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1. 发明申请

WO2013045399A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：光电半导体器件及其制造方法的光电子半导体器件
公开(公告)号：WO2013045399A1
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：PCT/EP2012/068783
申请日：2012-09-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SABATHIL, Matthias , PLÖßL, Andreas , VON MALM, Norwin , LINKOV, Alexander , HÖPPEL, Lutz , KÖLPER, Christopher
发明人： SABATHIL, Matthias , PLÖßL, Andreas , VON MALM, Norwin , LINKOV, Alexander , HÖPPEL, Lutz , KÖLPER, Christopher
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/58 , H01L33/50
CPC分类号： H01L33/48 , H01L31/0232 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/486 , H01L33/507 , H01L33/58 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einem optoelektronischen Halbleiterchip (1) und einem optischen Element (2) angegeben, wobei zwischen dem Halbleiterchip (1) und dem optischen Element (2) eine Verbindungsschicht (3) mit einem transparenten Oxid angeordnet ist, die an den Halbleiterchip (1) und das optische Element (2) jeweils unmittelbar angrenzt und das optische Element (2) auf dem Halbleiterchip (1) befestigt. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben.
摘要翻译：提供了一种具有一个光电子半导体芯片（1）和光学元件的光电子半导体器件（2），其中所述半导体芯片（1）和光学元件（2）的粘接层（3）之间设置有一个透明的氧化物，其在半导体芯片（1）和光学元件（2）分别紧邻和光学元件（2）在半导体芯片（1）上。此外，用于制造光电子半导体器件的方法中给出。

2. 发明申请

WO2012028460A3 LEUCHTDIODENCHIP 审中-公开
公开(公告)号：WO2012028460A3
公开(公告)日：2012-03-08
申请号：PCT/EP2011/064185
申请日：2011-08-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HÖPPEL, Lutz , VON MALM, Norwin , SABATHIL, Matthias
发明人： HÖPPEL, Lutz , VON MALM, Norwin , SABATHIL, Matthias
IPC分类号： H01L33/22 , H01L25/075 , H01L33/00
摘要： Es wird ein Leuchtdiodenchip angegeben, mit - einem Halbleiterkörper (1), der einen Strahlungserzeugenden aktiven Bereich (13) umfasst, - zumindest zwei Kontaktstellen (2a, 2b) zum elektrischen Kontaktieren des aktiven Bereichs, - einem Träger (3), und - einem Verbindungsmittel (4), das zwischen dem Träger (3) und dem Halbleiterkörper (1) angeordnet ist, wobei - der Halbleiterkörper (1) an seiner dem Träger (3) zugewandten Außenflächen eine Aufrauung (15) aufweist, - der Halbleiterkörper (1) mittels des Verbindungsmittels (4) mechanisch mit dem Träger (3) verbunden ist, - das Verbindungsmittel (4) stellenweise in direktem Kontakt mit dem Halbleiterkörper (1) und dem Träger (3) steht, und - die zumindest zwei Kontaktstellen (2a, 2b) an der dem Träger (3) abgewandten Oberseite des Halbleiterkörpers (1) angeordnet sind.

3. 发明申请

WO2011038708A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUM ANPASSEN EINER KONTAKTSTRUKTUR ZUR ELEKTRISCHEN KONTAKTIERUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：光电半导体芯片和调整方法的接触结构用于电接触光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2011038708A1
公开(公告)日：2011-04-07
申请号：PCT/DE2010/001077
申请日：2010-09-10
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , RODE, Patrick , HÖPPEL, Lutz , VON MALM, Norwin , SABATHIL, Matthias , MOOSBURGER, Jürgen
发明人： RODE, Patrick , HÖPPEL, Lutz , VON MALM, Norwin , SABATHIL, Matthias , MOOSBURGER, Jürgen
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/62 , H01L27/15
CPC分类号： H01L27/153 , G01R31/318516 , H01H85/0417 , H01H85/32 , H01L23/5256 , H01L25/0753 , H01L27/156 , H01L33/62 , H01L51/50 , H01L2224/73265 , H01L2924/00 , H01L2924/0002 , H02H3/046 , H03K17/74 , H03K19/17728 , H05B33/083 , H05B33/0893 , Y10T29/49204
摘要： Ein optoelektronischer Halbleiterchip umfasst einen ersten Halbleiterfunktionsbereich (21) mit einem ersten Terminal (211) und einem zweiten Terminal (212), sowie eine Kontaktstruktur (4) zur elektrischen Kontaktierung des optoelektronischen Halbleiterchips, welche elektrisch leitend mit dem ersten Halbleiterfunktionsbereich (21) verbunden ist. Die Kontaktstruktur (4) weist eine auftrennbare Leiterstruktur (41, 71, 42) auf, wobei - bei nicht aufgetrennter Leiterstruktur ein Betriebsstromspfad über das erste Terminal des ersten Halbleiterfunktionsbereichs und das zweite Terminal festgelegt ist, der bei aufgetrennter Leiterstruktur unterbrochen ist, oder - bei aufgetrennter Leiterstruktur (41, 71, 42) ein Betriebsstrompfad über das erste Terminal (211) des ersten Halbleiterfunktionsbereichs (21) und das zweite Terminal (212) festgelegt ist, wobei bei nicht aufgetrennter Leiterstruktur (41, 71, 42) die Leiterstruktur (41, 71, 42) das erste Terminal (211) mit dem zweiten Terminal (212) verbindet und den ersten Halbleiterfunktionsbereich (21) kurzschließt.
摘要翻译：的光电子半导体芯片包括具有第一端子（211）和第二端子（212），以及用于光电子半导体芯片的电接触，这是导电地连接到第一半导体功能区域中的接触结构（4）的第一半导体功能区域（21）（21），接触结构（4）具有可分离的导体结构（41，71，42），其特征在于， - 在不被切断导体结构，工作电流路径经由所述第一半导体功能区域和第二端子，其在分离的导体结构的中断，或所述第一端子组 - 中分离导体结构（41，71，42），经由第一半导体功能区域（21）和第二终端（212）的第一端子（211）的工作电流路径是固定的，其中，当没有被切断的导体结构（41，71，42），该导体结构（41 ，71，42）连接所述第一终端（211）至所述第二终端（212）和所述第一半导体区域的功能（21）短路。

4. 发明申请

WO2012034828A1 OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2012034828A1
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：PCT/EP2011/064386
申请日：2011-08-22
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ENGL, Karl , MAUTE, Markus , WEIMAR, Andreas , HÖPPEL, Lutz , RODE, Patrick , MOOSBURGER, Jürgen , VON MALM, Norwin
发明人： ENGL, Karl , MAUTE, Markus , WEIMAR, Andreas , HÖPPEL, Lutz , RODE, Patrick , MOOSBURGER, Jürgen , VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/38 , H01L33/10 , H01L33/40
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： An optoelectronic semiconductor chip is specified, comprising a semiconductor layer sequence (2) and a carrier substrate (10), wherein a first (7) and a second electrical contact layer (8) are arranged at least in regions between the carrier substrate (10) and the semiconductor layer sequence (2) and are electrically insulated from one another by an electrically insulating layer (9), and comprising a mirror layer (6), which is arranged between the semiconductor layer sequence (2) and the carrier substrate (10). The mirror layer (6) adjoins partial regions of the first electrical contact layer (7) and partial regions (19) of the electrically insulating layer (9), wherein the partial regions (19) of the electrically insulating layer (9) which adjoin the mirror layer (6) are covered by the second electrical contact layer (8) in such a way that at no point do they adjoin a surrounding medium of the optoelectronic semiconductor chip (1). The semiconductor layer sequence (2) has a cut-out (17), in which the first electrical contact layer (7) is uncovered in order to form a connection contact (14).
摘要翻译：规定了包括半导体层序列（2）和载体基板（10）的光电半导体芯片，其中第一（7）和第二电接触层（8）至少布置在载体基板（10））和半导体层序列（2），并且通过电绝缘层（9）彼此电绝缘，并且包括布置在半导体层序列（2）和载体基板（2）之间的镜面层（6） 10）。镜层（6）邻接第一电接触层（7）的部分区域和电绝缘层（9）的部分区域（19），其中电绝缘层（9）的部分区域（19）镜层（6）被第二电接触层（8）覆盖，使得它们不会与光电半导体芯片（1）的周围介质邻接。半导体层序列（2）具有切口（17），其中第一电接触层（7）未被覆盖以形成连接接触（14）。

5. 发明申请

WO2011006719A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES ANORGANISCHEN OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILS 审中-公开
标题翻译：光电半导体器件及其制造方法无机光电半导体器件
公开(公告)号：WO2011006719A1
公开(公告)日：2011-01-20
申请号：PCT/EP2010/058160
申请日：2010-06-10
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HÖPPEL, Lutz , VON MALM, Norwin
发明人： HÖPPEL, Lutz , VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/40
CPC分类号： H01L33/44 , H01L24/05 , H01L33/405 , H01L2224/04042 , H01L2224/05556 , H01L2224/48091 , H01L2924/12041 , H01L2924/12043 , H01L2933/0025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) beinhaltet dieses einen Träger (2) und mindestens eine Halbleiterschichtenfolge (3). Die Halbleiterschichtenfolge (3) weist zumindest eine aktive Schicht (30) auf. Die Halbleiterschichtenfolge (3) ist ferner an dem Träger (2) angebracht. Weiterhin beinhaltet das Halbleiterbauteil (1) einen Metallspiegel (4), der sich zwischen dem Träger (2) und der Halbleiterschichtenfolge (3) befindet. Der Träger (2) und die Halbleiterschichtenfolge (3) überragen den Metallspiegel (4) in lateraler Richtung. Außerdem ist der Metallspiegel (4) in lateraler Richtung unmittelbar von einer strahlungsdurchlässigen Verkapselungsschicht (5) umgeben.
摘要翻译：在此光电子半导体器件（1）中的至少一个实施例包括载体（2）和至少一个半导体层序列（3）。半导体层序列（3）包括至少一个活性层（30）。半导体层序列（3）还连接到所述载体（2）。此外，半导体组件（1）包括金属反射镜（4），其位于所述载体（2）和所述半导体层（3）序列之间。所述支撑件（2）和所述半导体层序列（3）突出超过在横向方向上的金属反射镜（4）。另外，金属反射镜（4）在横向方向上通过一个透射辐射的封装层包围的直接（5）。

6. 发明申请

WO2010136326A1 OBERFLÄCHENMONTIERBARER OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OBERFLÄCHENMONTIERBAREN OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：表面贴装光电子半导体芯片及其制造方法的表面安装的光电半导体芯片
公开(公告)号：WO2010136326A1
公开(公告)日：2010-12-02
申请号：PCT/EP2010/056366
申请日：2010-05-10
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HÖPPEL, Lutz , MOOSBURGER, Jürgen , VON MALM, Norwin , RODE, Patrick , ILLEK, Stefan
发明人： HÖPPEL, Lutz , MOOSBURGER, Jürgen , VON MALM, Norwin , RODE, Patrick , ILLEK, Stefan
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/62 , H01L27/15 , H01L33/64 , H01L33/38 , H01L25/16
CPC分类号： H01L33/486 , H01L25/167 , H01L33/0079 , H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des oberflächenmontierbaren optoelektronischen Halbleiterchips (90) umfasst dieser einen Träger (10) mit zwei elektrischen Durchkontaktierungen (30, 70). Weiterhin beinhaltet der Halbleiterchip mindestens eine Halbleiterschichtenfolge (1). Ferner beinhaltet der Halbleiterchip (90) zwei elektrische Anschlussschichten (3, 7). Die Anschlussschichten (3, 7) überlappen hierbei in einer lateralen Richtung und sind durch eine Trennschicht elektrisch voneinander isoliert. Ein Teil der zweiten Anschlussschicht erstreckt sich über mindestens einen Durchbruch weg von dem Träger und hindurch durch die erste Anschlussschicht. Außerdem weist der Halbleiterchip mindestens eine elektrisch leitfähige Haftvermittlungsschicht auf. Über eine Unterbrechung ist die mindestens eine Haftvermittlungsschicht derart durchtrennt, dass über die Haftvermittlungsschicht keine elektrische Verbindung zwischen den Durchkontaktierungen hergestellt ist. Des Weiteren weist der Halbleiterchip wenigstens eine elektrisch leitfähige Brücke auf. Die Unterbrechung und eine Durchkontaktierung sind nicht von der Halbleiterschichtenfolge überdeckt.
摘要翻译：在一个支撑件（10），具有两个电通孔（30，70）的表面安装光电子半导体芯片（90）的至少一个实施例。此外，半导体芯片包括至少一个半导体层序列（1）。此外，半导体芯片（90）包括两个电连接层（3，7）。连接层（3，7）这种重叠在横向方向上，并且彼此电通过分离层绝缘。第二连接层的一部分的至少一个孔离开所述载体并通过第一连接层上延伸。此外，至少一个导电粘合剂层上的半导体芯片。通过中断所述至少一个粘接层是这样切割，没有电连接的粘合增进层在通孔之间进行比较。此外，半导体芯片的至少一个导电桥。中断以及通过不被半导体层序列覆盖。

7. 发明申请

WO2012028509A1 LEUCHTDIODENANORDNUNG MIT EINEM PIEZO-TRANSFORMATOR 审中-公开
标题翻译：有压电变压器LED的配置
公开(公告)号：WO2012028509A1
公开(公告)日：2012-03-08
申请号：PCT/EP2011/064550
申请日：2011-08-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , RODE, Patrick , VON MALM, Norwin , HÖPPEL, Lutz
发明人： RODE, Patrick , VON MALM, Norwin , HÖPPEL, Lutz
IPC分类号： H01L41/107 , H01L25/16 , F21K99/00
CPC分类号： F21K9/50 , F21K9/60 , F21V7/00 , F21V23/02 , F21V23/023 , F21Y2115/10 , H01L41/107
摘要： Es wird angegeben eine Leuchtdiodenanordnung (1) mit einem rahmenförmigen Piezo-Transformator (2), der zumindest einen ausgangsseitigen Anschluss (50, 51) aufweist, und mit einem Leuchtdiodenmodul (3) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung, das innerhalb des rahmenförmigen Piezo-Transformators angeordnet und mittels zumindest eines ausgangsseitigen elektrischen Leiters (5) elektrisch an den ausgangsseitigen Anschlussdes Piezo-Transformators angeschlossen ist, wobei die von dem Leuchtdiodenmodul in Richtung des Piezo-Transformators emittierte Strahlung an diesem reflektiert wird.
摘要翻译：提供了一种灯带框状压电变压器的发光二极管器件（1）（2）具有至少一个输出侧端子（50，51），并与用于产生电磁辐射，所述框状的压电变压器的内部的发光二极管模块（3）被布置，并通过至少一个输出侧的电导体（5），其中，从所述光中的压电变压器的辐射的方向的发光二极管模块发出的光被反射在其上的装置电连接到所述压电变压器的输出侧端子。

8. 发明申请

WO2010060404A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：发射辐射的半导体芯片
公开(公告)号：WO2010060404A1
公开(公告)日：2010-06-03
申请号：PCT/DE2009/001524
申请日：2009-10-29
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , MOOSBURGER, Jürgen , VON MALM, Norwin , RODE, Patrick , HÖPPEL, Lutz , ENGL, Karl
发明人： MOOSBURGER, Jürgen , VON MALM, Norwin , RODE, Patrick , HÖPPEL, Lutz , ENGL, Karl
IPC分类号： H01L25/16 , H01L27/15 , H01L33/38 , H01L33/08
CPC分类号： H01L27/15 , H01L25/167 , H01L33/005 , H01L33/02 , H01L33/08 , H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) angegeben, der einen Träger (5) und einen Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge aufweist. In dem Halbleiterkörper (2) mit der Halbleiterschichtenfolge ist ein Emissionsbereich (23) und ein Schutzdiodenbereich (24) gebildet. Die Halbleiterschichtenfolge umfasst einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) der zwischen einer ersten Halbleiterschicht (21) und einer zweiten Halbleiterschicht (22) angeordnet ist. Die erste Halbleiterschicht (21) ist auf der dem Träger (5) abgewandten Seite des aktiven Bereichs (20) angeordnet. Der Emissionsbereich (23) weist eine Ausnehmung (25) auf, die sich durch den aktiven Bereich hindurch erstreckt. Die erste Halbleiterschicht (21) ist im Emissionsbereich (23) elektrisch leitend mit einer ersten Anschlussschicht (31) verbunden, wobei sich die erste Anschlussschicht in der Ausnehmung (25) von der ersten Halbleiterschicht (21) in Richtung des Trägers (5) erstreckt. Die erste Anschlussschicht im Schutzdiodenbereich (24) ist mit der zweiten Halbleiterschicht (22) elektrisch leitend verbunden. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips angegeben.
摘要翻译：提供了一种具有一个支撑件（5）和（2），其具有半导体层序列的半导体主体中的发射辐射的半导体芯片（1）。在半导体主体（2）与该半导体层序列，发射区域（23）和一个保护二极管区（24）形成。半导体层序列包括打算用于第一半导体层（21）和被布置在第二半导体层（22）之间产生辐射激活区（20）。在第一半导体层（21）是在（5）的面对从有源区域（20）离开侧上的支撑。发射区域（23）具有延伸穿过所述活性区域穿过其的凹部（25）。在发射区（23）中的第一半导体层（21）被导电地连接到第一连接层（31），其中，从在所述载体（5）的方向上的第一半导体层（21）延伸在所述凹部（25）的第一连接层。在保护二极管区（24）的第一连接层连接到导电连接在第二半导体层（22）。此外，被指定用于制造发射辐射的半导体芯片的方法。

9. 发明申请

WO2012031823A1 BELEUCHTUNGSVORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：照明装置
公开(公告)号：WO2012031823A1
公开(公告)日：2012-03-15
申请号：PCT/EP2011/062741
申请日：2011-07-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HERRMANN, Siegfried , VON MALM, Norwin , HÖPPEL, Lutz
发明人： HERRMANN, Siegfried , VON MALM, Norwin , HÖPPEL, Lutz
IPC分类号： H05B33/08 , H01L41/04
CPC分类号： H05B33/08 , F21L13/06 , H01L41/044 , H01L41/107 , H05B33/0809
摘要： Es wird eine Beleuchtungsvorrichtung angegeben, mit einem Piezo-Transformator (1), der eine Montagefläche (10) aufweist, an der zumindest zwei ausgangseitige Anschlussstellen (11) angeordnet sind, und zumindest einer substratlosen Lumineszenzdiode (2), die zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung eingerichtet ist, wobei die zumindest eine substratlose Lumineszenzdiode (2) zumindest mittelbar auf die Montagefläche (10) aufgebracht und mechanisch an der Montagefläche (10) befestigt ist, und die zumindest eine substratlose Lumineszenzdiode (2) elektrisch an zumindest zwei der ausgangseitigen Anschlussstellen (11) elektrisch leitend angeschlossen ist.
摘要翻译：提供了一种照明装置，具有在其上的至少两个输出侧端子（11）被布置在安装表面（10）上的压电变压器（1），和至少一个无基材的发光二极管（2），用于产生电磁辐射，被建立，其特征在于，所述至少一个基材的发光二极管（2）至少间接地固定在安装表面（10）上施加与机械到安装表面（10）和所述至少一个基材的发光二极管（2）电连接到至少两个输出端侧连接点（11 ）导电连接。

10. 发明申请

WO2011157523A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：方法用于制造光电子半导体芯片和光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2011157523A1
公开(公告)日：2011-12-22
申请号：PCT/EP2011/058653
申请日：2011-05-26
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HÖPPEL, Lutz , VON MALM, Norwin
发明人： HÖPPEL, Lutz , VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/00 , H01L33/44 , H01L33/40 , H01L33/38 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： H01L33/46 , H01L27/0248 , H01L29/861 , H01L31/0224 , H01L31/02327 , H01L31/186 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , Y02P70/521 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips angegeben, mit den Schritten: - Bereitstellen einer n-leitenden Schicht (2), - Anordnen einer p-leitenden Schicht (4) auf der n-leitenden Schicht (2), - Anordnen einer Metallschichtenfolge (5) auf der p-leitenden Schicht (4), - Anordnen einer Maske (6) an der der p-leitenden Schicht (4) abgewandten Seite der Metallschichtenfolge (5), - stellenweises Abtragen der Metallschichtenfolge (5) und Freilegen der p-leitenden Schicht (4) unter Verwendung der Maske (6), und - stellenweises Neutralisieren oder Entfernen der freigelegten Bereiche (4a) der p-leitenden Schicht (4) bis zur n-leitenden Schicht (2) unter Verwendung der Maske (6), wobei - die Metallschichtenfolge (5) zumindest eine Spiegelschicht (51) und eine Sperrschicht (52) umfasst, und - die Spiegelschicht (52) der Metallschichtenfolge (5) der p- leitenden Schicht (4) zugewandt ist.
摘要翻译：公开的是用于制造光电子半导体芯片，包括以下步骤的方法： - 提供一个n型层（2）， - 设置金属层序列 - 在n型层（2），上放置一个p型层（4）（5）p型层（4）上， - 布置掩模（6）在其上的p型层（4）从所述金属层序列（5）的背向侧， - 提供明智移除金属层序列（5）的并暴露在p 型层（4）使用掩模（6），以及 - 提供明智中和或去除p型层（4）使用掩模（2）的n型层的暴露部分（4a）的（6），其特征在于， - - 金属层序列（5）包括至少一个反射镜层（51）和阻挡层（52），并且在p型层（4）的面对的是在金属层序列的镜层（52）（5）。

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