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    • 6. 发明申请
    • OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS
    • 光电子半导体芯片及其制造方法的光电子半导体芯片
    • WO2012022657A1
    • 2012-02-23
    • PCT/EP2011/063715
    • 2011-08-09
    • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBHMOOSBURGER, JürgenNEUREUTHER, ChristophVON MALM, Norwin
    • MOOSBURGER, JürgenNEUREUTHER, ChristophVON MALM, Norwin
    • H01L25/16H05B37/03H01L31/173H01L27/15H01L33/00H01L33/38
    • H01L33/62H01L27/15H01L31/153H01L33/0079H01L33/382H01L2924/0002H01L2924/00
    • Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) angegeben, der einen Träger (5) und einen auf dem Träger (5) angeordneten Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge aufweist, wobei in dem Halbleiterkörper (2) mit der Halbleiterschichtenfolge ein Emissionsbereich (23) und ein Detektionsbereich (24) gebildet sind. Die Halbleiterschichtenfolge umfasst einen aktiven Bereich (20), der zwischen einer ersten Halbleiterschicht (21) und einer zweiten Halbleiterschicht (22) angeordnet ist und im Emissionsbereich (23) zur Erzeugung von Strahlung vorgesehen ist. Die erste Halbleiterschicht (21) ist auf der dem Träger (5) abgewandten Seite des aktiven Bereichs (20) angeordnet. Der Emissionsbereich (23) weist eine Ausnehmung (25) auf, die sich durch den aktiven Bereich (20) hindurch erstreckt; Die erste Halbleiterschicht (21) ist im Emissionsbereich (23) über eine erste Anschlussschicht (31) elektrisch leitend mit einem ersten Kontakt (41) verbunden, wobei sich die erste Anschlussschicht (31) in der Ausnehmung (25) von der ersten Halbleiterschicht (21) in Richtung des Trägers (5) erstreckt; Die zweite Halbleiterschicht (22) ist über eine zweite Anschlussschicht (32) mit einem zweiten Kontakt (42) elektrisch leitend verbunden. Der Detektionsbereich (24) ist mit einem zusätzlichen Kontakt (43) elektrisch leitend verbunden. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips angegeben.
    • (5),其布置在半导体本体,提供一种光电子半导体芯片(1),包括在载体上的支撑件(5)和(2)之一具有半导体层序列,其中,在所述半导体主体(2)与所述半导体层序列,发射区域(23)和 检测区域(24)形成。 半导体层序列包括第一半导体层(21)和第二半导体层(22)设置在所述发射区域(23)之间的有源区(20)设置用于产生辐射。 在第一半导体层(21)是在(5)的面对从有源区域(20)离开侧上的支撑。 发射区域(23)具有通过所述有源区(20)穿过其延伸的凹部(25); 在第一半导体层(21)被导电地经由第一连接层(31),在发射区(23)的第一接触(41)连接,其中在所述第一半导体层的凹部(25)的第一连接层(31)(21 )朝向所述支撑件(5); 所述第二半导体层(22)导电地经由具有第二触点(42)的第二连接层(32)相连接。 检测区域(24)设置有一个附加的接触(43)电传导地连接。 此外,被指定用于制造光电子半导体芯片的方法。