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1. 发明申请

WO2012049023A1 LEUCHTDIODENCHIP 审中-公开
标题翻译： LEDS CHIP
公开(公告)号：WO2012049023A1
公开(公告)日：2012-04-19
申请号：PCT/EP2011/066873
申请日：2011-09-28
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , VON MALM, Norwin , ILLEK, Stefan , STEEGMÜLLER, Ulrich
发明人： VON MALM, Norwin , ILLEK, Stefan , STEEGMÜLLER, Ulrich
IPC分类号： H01L27/15
CPC分类号： H01L33/62 , H01L27/153 , H01L2224/48463
摘要： Es wird ein Leuchtdiodenchip angegeben, mit - zumindest zwei Halbleiterkörpern (1), wobei jeder Halbleiterkörper (1) zumindest einen zur Strahlungserzeugung eingerichteten aktiven Bereich (11) umfasst, - einem Träger (2), der eine Oberseite (2a) und eine der Oberseite (2a) abgewandte Unterseite (2b) aufweist und - ein elektrisch isolierendes Verbindungsmittel (3), das an der Oberseite (2a) des Trägers angeordnet ist, wobei - das elektrisch isolierende Verbindungsmittel (3) zwischen den Halbleiterkörpern (1) und der Oberseite (2a) des Trägers angeordnet ist, - das elektrisch isolierende Verbindungsmittel (3) einen mechanischen Kontakt zwischen den Halbleiterkörpern (1) und dem Träger (2) vermittelt, und - zumindest ein Teil der Halbleiterkörper (1) elektrisch in Reihe zueinander geschaltet sind.
摘要翻译：本发明公开了一种发光二极管芯片，具有 - 至少两个半导体本体（1），每个半导体主体（1）包括至少一个用于产生辐射有源区域（11）建立， - 支撑（2），其具有顶表面（2a）和顶部中的一个（图2a）的面向远离所述底部（2b）中，以及 - 在所述支撑件的顶部（2a）中的电绝缘连接装置（3）被布置，其中， - 所述电绝缘连接装置（3）在半导体本体（1）之间和顶部（图2a）布置在所述载体， - 所述电绝缘连接装置（3）（1）和所述支撑件（2）提供在半导体本体之间的机械接触，以及 - 至少在半导体主体（1）被电连接在彼此串联的一部分。

2. 发明申请

WO2012034828A1 OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2012034828A1
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：PCT/EP2011/064386
申请日：2011-08-22
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ENGL, Karl , MAUTE, Markus , WEIMAR, Andreas , HÖPPEL, Lutz , RODE, Patrick , MOOSBURGER, Jürgen , VON MALM, Norwin
发明人： ENGL, Karl , MAUTE, Markus , WEIMAR, Andreas , HÖPPEL, Lutz , RODE, Patrick , MOOSBURGER, Jürgen , VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/38 , H01L33/10 , H01L33/40
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： An optoelectronic semiconductor chip is specified, comprising a semiconductor layer sequence (2) and a carrier substrate (10), wherein a first (7) and a second electrical contact layer (8) are arranged at least in regions between the carrier substrate (10) and the semiconductor layer sequence (2) and are electrically insulated from one another by an electrically insulating layer (9), and comprising a mirror layer (6), which is arranged between the semiconductor layer sequence (2) and the carrier substrate (10). The mirror layer (6) adjoins partial regions of the first electrical contact layer (7) and partial regions (19) of the electrically insulating layer (9), wherein the partial regions (19) of the electrically insulating layer (9) which adjoin the mirror layer (6) are covered by the second electrical contact layer (8) in such a way that at no point do they adjoin a surrounding medium of the optoelectronic semiconductor chip (1). The semiconductor layer sequence (2) has a cut-out (17), in which the first electrical contact layer (7) is uncovered in order to form a connection contact (14).
摘要翻译：规定了包括半导体层序列（2）和载体基板（10）的光电半导体芯片，其中第一（7）和第二电接触层（8）至少布置在载体基板（10））和半导体层序列（2），并且通过电绝缘层（9）彼此电绝缘，并且包括布置在半导体层序列（2）和载体基板（2）之间的镜面层（6） 10）。镜层（6）邻接第一电接触层（7）的部分区域和电绝缘层（9）的部分区域（19），其中电绝缘层（9）的部分区域（19）镜层（6）被第二电接触层（8）覆盖，使得它们不会与光电半导体芯片（1）的周围介质邻接。半导体层序列（2）具有切口（17），其中第一电接触层（7）未被覆盖以形成连接接触（14）。

3. 发明申请

WO2012022657A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片及其制造方法的光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2012022657A1
公开(公告)日：2012-02-23
申请号：PCT/EP2011/063715
申请日：2011-08-09
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , MOOSBURGER, Jürgen , NEUREUTHER, Christoph , VON MALM, Norwin
发明人： MOOSBURGER, Jürgen , NEUREUTHER, Christoph , VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01L25/16 , H05B37/03 , H01L31/173 , H01L27/15 , H01L33/00 , H01L33/38
CPC分类号： H01L33/62 , H01L27/15 , H01L31/153 , H01L33/0079 , H01L33/382 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) angegeben, der einen Träger (5) und einen auf dem Träger (5) angeordneten Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge aufweist, wobei in dem Halbleiterkörper (2) mit der Halbleiterschichtenfolge ein Emissionsbereich (23) und ein Detektionsbereich (24) gebildet sind. Die Halbleiterschichtenfolge umfasst einen aktiven Bereich (20), der zwischen einer ersten Halbleiterschicht (21) und einer zweiten Halbleiterschicht (22) angeordnet ist und im Emissionsbereich (23) zur Erzeugung von Strahlung vorgesehen ist. Die erste Halbleiterschicht (21) ist auf der dem Träger (5) abgewandten Seite des aktiven Bereichs (20) angeordnet. Der Emissionsbereich (23) weist eine Ausnehmung (25) auf, die sich durch den aktiven Bereich (20) hindurch erstreckt; Die erste Halbleiterschicht (21) ist im Emissionsbereich (23) über eine erste Anschlussschicht (31) elektrisch leitend mit einem ersten Kontakt (41) verbunden, wobei sich die erste Anschlussschicht (31) in der Ausnehmung (25) von der ersten Halbleiterschicht (21) in Richtung des Trägers (5) erstreckt; Die zweite Halbleiterschicht (22) ist über eine zweite Anschlussschicht (32) mit einem zweiten Kontakt (42) elektrisch leitend verbunden. Der Detektionsbereich (24) ist mit einem zusätzlichen Kontakt (43) elektrisch leitend verbunden. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips angegeben.
摘要翻译：（5），其布置在半导体本体，提供一种光电子半导体芯片（1），包括在载体上的支撑件（5）和（2）之一具有半导体层序列，其中，在所述半导体主体（2）与所述半导体层序列，发射区域（23）和检测区域（24）形成。半导体层序列包括第一半导体层（21）和第二半导体层（22）设置在所述发射区域（23）之间的有源区（20）设置用于产生辐射。在第一半导体层（21）是在（5）的面对从有源区域（20）离开侧上的支撑。发射区域（23）具有通过所述有源区（20）穿过其延伸的凹部（25）; 在第一半导体层（21）被导电地经由第一连接层（31），在发射区（23）的第一接触（41）连接，其中在所述第一半导体层的凹部（25）的第一连接层（31）（21 ）朝向所述支撑件（5）; 所述第二半导体层（22）导电地经由具有第二触点（42）的第二连接层（32）相连接。检测区域（24）设置有一个附加的接触（43）电传导地连接。此外，被指定用于制造光电子半导体芯片的方法。

4. 发明申请

WO2011006719A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES ANORGANISCHEN OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILS 审中-公开
标题翻译：光电半导体器件及其制造方法无机光电半导体器件
公开(公告)号：WO2011006719A1
公开(公告)日：2011-01-20
申请号：PCT/EP2010/058160
申请日：2010-06-10
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HÖPPEL, Lutz , VON MALM, Norwin
发明人： HÖPPEL, Lutz , VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/40
CPC分类号： H01L33/44 , H01L24/05 , H01L33/405 , H01L2224/04042 , H01L2224/05556 , H01L2224/48091 , H01L2924/12041 , H01L2924/12043 , H01L2933/0025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) beinhaltet dieses einen Träger (2) und mindestens eine Halbleiterschichtenfolge (3). Die Halbleiterschichtenfolge (3) weist zumindest eine aktive Schicht (30) auf. Die Halbleiterschichtenfolge (3) ist ferner an dem Träger (2) angebracht. Weiterhin beinhaltet das Halbleiterbauteil (1) einen Metallspiegel (4), der sich zwischen dem Träger (2) und der Halbleiterschichtenfolge (3) befindet. Der Träger (2) und die Halbleiterschichtenfolge (3) überragen den Metallspiegel (4) in lateraler Richtung. Außerdem ist der Metallspiegel (4) in lateraler Richtung unmittelbar von einer strahlungsdurchlässigen Verkapselungsschicht (5) umgeben.
摘要翻译：在此光电子半导体器件（1）中的至少一个实施例包括载体（2）和至少一个半导体层序列（3）。半导体层序列（3）包括至少一个活性层（30）。半导体层序列（3）还连接到所述载体（2）。此外，半导体组件（1）包括金属反射镜（4），其位于所述载体（2）和所述半导体层（3）序列之间。所述支撑件（2）和所述半导体层序列（3）突出超过在横向方向上的金属反射镜（4）。另外，金属反射镜（4）在横向方向上通过一个透射辐射的封装层包围的直接（5）。

5. 发明申请

WO2010136326A1 OBERFLÄCHENMONTIERBARER OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OBERFLÄCHENMONTIERBAREN OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：表面贴装光电子半导体芯片及其制造方法的表面安装的光电半导体芯片
公开(公告)号：WO2010136326A1
公开(公告)日：2010-12-02
申请号：PCT/EP2010/056366
申请日：2010-05-10
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HÖPPEL, Lutz , MOOSBURGER, Jürgen , VON MALM, Norwin , RODE, Patrick , ILLEK, Stefan
发明人： HÖPPEL, Lutz , MOOSBURGER, Jürgen , VON MALM, Norwin , RODE, Patrick , ILLEK, Stefan
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/62 , H01L27/15 , H01L33/64 , H01L33/38 , H01L25/16
CPC分类号： H01L33/486 , H01L25/167 , H01L33/0079 , H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des oberflächenmontierbaren optoelektronischen Halbleiterchips (90) umfasst dieser einen Träger (10) mit zwei elektrischen Durchkontaktierungen (30, 70). Weiterhin beinhaltet der Halbleiterchip mindestens eine Halbleiterschichtenfolge (1). Ferner beinhaltet der Halbleiterchip (90) zwei elektrische Anschlussschichten (3, 7). Die Anschlussschichten (3, 7) überlappen hierbei in einer lateralen Richtung und sind durch eine Trennschicht elektrisch voneinander isoliert. Ein Teil der zweiten Anschlussschicht erstreckt sich über mindestens einen Durchbruch weg von dem Träger und hindurch durch die erste Anschlussschicht. Außerdem weist der Halbleiterchip mindestens eine elektrisch leitfähige Haftvermittlungsschicht auf. Über eine Unterbrechung ist die mindestens eine Haftvermittlungsschicht derart durchtrennt, dass über die Haftvermittlungsschicht keine elektrische Verbindung zwischen den Durchkontaktierungen hergestellt ist. Des Weiteren weist der Halbleiterchip wenigstens eine elektrisch leitfähige Brücke auf. Die Unterbrechung und eine Durchkontaktierung sind nicht von der Halbleiterschichtenfolge überdeckt.
摘要翻译：在一个支撑件（10），具有两个电通孔（30，70）的表面安装光电子半导体芯片（90）的至少一个实施例。此外，半导体芯片包括至少一个半导体层序列（1）。此外，半导体芯片（90）包括两个电连接层（3，7）。连接层（3，7）这种重叠在横向方向上，并且彼此电通过分离层绝缘。第二连接层的一部分的至少一个孔离开所述载体并通过第一连接层上延伸。此外，至少一个导电粘合剂层上的半导体芯片。通过中断所述至少一个粘接层是这样切割，没有电连接的粘合增进层在通孔之间进行比较。此外，半导体芯片的至少一个导电桥。中断以及通过不被半导体层序列覆盖。

6. 发明申请

WO2009036720A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：方法制造光电子器件
公开(公告)号：WO2009036720A1
公开(公告)日：2009-03-26
申请号：PCT/DE2008/001330
申请日：2008-08-12
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , VON MALM, Norwin
发明人： VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01L51/50
CPC分类号： H01L51/5036 , Y10T156/10
摘要： Ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements umfasst die Schritte: A) Bereitstellen einer strahlungsemittierenden Schichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich (13), der im Betrieb elektromagnetische Primärstrahlung abstrahlt, B) Bereitstellen einer die Primärstrahlung zumindest teilweise in elektromagnetische Sekundärstrahlung umwandelnden ersten Wellenlängenkonversionsschicht (2) und C) Anordnen der ersten Wellenlängenkonversionsschicht (2) auf der strahlungsemittierenden Schichtenfolge (1) im Strahlengang der Primärstrahlung.
摘要翻译：一种用于制造光电子器件，包括如下步骤：A）提供具有有源区（13，其辐射操作期间电磁初级辐射的辐射发射层序列（1）），B）提供一个初级辐射至少部分地转换成电磁次级辐射的第一波长转换层（ 2）和C）设置在所述初级辐射的光束路径中的发射辐射的层序列（1）所述第一波长转换层（2）。

7. 发明申请

WO2007051499A1 STRUCTURED LUMINESCENCE CONVERSION LAYER 审中-公开
标题翻译：结构转换层
公开(公告)号：WO2007051499A1
公开(公告)日：2007-05-10
申请号：PCT/EP2006/004777
申请日：2006-05-19
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BERBEN, Dirk , HOMER, Antoniadis , JERMANN, Frank , KRUMMACHER, Benjamin , VON MALM, Norwin , ZACHAU, Martin
发明人： BERBEN, Dirk , HOMER, Antoniadis , JERMANN, Frank , KRUMMACHER, Benjamin , VON MALM, Norwin , ZACHAU, Martin
IPC分类号： H01L27/32 , H01L51/50
CPC分类号： H05B33/22 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , H01L27/322 , H01L33/508 , H01L51/5036 , H01L51/5262 , H01L2251/5369 , H05B33/14 , H05B33/28
摘要： An apparatus device such as a light source is disclosed which has an OLED device and a structured luminescence conversion layer deposited on the substrate or transparent electrode of said OLED device and on the exterior of said OLED device. The structured luminescence conversion layer contains regions such as color-changing and non-color-changing regions with particular shapes arranged in a particular pattern.
摘要翻译：公开了诸如光源的装置装置，其具有沉积在所述OLED装置的衬底或透明电极上以及所述OLED器件的外部上的OLED器件和结构化的发光转换层。结构化发光转换层包含具有以特定图案排列的特定形状的变色区域和非变色区域。

8. 发明申请

WO2013045399A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：光电半导体器件及其制造方法的光电子半导体器件
公开(公告)号：WO2013045399A1
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：PCT/EP2012/068783
申请日：2012-09-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SABATHIL, Matthias , PLÖßL, Andreas , VON MALM, Norwin , LINKOV, Alexander , HÖPPEL, Lutz , KÖLPER, Christopher
发明人： SABATHIL, Matthias , PLÖßL, Andreas , VON MALM, Norwin , LINKOV, Alexander , HÖPPEL, Lutz , KÖLPER, Christopher
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/58 , H01L33/50
CPC分类号： H01L33/48 , H01L31/0232 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/486 , H01L33/507 , H01L33/58 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einem optoelektronischen Halbleiterchip (1) und einem optischen Element (2) angegeben, wobei zwischen dem Halbleiterchip (1) und dem optischen Element (2) eine Verbindungsschicht (3) mit einem transparenten Oxid angeordnet ist, die an den Halbleiterchip (1) und das optische Element (2) jeweils unmittelbar angrenzt und das optische Element (2) auf dem Halbleiterchip (1) befestigt. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben.
摘要翻译：提供了一种具有一个光电子半导体芯片（1）和光学元件的光电子半导体器件（2），其中所述半导体芯片（1）和光学元件（2）的粘接层（3）之间设置有一个透明的氧化物，其在半导体芯片（1）和光学元件（2）分别紧邻和光学元件（2）在半导体芯片（1）上。此外，用于制造光电子半导体器件的方法中给出。

9. 发明申请

WO2012146459A1 METHOD FOR THE PRODUCING OF A LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIP, METHOD FOR THE PRODUCTION OF A CONVERSION DIE AND LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIP 审中-公开
标题翻译：用于生产发光半导体芯片的方法，用于生产转换晶片和发光半导体芯片的方法
公开(公告)号：WO2012146459A1
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：PCT/EP2012/055722
申请日：2012-03-29
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , VON MALM, Norwin , RAUKAS, Madis , KUNDALIYA, Darshan
发明人： VON MALM, Norwin , RAUKAS, Madis , KUNDALIYA, Darshan
IPC分类号： H05B33/10 , H01L33/00
CPC分类号： H05B33/10 , H01L27/156 , H01L2933/0041
摘要： A light-emitting semiconductor chip is provided, the semiconductor chip comprising a semiconductor body having a pixel region with at least two electrically isolated sub-regions, each sub-region comprising an active layer, which generates electromagnetic radiation of a first wavelength range during operation, a separately manufactured ceramic conversion die over a radiation emission area of at least one sub-region, said conversion die being configured to convert radiation of the first wavelength range into electromagnetic radiation of a second wavelength range, wherein a width of the conversion die does not exceed 100 pm. Further, a method for the production of a light-emitting semiconductor chip and method for the production of a conversion die are provided.
摘要翻译：提供了一种发光半导体芯片，所述半导体芯片包括具有至少两个电隔离子区域的像素区域的半导体本体，每个子区域包括有源层，其在操作期间产生第一波长范围的电磁辐射，在至少一个子区域的辐射发射区域上的单独制造的陶瓷转换管芯，所述转换管芯被配置为将第一波长范围的辐射转换成第二波长范围的电磁辐射，其中转换管芯的宽度不超过100点。此外，提供了一种制造发光半导体芯片的方法和用于制造转换晶片的方法。

10. 发明申请

WO2012130900A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2012130900A1
公开(公告)日：2012-10-04
申请号：PCT/EP2012/055555
申请日：2012-03-28
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , VON MALM, Norwin
发明人： VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01L33/38 , H01L27/15 , H01L33/46 , H01L33/20 , H01L33/62 , H01S5/042
CPC分类号： H01L33/62 , H01L25/0753 , H01L27/153 , H01L31/02019 , H01L31/02327 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/60 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (100), angegeben, mit einem Träger (10) für eine optoelektronische Struktur, mit einem elektrisch isolierenden Trägerelement (1), das eine Montageseite (11) aufweist; zumindest einer elektrisch leitfähigen n-Verdrahtungsschicht (3); einer strukturierten, elektrisch leitfähigen Kontaktschicht (2), welchezumindest einen p-seitigen Kontaktbereich (21) und zumindest einem n-seitigen Kontaktbereich (22) aufweist; zumindest einem Isolationsbereich (4); zumindest einer elektrisch isolierenden Abstandsschicht (5), wobei der n-seitige Kontaktbereich (22) und die n-Verdrahtungsschicht (3) elektrisch leitend miteinander verbunden sind, und der p-seitige Kontaktbereich (21) und die Abstandschicht (5) den n-seitigen Kontaktbereich (22) in lateraler Richtung (L) vollständig umranden; zumindest einer optoelektronischen Struktur (7), die elektrisch leitend und mechanisch fest mit dem Träger (10) verbunden ist.
摘要翻译：它是一种光电子半导体芯片（100）被指定，具有包括电绝缘支承元件的光电子结构的支撑体（10）（1），具有安装侧（11）; 至少一个导电的n布线层（3）; 图案化的导电接触层（2）具有至少一个p侧接触区（21）和至少一个n侧接触区（22）; 至少一个隔离区域（4）; 至少一个电绝缘间隔层（5）中，n侧接触区（22）和（3）导电地相互连接的n布线层，以及p侧接触区（21）和隔离层（5）在n 在横向方向（L）完全边缘侧的接触区域（22）; 该导电连接和机械固定地连接至所述载体（10）的至少一个光电子结构（7）。

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