翻译：一种用于制造多个给定光电半导体芯片的方法，包括至少以下步骤： - 提供至少一个半导体本体（1）; - （2）通过在半导体本体的至少一个图案化工艺（3）的装置将至少一个沟槽（1），其中 - 所述槽（2）在垂直方向（V）突破了有源区（12）; - 至少在至少一个清洁过程（4）的应用在半导体本体的暴露的部分（1）在所述沟槽的区域（2），其中 - 所述清洁工艺（4）包括至少一个等离子清洁工艺（33），以及 - 所述等离子清洁工艺（44）包括一个数字和 /或在半导体本体（1）至少在所述沟槽的区域（2）被至少减少外露部分结构化残留物（333）的空间范围; - 在所述沟槽的区域上的半导体主体（1）的外露部分施加至少至少一个钝化层（5）（2）。

9. 发明申请

WO2013030094A1 LEUCHTDIODENCHIP 审中-公开
标题翻译： LEDS CHIP
公开(公告)号：WO2013030094A1
公开(公告)日：2013-03-07
申请号：PCT/EP2012/066462
申请日：2012-08-23
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , PERZLMAIER, Korbinian , GEHRKE, Kai , WALTER, Robert , ENGL, Karl , WEISS, Guido , MAUTE, Markus , RAMMELSBERGER, Stefanie
发明人： PERZLMAIER, Korbinian , GEHRKE, Kai , WALTER, Robert , ENGL, Karl , WEISS, Guido , MAUTE, Markus , RAMMELSBERGER, Stefanie
IPC分类号： H01L33/42 , H01L33/40 , H01L33/38
CPC分类号： H01L33/60 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Leuchtdiodenchip (1) angegeben, mit einer Halbleiterschichtenfolge (2), die eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung (13) geeignete aktive Schicht (3) aufweist, wobei der Leuchtdiodenchip (1) an einer Vorderseite eine Strahlungsaustrittsfläche (4) aufweist. Der Leuchtdiodenchip (1) weist an einer der Strahlungsaustrittsfläche (4) gegenüberliegenden Rückseite zumindest bereichsweise eine Spiegelschicht (5) auf, die Silber enthält. Auf der Spiegelschicht (5) ist eine Schutzschicht (6) angeordnet, die ein transparentes leitfähiges Oxid aufweist.
摘要翻译：本发明公开了一种发光二极管芯片（1）和具有用于产生电磁辐射（13）合适的有源层的半导体层序列（2）（3），其特征在于，上辐射出射表面的前侧上的发光二极管芯片（1）（4）。的发光二极管芯片（1）具有在至少的区域中的辐射出射表面（4）相对的后侧中的一个，反射镜层（5）含有银。在反射镜层（5）的保护层（6）被布置，其具有透明导电氧化物。

10. 发明申请

WO2012028511A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片及其制造方法光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2012028511A1
公开(公告)日：2012-03-08
申请号：PCT/EP2011/064554
申请日：2011-08-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , KLEMP, Christoph , BRÜNINGHOFF, Stefanie , ENGL, Karl , MAUTE, Markus , WALTER, Robert , GUENTHER, Oliver
发明人： KLEMP, Christoph , BRÜNINGHOFF, Stefanie , ENGL, Karl , MAUTE, Markus , WALTER, Robert , GUENTHER, Oliver
IPC分类号： H01L33/40 , H01L33/42 , H01L33/38
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/382 , H01L33/42 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip mit einer Halbleiterschichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich (2) auf einem Substrat (5) und mit einer Spiegelschicht (3) angegeben, die vollständig in einer Schicht (4) mit einem transparenten leitenden Oxid eingebettet ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips angegeben.
摘要翻译：提供了一种具有（1）具有的半导体层序列的光电子半导体芯片的有源区（2）的基板（5）上，并用一个反射镜层（3）完全在一个层（4）嵌入有透明导电氧化物。此外，被指定用于制造光电子半导体芯片的方法。

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