专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2012168040A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTS UND DERARTIGES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：方法用于制造光电半导体器件以及这种半导体部件
公开(公告)号：WO2012168040A1
公开(公告)日：2012-12-13
申请号：PCT/EP2012/058921
申请日：2012-05-14
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HERRMANN, Siegfried
发明人： HERRMANN, Siegfried
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/00 , H01L33/48 , H01L25/075
CPC分类号： H01L31/0236 , H01L24/18 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L24/96 , H01L25/0753 , H01L31/18 , H01L33/22 , H01L33/48 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2224/04105 , H01L2224/24137 , H01L2224/92144 , H01L2924/10158 , H01L2924/12036 , H01L2924/12042 , H01L2924/15787 , H01L2933/0033 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements angegeben, bei dem ein Trägersubstrat (2) bereitgestellt wird, das einen Montagebereich (2a) und eine Aussparung (2b) aufweist, die im Montagebereich (2a) des Trägersubstrats (2) ausgebildet ist. Nach Montage eines Halbleiterchips (1) wird eine elektrisch isolierende Schicht (4) auf dem Trägersubstrat (2) derart aufgebracht, dass die elektrisch isolierende Schicht (4) die erste Aussparung (2b) des Trägersubstrats (2) vollständig ausfüllt. Eine zweite Aussparung (4a) wird in der elektrisch isolierenden Schicht (4) ausgebildet. Anschließend wird eine elektrisch leitende Schicht (5) auf der elektrisch isolierenden Schicht (4) derart aufgebracht, dass die zweite Aussparung (4a) als Durchkontaktierung mit der elektrisch leitenden Schicht (5) ausgefüllt ist. Weiter wird ein derart hergestelltes Halbleiterbauelement angegeben.
摘要翻译：本发明提供一种制造半导体器件，在该载体基板（2）提供，一个安装部分（2a）和凹部（2b）中，这在装配区域（2A）设置在支撑基板（2）的形成的方法。安装（1）在这样的电绝缘层（4）的载体基板（2）上施加的半导体芯片，其电绝缘层（4）完全填充所述第一凹部后（2b）的所述载体基片（2）。的第二凹部（4A）形成在电绝缘层（4）英寸随后，将电绝缘层（4）上的导电层（5）被施加，使得第二凹槽（4a）中填充有导电性（5）层的电镀穿通孔。此外，以这种方式制造的半导体器件中给出。

2. 发明申请

WO2012031823A1 BELEUCHTUNGSVORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：照明装置
公开(公告)号：WO2012031823A1
公开(公告)日：2012-03-15
申请号：PCT/EP2011/062741
申请日：2011-07-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HERRMANN, Siegfried , VON MALM, Norwin , HÖPPEL, Lutz
发明人： HERRMANN, Siegfried , VON MALM, Norwin , HÖPPEL, Lutz
IPC分类号： H05B33/08 , H01L41/04
CPC分类号： H05B33/08 , F21L13/06 , H01L41/044 , H01L41/107 , H05B33/0809
摘要： Es wird eine Beleuchtungsvorrichtung angegeben, mit einem Piezo-Transformator (1), der eine Montagefläche (10) aufweist, an der zumindest zwei ausgangseitige Anschlussstellen (11) angeordnet sind, und zumindest einer substratlosen Lumineszenzdiode (2), die zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung eingerichtet ist, wobei die zumindest eine substratlose Lumineszenzdiode (2) zumindest mittelbar auf die Montagefläche (10) aufgebracht und mechanisch an der Montagefläche (10) befestigt ist, und die zumindest eine substratlose Lumineszenzdiode (2) elektrisch an zumindest zwei der ausgangseitigen Anschlussstellen (11) elektrisch leitend angeschlossen ist.
摘要翻译：提供了一种照明装置，具有在其上的至少两个输出侧端子（11）被布置在安装表面（10）上的压电变压器（1），和至少一个无基材的发光二极管（2），用于产生电磁辐射，被建立，其特征在于，所述至少一个基材的发光二极管（2）至少间接地固定在安装表面（10）上施加与机械到安装表面（10）和所述至少一个基材的发光二极管（2）电连接到至少两个输出端侧连接点（11 ）导电连接。

3. 发明申请

WO2011058094A1 DÜNNFILM-HALBLEITERBAUELEMENT MIT SCHUTZDIODENSTRUKTUR UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES DÜNNFILM-HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：带保护二极管的结构和工艺薄膜半导体元件用于制造薄膜半导体元件
公开(公告)号：WO2011058094A1
公开(公告)日：2011-05-19
申请号：PCT/EP2010/067278
申请日：2010-11-11
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SCHEUBECK, Manfred , HERRMANN, Siegfried
发明人： SCHEUBECK, Manfred , HERRMANN, Siegfried
IPC分类号： H01L25/16 , H01L33/00
CPC分类号： H01L25/167 , H01L33/0079 , H01L33/382 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Dünnfilm-Halbleiterbauelement (1) angegeben, das einen Träger (5) und einen Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge aufweist, die einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) umfasst. Der Halbleiterkörper (2) ist mittels eines ersten Kontakts (31) und eines zweiten Kontakts (32) extern elektrisch kontaktierbar. Der Träger (5) weist eine Schutzdiodenstruktur (7) auf, die zum Halbleiterkörper (2) elektrisch parallel verschaltet ist. Die Schutzdiodenstruktur (7) weist eine erste Diode (71) und eine zweite Diode (72) auf. Die erste Diode (71) und die zweite Diode (72) sind bezüglich ihrer Durchlassrichtung zueinander entgegengesetzt elektrisch in Serie verschaltet. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilm- Halbleiterbauelements angegeben.
摘要翻译：本发明提供一种薄膜半导体装置（1），包括一个支撑件（5）和（2），其具有半导体层序列，其包括用于产生辐射激活区（20）的半导体主体。该半导体主体（2）由第一接触（31）和第二接触（32）的外部的装置电接触。所述载体（5）具有一个保护二极管结构（7）与半导体主体（2）被电并联连接。该保护二极管结构（7）包括：第一二极管（71）和第二二极管（72）。第一二极管（71）和第二二极管（72）相对于它的前进方向相反的方向彼此电串联连接。此外，用于制造薄膜半导体器件的方法中给出。

4. 发明申请

WO2010025694A3 OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL 审中-公开
公开(公告)号：WO2010025694A3
公开(公告)日：2010-03-11
申请号：PCT/DE2009/001103
申请日：2009-08-04
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , GÜNTHER, Ewald, Karl, Michael , HERRMANN, Siegfried , ZEHNDER, Ulrich , BRUNNER, Herbert
发明人： GÜNTHER, Ewald, Karl, Michael , HERRMANN, Siegfried , ZEHNDER, Ulrich , BRUNNER, Herbert
IPC分类号： H01L33/62 , H01L25/075
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils (1) weist dieses einen Träger (2) mit einer Montageseite (20) und mit mindestens einem Funktionselement (3) auf. Ferner umfasst das optoelektronische Bauteil (1) mindestens einen substratlosen, optoelektronischen Halbleiterchip (4) mit einer Oberseite (44) und einer dieser gegenüberliegenden Unterseite (45), wobei eine elektrische Kontaktierung des Halbleiterchips (4) über die Oberseite (44) und die Unterseite (45) erfolgt, und wobei die Unterseite (45) der Montageseite (20) des Trägers (2) zugewandt ist. Der mindestens eine Halbleiterchip (4) ist auf der Montageseite (20) aufgebracht. Weiterhin beinhaltet das optoelektronische Bauteil (1) mindestens einen elektrischen Kontaktfilm (5) an der Oberseite (44) des Halbleiterchips (1), wobei der Kontaktfilm (5) strukturiert ist. Ein solches optoelektronisches Bauteil (1) ist kompakt aufgebaut und weist gute thermische Eigenschaften auf.

5. 发明申请

WO2009140947A3 OPTOELECTRONIC MODULE 审中-公开
标题翻译：光电模块
公开(公告)号：WO2009140947A3
公开(公告)日：2010-02-25
申请号：PCT/DE2009000679
申请日：2009-05-13
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , EISSLER DIETER , HERRMANN SIEGFRIED
发明人： EISSLER DIETER , HERRMANN SIEGFRIED
IPC分类号： H01L27/15
CPC分类号： H01S5/0261 , H01L25/167 , H01L27/32 , H01L2924/0002 , H01S5/36 , H01S5/4025 , H01L2924/00
摘要： An optoelectronic module (1) comprises a supporting substrate layer (10) encompassing several circuits (200) that have been previously structured into or onto the supporting substrate layer (10) on the wafer level in front-end processes. Light emitting diodes (100), the emission characteristics, brightness, and color of which are controlled by the circuits (200) integrated into/onto the supporting substrate layer (10), are arranged on the supporting substrate layer (10). By interconnecting several optoelectronic modules (1, 2, 3), module arrangements are created which have an extremely high degree of packing density and excellent properties in respect of color fidelity and dimmability. The individual optoelectronic modules of such a module arrangement can be adjusted to each other or to the surroundings in an autonomous or coupled manner.
摘要翻译：一种光电模块（1）包括与各种电路（200），其已在或在前端工艺在晶片级平面载体基板层（10）上被预结构化的载体基板层（10）。在载体基材层（10）是发光二极管（100），布置成控制所述支撑基板层（10）的电路（200）上的集成在/的辐射图案，亮度和颜色。通过互连多个光电模块（1，2，3）中创建模块组件最高密度与色彩保真度和调光方面具有极好的性能。这样的模块化布置的各个光电子模块可以是自主或耦合，坐标，或对周围环境。

6. 发明申请

WO2009140947A2 OPTOELEKTRONISCHES MODUL 审中-公开
标题翻译：光电模块
公开(公告)号：WO2009140947A2
公开(公告)日：2009-11-26
申请号：PCT/DE2009/000679
申请日：2009-05-13
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , EISSLER, Dieter , HERRMANN, Siegfried
发明人： EISSLER, Dieter , HERRMANN, Siegfried
IPC分类号： H01L27/15 , F21K7/00
CPC分类号： H01S5/0261 , H01L25/167 , H01L27/32 , H01L2924/0002 , H01S5/36 , H01S5/4025 , H01L2924/00
摘要： Ein optoelektronisches Modul (1) umfasst eine Träger-Substratschicht (10) mit verschiedenen Schaltkreisen (200), die in oder auf der Träger-Substratschicht (10) auf Waferlevelebene in Frontend-Prozessen vorstrukturiert worden sind. Auf der Träger-Substratschicht (10) sind Leuchtdioden (100) angeordnet, deren Abstrahlcharakteristik, Helligkeit und Farbe von den in/auf der Träger-Substratschicht (10) integrierten Schaltkreisen (200) gesteuert werden. Durch die Verschaltung mehrerer optoelektronischer Module (1, 2, 3) entstehen Modulanordnungen höchster Packungsdichte mit hervorragenden Eigenschaften in Bezug auf Farbtreue und Dimmbarkeit. Die einzelnen optoelektronischen Module einer derartigen Modulanordnung lassen sich autonom oder gekoppelt, aufeinander oder auf die Umgebung abstimmen.
摘要翻译：一种光电模块（1）包括与各种电路（200），其已在或在前端工艺在晶片级平面载体基板层（10）上被预结构化的载体基板层（10）。在载体基材层（10）是发光二极管（100），布置成控制所述支撑基板层（10）的电路（200）上的集成在/的辐射图案，亮度和颜色。通过互连多个光电模块（1，2，3）中创建模块组件最高密度与色彩保真度和调光方面具有极好的性能。这样的模块化布置的各个光电子模块可以是自主或耦合，坐标，或对周围环境。

7. 发明申请

WO2009092362A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND EINES WAFERS 审中-公开
标题翻译：光电子器件及其制造方法的光电子器件和晶圆
公开(公告)号：WO2009092362A1
公开(公告)日：2009-07-30
申请号：PCT/DE2009/000074
申请日：2009-01-21
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HERRMANN, Siegfried
发明人： HERRMANN, Siegfried
IPC分类号： H01L33/00 , H01L25/075 , H01L27/15
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L27/153 , H01L33/08 , H01L33/385 , H01L33/62 , H01L2224/24 , H01L2924/12032 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement, aufweisend eine Mehrzahl von gesonderten und auf einem gemeinsamen Trägerelement (120) angeordneten optisch aktiven Bereichen (110). Gemäß unterschiedlichen Ausgestaltungen sind benachbarte optisch aktive Bereiche (110) derart angeordnet und/oder ausgestaltet, dass wenigstens zwei benachbarte optisch aktive Bereiche (110) für einen Beobachter des Bauelements mit bloßem Auge nicht mehr unterscheidbar sind. Alternativ sind benachbarte optisch aktive Bereiche (110) derart ausgestaltet und angeordnet, dass sie in planarer Richtung des Trägerelements (120) zumindest teilweise ineinander greifen. Die Erfindung betrifft des Weiteren Herstellungsverfahren zur Herstellung derartiger optoelektronischer Bauelemente und eines Wafers mit einer Vielzahl optisch aktiver Bereiche.
摘要翻译：本发明涉及一种包括多个分开的光电子器件和一个共同的的支撑元件（120），其设置光学有源区（110）。根据各种实施例，相邻的光学有源区（110）被布置和/或配置成使得至少两个相邻的光学有源区（110）不再辨别用肉眼装置的观察者。可替换地，相邻的光学有源区（110）被配置和布置成使得它们接合在承载元件（120）至少部分地进入彼此的面方向。本发明还涉及到制造方法来生产这样的光电子器件，以及具有多个光学活性区域的晶片。

8. 发明申请

WO2009079978A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：光电组件
公开(公告)号：WO2009079978A1
公开(公告)日：2009-07-02
申请号：PCT/DE2008/002036
申请日：2008-12-04
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HERRMANN, Siegfried
发明人： HERRMANN, Siegfried
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/62 , H01L33/64 , H01L33/641 , H01L33/647 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Optoelektronisches Bauelement (10) mit zumindest einem Metallkörper (15) und einer Schichtenfolge (17), die auf einem Grundkörper (11) aufgebracht ist und die dazu ausgebildet ist, eine elektromagnetische Strahlung zu emittieren und bei der auf zumindest einer Seitenfläche eine Isolierung (12) aufgebracht ist, wobei der zumindest eine Metallkörper (15) auf zumindest einen Bereich der Isolierung (12) aufgebracht ist und so ausgebildet ist, dass er in wärmeleitenden Kontakt steht mit dem Grundkörper (11).
摘要翻译：光电子器件（10）与至少一个金属体（15）和在基体上的层序列（17）（11）被施加并且其适于发射电磁辐射，并且其中的绝缘（在至少一个侧面12 被施加），其中所述至少一个金属体（15）被施加到绝缘（12）的至少一部分，并且被设计成使得它在导热接触（与基体11）。

9. 发明申请

WO2008092774A1 DÜNNFILM-LEUCHTDIODEN-CHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES DÜNNFILM-LEUCHTDIODEN-CHIPS 审中-公开
标题翻译：薄膜芯片LED-AND METHOD生产薄膜芯片LED的
公开(公告)号：WO2008092774A1
公开(公告)日：2008-08-07
申请号：PCT/EP2008/050716
申请日：2008-01-22
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HERRMANN, Siegfried
发明人： HERRMANN, Siegfried
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/22 , B29C43/021 , B29C43/203 , B29L2011/0016 , H01L33/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung betrifft einen Dünnfilm-Leuchtdioden-Chip (1) mit einem Schichtenstapel (2), der eine erste (3) und eine gegenüberliegende zweite Hauptabstrahlfläche (4) aufweist, so dass der Dünnfilm-Leuchtdioden-Chip (1) zumindest zwei Hauptabstrahlrichtungen (5, 6) aufweist. Sowohl auf der erste (3) als auch auf der zweiten Hauptabstrahlf lache. (4) sind Maßnahmen (7, 8) vorgesehen zur Verbesserung der Auskopplung des in der Schichtenfolge (2) erzeugten Lichts. Zudem betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilm-Leuchtdioden-Chips (1).
摘要翻译：本发明涉及一种薄膜发光芯片（1），包括一个叠层（2），具有第一（3）和相对的第二主辐射区域（4），以使薄膜发光二极管芯片（1）（至少两个主辐射方向 5，6）。笑在第一（3）和在所述第二Hauptabstrahlf两者。（4）测量（7,8）被提供给改进耦合出来的层序列的产生（2）的光。本发明还涉及到制造薄膜发光芯片（1）的方法。

10. 发明申请

WO2008040315A2 LEUCHTDIODENANORDNUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SOLCHEN 审中-公开
标题翻译： LED和用于制备这种
公开(公告)号：WO2008040315A2
公开(公告)日：2008-04-10
申请号：PCT/DE2007/001733
申请日：2007-09-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SORG, Jörg Erich , GRUBER, Stefan , HERRMANN, Siegfried , HAHN, Berthold
发明人： SORG, Jörg Erich , GRUBER, Stefan , HERRMANN, Siegfried , HAHN, Berthold
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/50 , H01L33/62
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L33/0079 , H01L33/508 , H01L33/62 , H01L2224/24226 , H01L2224/24998 , H01L2224/48091 , H01L2224/76155 , H01L2224/82039 , H01L2224/82102 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/01047 , H01L2924/01058 , H01L2924/01068 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01105 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung betrifft eine Leuchtdiodenanordnung mit einer Mehrzahl von Halbleiterchips, die dazu vorgesehen sind, von ihrer Vorderseite (101) elektromagnetische Strahlung zu emittieren, und die mit ihrer der Vorderseite gegenüberliegenden Rückseite (102) auf einer ersten Hauptfläche (201) eines gemeinsamen Trägerkörpers (2) befestigt sind wobei die Halbleiterchips aus je einem substratlosen Halbleiterschichtstapel (1) bestehen und ohne Hilfsträger an dem gemeinsamen Trägerkörper befestigt sind, sowie ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Leuchtdiodenanordnung.
摘要翻译：本发明涉及一种具有多个半导体芯片，其被设置成从电磁辐射的其前侧（101），用于发出光的发光二极管阵列，将其相反它们在共同的支撑体的第一主表面（201）正面背面（102）（2 ）固定虽然有半导体芯片（一个衬底的半导体层堆叠体1）和被固定到公共支撑体无副载波，以及用于制造这样的发光二极管装置的方法。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式